列出使用VBE的测试方法。VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。图1. 热电阻测量电路由此，通过测定VBE，可以推测结温。通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：PC
2019-04-09 21:27:24
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
晶体管之间的差异性：就三极管，mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊，请各位大侠指点！！！
2016-06-07 23:27:44
判定前：晶体管的选定～贴装的流程晶体管可否使用的判定方法1. 测定实际的电流、电压波形2. 是否一直满足绝对最大额定值？3. 是否在SOA范围内？4. 在使用环境温度*1下是否在下降的SOA范围内
2019-04-15 06:20:06
" 。Rth(j-a)的值根据各个晶体管的不同而不同，但如果封装相同，可以认为该值几乎是很接近的值。**功耗不固定，时间变化时按照平均功耗近似计算。（平均功耗的求法请参照 "晶体管可否
2019-05-06 09:15:45
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
统通过VCCS输入，取平均等技术获得较理想的测试结果。目前能够完成三极管输入、输出特性曲线、放大倍数、开启电压等参数以及二极管一些参数的测定，并能测试比较温度对这些参数的影响。系统具有通用的RS232 接口和打印机接口，可以方便的将结果打印、显示。关键词AduC812压控流源晶体管参数
2012-08-02 23:57:09
晶体管图示仪器是用来测量晶体管输入、输出特性曲线的仪器。在实验、教学和工程中通过使用图示仪，可以获得晶体管的实际特性，能更好的发挥晶体管的作用。
2021-05-07 07:43:17
的电阻值接近0，则说明其C、E极间已击穿损坏。若晶体管C、E极之间的电阻值随着管壳温度的增高而变小许多，则说明该管的热稳定性不良。也可以用晶体管直流参数测试表的ICEO档来测量晶体管的反向击穿电流。测试
2012-04-26 17:06:32
晶体管截止失真饱和失真原理及解决方法
2012-11-18 11:17:11
晶体管测量模块的基本特性有哪些？晶体管测量模块的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
`非常不错的晶体管电路设计书籍！`
2016-11-08 14:12:33
(1) 电流放大系数β和hFEβ是晶体管的交流放大系数，表示晶体管对交流（变化）信号的电流放大能力。β等于集电极电流IC的变化量△IC与基极电流IB的变化量△IB两者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些？晶体管的开关电路是怎样的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶体管的分类 Si晶体管的分类根据不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。 双极晶体管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。双极晶体管和MOSFET中，分功率型和小信号型，IGBT原本是为处理大功率而开发
2018-11-28 14:29:28
控制大功率现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；(1)容易关断，所需要的辅助元器件少，(2)开关迅速，能在很高的频率下工作，(3)可得到的器件耐压范围从
2018-10-25 16:01:51
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首，电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个PN结分别称为集电结（C、B极
2013-08-17 14:24:32
列出使用VBE的测试方法。VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。图1. 热电阻测量电路由此，通过测定VBE，可以推测结温。通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：PC
2019-05-09 23:12:18
求大神相助，Multisim里面雪崩晶体管的过压击穿怎么放着那，当我设的电压已经大于了Vcbo滞后还是不见晶体管导通。
2014-08-08 10:42:58
、发射极和集电极。为了识别NPN和PNP晶体管，我们有一些标准的电阻值。每对端子必须在两个方向上测试电阻值，总共进行六次测试。这种方法对于快速识别PNP晶体管非常有益。我们现在可以观察每对终端的运行方式
2023-02-03 09:44:48
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替，MFR151管子能用哪个来代替？或是谁有这两个高频管子的原件库？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
“鱼和熊掌”兼得的HI-FI新方法音响“HI—FI”是发烧友永恒的主题。“好声音”又是一个系统工程，从对碟片音源、CD、前级、电源、功放、线材、音箱喇叭一整套性能的优化组合、乃至220伏电能的纯净
2014-03-27 15:02:19
`内容简介：《晶体管电路设计》(上)是“实用电子电路设计丛书”之一，共分上下二册。《晶体管电路设计》(上)作为上册主要内容有晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电
2017-07-25 15:29:55
一种在金上生成硫醇封端的SAM的新方法 - 应用简报
2019-10-30 11:05:12
一种标定陀螺仪的新方法
2016-08-17 12:17:25
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的大多数载流子传输。与双极晶体管相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、限频高、功耗低、制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大器、数字电路和微波电路等。基于硅的金属MOSFET和基于GaAs
2023-02-03 09:36:05
显示器和透明太阳能电池板产品的出现。 在许多透明电子系统中，晶体管都是至关重要的部件。如今，这种器件通常是薄膜晶体管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明导电氧化物材料制成。 不过，薄膜晶体管
2020-11-27 16:30:52
达林顿晶体管是一对双极晶体管，连接在一起，从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果，输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
，出于实际原因，保持区域大致相同至关重要。 如前所述，实现更多计算能力的一种方法是缩小晶体管的尺寸。但随着晶体管尺寸的减小，漏极和源极之间的距离降低了栅极控制沟道区域电流的能力。正因为如此，平面
2023-02-24 15:25:29
使用PIM分析仪测试连接器互调的新方法是什么？
2021-05-10 06:59:33
较长的连线。长而窄的连线电阻更大，延时更长。字线和位线的电阻对SRAM运行速度的提高和工作电压的降低构成了限制。 按照传统方法来实现集成电路需要先在在硅衬底上构建晶体管，然后再在硅衬底上添加互连层，将
2020-05-11 15:40:48
本文提出了在P1口的部分口线上实现2X8阵列的中断方式键盘输入和脱机硬件动态显示的新方法。
2021-06-07 06:15:58
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶体管（GTR）具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点，阻碍它的进一步发展。—、结构特性1、结构原理功率晶体管是双极型大功率
2018-01-25 11:27:53
功率型LED热阻测量的新方法摘 要： LED照明成为21世纪最引人注目的新技术领域之一，而功率型LED优异的散热特性和光学特性更能适应普通照明领域的需要。提出了一种电学法测量功率LED热阻的新方法
2009-10-19 15:16:09
单片机与PC机双向并行通信新方法研究
2012-08-17 23:11:23
请教：单结晶体管在什么位置，有人说是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在学习单结晶体管，按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真，大多数都不成功，请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊，可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
【作者】：张惠珍;马良;【来源】：《系统工程理论与实践》2010年03期【摘要】：文章在对已有二次分配问题(QAP)线性化模型深入研究的基础上,提出一种二次分配问题线性化新方法,进而给出了对称二次
2010-04-24 09:49:00
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
的挑战是如何精确地测量电阻。 图1简易分压器图1 显示的是您如何使用一个分压器测量电阻。VE 表示激发电压。RG 值为：就大多数传感器而言，如果 R1 和 RG 的值大约相等，则该电路往往会产生非常
2018-09-19 14:41:01
如何使用MangaGAN新方法生成久保带人Style的漫画形象？
2021-09-27 06:00:53
停止windows的自动更新方法：1、点击桌面左下的“开始”按钮。2、点击“设置”3、点击“控制面板”4、在控制面板当中点击“自动更新”5、选择“关闭自动更新”6、点击“确定”
2008-10-16 10:30:21
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2023-11-24 08:16:54
。3. 向实际电路（评估电路）上贴装晶体管请确认选定的晶体管是否在实际电路上安全工作？在工作的情况下，是否长期（可靠）稳定地工作？等等，还需要考虑电气裕量。晶体管可否使用的判定方法可否使用的判定按照以下
2019-05-05 09:27:01
晶体管依照用途大致分为高频与低频，它们在型号上的大致区别是什么？例如《晶体管电路设计》中列举的：高频（2SA****，2SC*****）、低频（2SB****，2SD****）。现在产品设计中最常用的型号是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶体管的热噪声比较大，通过什么手段能解决？
2021-06-24 07:29:25
to -2.4mV/ºC的范围有偏差)R1的温度变化率，如下图表。关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域(数字晶体管的情况)数字晶体管的输出电压-输出电流特性，按以下测定方法测定。IO（低电流区域
2019-04-22 05:39:52
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管的情况）关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
了所谓的顶部朝下的方法，类似于把原件精确地蚀刻并固定在晶体管上的工业流程类似，由于兼容传统工艺，有望被业界采纳。新一代硅芯片将在明天问世，届时将采用垂直结构，而非平板设计，但由于硅的电子流动性有限，人们
2011-12-08 00:01:44
突破现有的逻辑门电路设计，让电子能持续在各个逻辑门之间穿梭。此前，英特尔等芯片巨头表示它们将寻找能替代硅的新原料来制作7nm晶体管，现在劳伦斯伯克利国家实验室走在了前面，它们的1nm晶体管由纳米碳管
2016-10-08 09:25:15
等效的提高开关速度的方法，较小R1值也会加快输出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶体管开关速度的另外一种方法，我们熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的数字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
的IC。2. 按功率分类主要以最大额定值的集电极功率PC进行区分的方法。大体分为小信号晶体管和功率晶体管，一般功率晶体管的功率超过1W。ROHM的小信号晶体管可以说是业界第一的。小信号晶体管最大
2019-05-05 01:31:57
求大佬分享按键扫描的新方法
2022-01-17 06:50:00
测电阻，新方法，不加激励的办法有没有。
2015-03-26 10:44:14
用IBM43RF0100EV评估板评估IBM43RF0100 SiGe晶体管性能
2009-05-12 11:46:34
矢量混频器表征和混频器测试系统矢量误差修正的新方法 白皮书本文介绍了一种表征射频器的新方法，方法能给出输入匹配，输出匹配以及变频损耗的幅度和相位响应，并适用手具有可逆变频损耗的混频器以及镜频响应可以被滤除的混频器。[hide]/replyview]
2009-12-14 16:45:27
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18:39
来至网友的提问：如何选择分立晶体管？
2018-12-12 09:07:55
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 编辑
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶体管模型數據庫以外,更多更多晶体管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶体管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
本帖最后由 鼓山 于 2013-7-4 14:31 编辑
俺在网上找到的基于Proteus 8.0开发LM3S ARM Cortex的新方法给码农们分享！
2013-07-04 14:00:47
运用于matlab中的矩阵求逆的新方法有哪些啊或者考虑矩阵的特殊性质，比如稀疏、对称性，有哪些求逆的新方法可以运用啊？求助！
2013-01-21 17:10:33
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
从CCS5版以后，抛弃了过去CCS3.3的开发方法，普通采用CCS5+controlSUIT的模式，请同志们谈谈这种新方法的感受。
2014-05-15 13:36:43
讲述了软体采用层次包围盒方法进行碰撞检测时，针对连续变形包围盒树的两类更新方法：静态更新和动态更新，对静态更新方法中的自上而下、自下而上和混合更新方法，动态
2009-08-14 08:59:55
8 讲述了软体采用层次包围盒方法进行碰撞检测时，针对连续变形包围盒树的两类更新方法：静态更新和动态更新，对静态更新方法中的自上而下、自下而上和混合更新方法，动态
2009-12-25 16:25:2413 精确控制DDS输出信号幅度的新方法
DDS技术作为一种先进的直接数字频率合成技术，用数字控制的方法从一个频率基准源产生多种频率，具有高可靠性、高集成度、高频率分
2008-10-15 08:57:56
1560 
测量晶体三极管的新方法
晶体三极管是电子电路中最常见的器件之一。在各种电子电路中的应用十分广泛。但是，判定三极管的好坏及极
2008-11-09 15:32:122761 CMOS和模拟器件电路的晶体管设计新方法
日本广岛大学(University of Hiroshima)和日本半导体技术理论研究中心(STARC)共同披露了一种适用于CMOS和模拟器件电路的晶体管设计
2009-03-28 16:20:54563 一种热电阻阻值测量的新方法
摘 要：在利用热电阻测量温度中，热电阻阻值的精确测量是精确测量温度的关键，针对传统热电阻
2009-05-26 16:34:112765 
英国剑桥大学科学家开发出一种名为“集合渗透震动”(collective osmotic shock，COS)的新方法来制造多孔纳米材料，可大大提高制造效率，在水资源过滤、发光设备制造和化学传感器等方面具
2011-11-30 08:53:17685 来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示，他们构建出了首个10纳米以下的碳纳米管(CNT)晶体管
2012-02-04 09:45:29843 晶圆代工厂联电（2303）昨（29）日宣布与IBM签订技术授权合约，将以3D架构的鳍式场效晶体管（FinFET），促进次世代尖端20纳米CMOS制程的开发，以加速联电次世代尖端技术的研发时程。
2012-06-30 11:27:11527 FinFET的芯片。在2月份举行的这次Common Platform 2013技术论坛上，IBM除了展示FinFET这种3D晶体管技术外，还展示了诸如硅光子晶体管，碳纳米管等前沿技术。
2013-02-20 23:04:307799 基于温度信号的风电机组发电机实时可靠性监测新方法_霍娟
2016-12-29 14:35:280 研究团队，开发出用化学数码代码和3D打印机制造药物的新方法，该团队认为，这种新方法将重新定义便携式工厂模式。
2018-02-07 13:11:33674 AD采集的新方法
2018-03-23 09:44:2510 储能成本关乎行业发展前景，但其测算方法其实非常复杂，国外一家能源公司提出了一种储能成本精确测算的新方法——Levelized Cost of Using Storage（LCUS）。
2020-04-06 08:40:001289 并联APF直流侧电压选择新方法(肇庆理士电源技术)-并联APF直流侧电压选择新方法
2021-09-17 16:47:445 过时。IBM 在 2021 年就证明了这一点，其突破性的 2 纳米芯片技术颠覆了市场。这个新的制造时代得益于减少芯片纳米的竞赛。 今天，晶体管的标准长度是10纳米，而且随着最新研究，顶级公司已经生产了5纳米或7纳米的芯片。从历史
2022-01-07 10:12:35436 USBブート用ドライバ誤認識後のドライバ更新方法
2023-05-15 19:09:110 USBブート用ドライバ誤認識後のドライバ更新方法
2023-07-11 20:20:220 电子发烧友网站提供《VLSI系统设计的最新方法.pdf》资料免费下载
2023-11-20 11:10:370 IBM 的概念纳米片晶体管在氮沸点下表现出近乎两倍的性能提升。这一成就预计将带来多项技术进步，并可能为纳米片晶体管取代 FinFET 铺平道路。更令人兴奋的是，它可能会导致更强大的芯片类别的开发。
2023-12-26 10:12:55199
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