中芯国际拼先进半导体制程 有望超越联电成全球第三

12月21 日传出聘请前台积电高层蒋尚义但任独立董事的中国大陆最大晶圆代工业者中芯国际 （SMIC），因为在 2016 年之内，先后宣布 14 纳米制程将在 2018 年投产，以及 2016 年投资金额提升至 25 亿美元的消息。而这 2 项指标都直追全球第 3 大晶圆代工业者联电（UMC），意味中芯将有机会超过联电，成为全球仅次于台积电与格罗方德 （Global Foundries） 的第 3 大晶圆代工业者。

据了解，目前在全球半导体制造技术上，掌握 10 纳米制程技术的台积电，不论技术与规模，都是全球晶圆代工业的领先厂商。而联电在厦门投资的联芯拟引进 28 纳米制程的计划，目前仍旧卡关，仅采用 40/55 纳米制程。至于，格罗方德则是买下三星的 14 纳米制程的 FinFET 技术，成为第 3 家掌握该技术的晶圆代工厂。但该公司亏损多年，之前更曾传出要卖给大陆企业，与中芯国际的竞争不明显。

因此，就目前的市场态势观察，联电早早在中国大陆设立和舰科技，加上目前在厦门也已经兴建 12 寸晶圆厂，因此与中芯竞争最直接的就是联电。不过，本来联电希望将 28 纳米制程导入中国大陆，但由于联电 14 纳米制程在中国***地区尚未量产。因此，碍于投资规定，中国***地区制程技术必须领先中国大陆一个世代以上，因此目前仍处于卡关阶段。

因此，就目前的进度来看，即使 2017 上半年联电如期采用 14 纳米 FinFET 技术投产，厦门联芯引进的也只是 28 纳米制程，这将与中芯国际是同样水准。因此，竞争力将不见得会比中芯更有优势。此外，2016 年联电资本支出为 22 亿美元 ，而中芯国际在 2016 年上半年就已调升到 25 亿美元，中芯的资本支出首度超越联电，也加速了中芯的半导体制程技术前进。而且，若中芯的 14 纳米 FinFET 技术如愿在 2018 年投产，届时相较联电将会有更大的竞争优势。

2016 年 11 月 16 日联电宣布，于厦门设立的 12 寸合资晶圆厂联芯集成电路举行揭幕典礼。且该厂打破过去纪录，自 2015 年 3 月动工以来，仅 20 个月即开始量产客户产品。联电指出，联芯采用40 纳米制程技术，产品良率逾 99%。而针对竞争对手的积极追赶，联电在 2016 年第 3 季的法说会上指出，14 纳米制程将在 2017 年小幅量产。这也使得联芯导入 28 纳米制程的机会大增。

不过，市场法人认为，即便联电顺利小幅量产 14 纳米制程，但初期良率不高的情况下，虽然看好未来有机会挹注公司营运。但是，短期面临 2017 年第 1 季的传统淡季，加上厦门联芯厂量产初期将拉高成本，都将压抑 2017 年整体获利表现。这使得联电与中芯的竞争，可能会处于较不利的态势。