28、40纳米制程未来三年恐成大陆厂商杀戮战场

电子发烧友早八点讯：大陆半导体业者疯狂投入晶圆代工和3D NAND市场，不仅5年要盖20座晶圆厂，预估2018年大陆晶圆厂资本支出将暴冲至100亿美元，值得忧虑的是，大陆在逻辑制程上碍于14纳米先进制程苦无突破点，遂全力转向高性价比的中阶制程技术，业者预期未来3年包括28、40纳米制程恐成为杀戮战场，***二线晶圆代工厂将必须思索转型之道。

大陆为达到半导体芯片自制率50~70%目标，兵分两路积极布局，在3D NAND技术上，长江存储旗下武汉新芯年底将推出32层芯片，然包括三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）、美光（Micron）、SK海力士（SK Hynix）等业者，2017年将陆续进入64层和72层技术芯片，大陆3D NAND技术仍落后一大截，短期内无法威胁既有的主流厂商。

另一股势力是晶圆代工布局，中芯国际、华力微电子分别与高通（Qualcomm）、联发科合作28纳米先进制程，紫光又投资中芯国际成为前三大股东，整个逻辑制程布局绵密，中芯国际不但在天津、深圳、北京等地区疯狂盖厂，紫光更宣布在成都、南京设厂，未来大陆12吋晶圆厂将遍地开花。

***半导体产业主要核心，系以台积电为领头羊的14纳米以下先进制程，尽管大陆3~5年内将无法突破，然未来3年要担心的是28/40/65/90纳米等中阶制程技术，将成为大陆晶圆代工厂最大的利器。

半导体业者表示，大陆许多中小型IC设计公司无力负担14纳米以下先进制程的开发和光罩成本，因此会在28/40/65/90纳米制程停留很长的时间，大陆晶圆代工厂拼命扩充这些制程技术的产能，而此领域现在是***二线晶圆厂赖以维生的主力战场，未来在大陆晶圆厂大举投入后，将成为杀戮战场。

根据半导体协会（SEMI）统计，2016、2017年大陆晶圆厂资本支出分别高达70亿美元，预计2018年将超过100亿美元，大举在大陆投资的半导体厂，包括中芯国际、三星西安厂、联电厦门厂和福建晋华、英特尔大连厂、台积电南京厂、SK海力士无锡厂、长江存储、华力微电子、合肥长鑫等，估计5年内有20座12吋晶圆厂诞生。

大陆这一波扶植半导体政策具备的优势，包括政策明确、资金充足及内需市场庞大，然其劣势是人才缺乏、无自有技术和缺乏智财，大陆为补足劣势，近期积极吸引***半导体业界逾20年经验的人才加入，包括***DRAM教父高启全、台积电前共同营运长蒋尚义及联电前执行长孙世伟等。

在技术和知识产权方面，大陆亦积极找寻突破点，陆续发动多起购并案，以快速取得半导体先进技术和知识产权，但真正成功案例并不多，并引发美国和欧洲势力防堵。近几年全球半导体购并案，包括ARM、博通（Broadcom）、NXP、Freescale、Altera、新帝（SanDisk）等，都是被国际大厂合并，大陆业者购并的比重仅占12%。

另外，原本紫光集团有意入股西部数据（WD）、美光（Micron）等，最后都无疾而终，福建宏芯基金要收购德国半导体设备供应商爱思强（Aixtron），后来也被欧美政府打回票。