TSMC在FinFET工艺量产上落后于Intel、三星，不过他们在10nm及之后的工艺上很自信，2020年就会量产5nm工艺，还会用上EUV光刻工艺。
2016-07-18 10:47:09
1380 半导体制造工艺是集成电路产业的核心，未来摩尔定律是否还能主宰产业发展就得看半导体工艺是否能在10nm以下的工艺继续突破了，而在这个问题上，荷兰ASML公司的EUV光刻机何时成熟就是个关键了。上周
2016-11-07 11:33:073245 
传统的光刻工艺是相对目前已经或尚未应用于集成电路产业的先进光刻工艺而言的，普遍认为 193nm 波长的 ArF 深紫外光刻工艺是分水岭（见下表）。这是因为 193nm 的光刻依靠浸没式和多重曝光技术的支撑，可以满足从 0.13um至7nm 共9个技术节点的光刻需要。
2022-10-18 11:20:2917459 在之前的文章里，我们介绍了晶圆制造、氧化过程和集成电路的部分发展史。现在，让我们继续了解光刻工艺，通过该过程将电子电路图形转移到晶圆上。光刻过程与使用胶片相机拍照非常相似。但是具体是怎么实现的呢？
2023-06-28 10:07:476930 
光刻工艺就是把芯片制作所需要的线路与功能做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光，光刻胶见光后会发生性质变化，从而使光罩上得图形复印到薄片上，从而使薄片具有电子线路图的作用
2023-12-04 09:17:246309 
光刻工艺贯穿整个芯片制造流程的多次重复转印环节，对于集成电路的微缩化和高性能起着决定性作用。随着半导体制造工艺演进，对光刻分辨率、套准精度和可靠性的要求持续攀升，光刻技术也将不断演化，支持更为先进的制程与更复杂的器件设计。
2025-03-27 09:21:333277 
2019年半导体芯片进入 7nm 时代开始（现在我们处于 10nm 时代），EUV 光刻机是绝对的战略性设备，没有它就会寸步难行。
2018-05-17 09:22:2011583 在7nm及以下节点上，台积电的进展是最快的，今年量产7nm不说，最快明年4月份就要试产5nm EUV工艺了，不过这个节点的投资花费也是惊人的，台积电投资250亿美元建厂，5nm芯片设计费用也要比7nm工艺提升50%。
2018-10-08 09:52:334230 中芯国际的7nm工艺发展跟台积电的路线差不多，7nm节点一共发展了三种工艺，分别是低功耗的N7、高性能的N7P、使用EUV工艺的N7＋，前两代工艺也没用EUV光刻机，只有N7＋工艺上才开始用EUV工艺，不过光罩层数也比较少，5nm节点寸是充分利用EUV光刻工艺的，达到了14层EUV光罩。
2020-02-28 09:49:166208 作为近乎垄断的光刻机巨头，ASML的EUV光刻机已经在全球顶尖的晶圆厂中获得了使用。无论是英特尔、台积电还是三星，EUV光刻机的购置已经是生产支出中很大的一笔，也成了7nm之下不可或缺的制造设备
2021-12-01 10:07:4113656 电子发烧友网报道（文/周凯扬）到了3nm这个工艺节点之后，单靠现有的0.33NA EUV光刻机就很难维系下去了。为了实现2nm乃至未来的埃米级工艺，将晶体管密度推向1000MTr/mm2，全面
2022-12-07 01:48:003525 电子发烧友网综合报道 随着集成电路工艺的不断突破， 当制程节点持续向7nm及以下迈进，传统的光刻技术已难以满足高精度、高密度的制造需求，此时，波长13.5nm的极紫外（EUV）光刻技术逐渐成为支撑
2025-08-17 00:03:004220 翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座
2019-07-01 07:22:23
有参考价值的信息。 英特尔路线图 从7nm到1.4nm 首先将目光放到最远，英特尔预计其工艺制程节点将以2年一个阶段的速度向前推进。从2019年推出10nm工艺开始（实际产品在市场上非常少见
2020-07-07 11:38:14
ofweek电子工程网讯 国际半导体制造龙头三星、台积电先后宣布将于2018年量产7纳米晶圆制造工艺。这一消息使得业界对半导体制造的关键设备之一极紫外光刻机（EUV）的关注度大幅提升。此后又有媒体
2017-11-14 16:24:44
一、光刻胶的选择光刻胶包括两种基本的类型：正性光刻和负性光刻，区别如下
2021-01-12 10:17:47
，光源是ArF（氟化氩）准分子激光器，从45nm到10/7nm工艺都可以使用这种光刻机，但是到了7nm这个节点已经的DUV光刻的极限，所以Intel、三星和台积电都会在7nm这个节点引入极紫外光（EUV
2020-07-07 14:22:55
`请问PCB蚀刻工艺质量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
%，Lam Research为10亿美元，占台积电采购额的9%，迪恩士占5%，KLA占4%。ASML目前，全球仅有ASML一家公司掌握着EUV光刻机的核心技术，这也是5nm制程必需的设备，但EUV
2020-03-09 10:13:54
们的投入中，80%的开支会用于先进产能扩增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先进封装及特殊制程。而先进工艺中所用到的EUV极紫外光刻机，一台设备的单价就可以达到1.2亿美元，可见半导体
2020-02-27 10:42:16
卡巴KEY，可用到０９年６月１７日各版本通用 发个卡巴的KEY，可用到０９年６月１７日，而且卡巴７.０、８.０都能用
2008-07-31 16:50:25
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36:46
Intel 22nm光刻工艺背后的故事
去年九月底的旧金山秋季IDF 2009论坛上，Intel第一次向世人展示了22nm工艺晶圆，并宣布将在2011年下半年发布相关产品。
2010-03-24 08:52:581395 在SEMICON West上另一个热点是光刻技术能否达到15nm的经济制造?半导体业是有希望未来采用EUV技术。
2011-03-08 10:09:573110 光刻胶与光刻工艺技术 微电路的制造需要把在数量上精确控制的杂质引入到硅衬底上的微小 区域内,然后把这些区域连起来以形成器件和VLSI电路.确定这些区域图形 的工艺是由光刻来完成的,也就是说,首先在硅片上旋转涂覆光刻胶,再将 其曝露于某种光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 进入10nm工艺节点之后，EUV光刻机越来越重要，全球能产EUV光刻机的就是荷兰ASML公司了，他们总共卖出18台EUV光刻机，总价值超过20亿欧元，折合每套系统售价超过1亿欧元，可谓价值连城。
2017-01-19 18:22:594096 EUV光刻工艺加成，但是7nm EUV工艺在性能上不会有多大的提升，AMD CTO Mark Pappermaster也在采访中证实7nm EUV工艺主要是改善能效，性能提升只是适度的。
2018-11-27 16:35:244132 时代开始（现在我们处于 10nm 时代），EUV 光刻机是绝对的战略性设备，没有它就会寸步难行。
在半导体工艺进入10nm节点之后，制造难度越来越大，传统的193nm紫外光刻机也难以为继
2018-05-20 10:32:3714641 作为DRAM芯片的龙头企业，三星目前已经能量产10nm级、最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。据报道，三星悄悄启动了引入EUV（极紫外光）光刻工艺的DRAM内存芯片研发，基于1ynm。
2018-06-25 09:09:001128
今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺，二代7nm才会上EUV光刻工艺，预计明年量产。那么存储芯片行业何时
2018-06-07 14:49:006864 的进度表
在内存工艺上，美光认为1α及1β工艺上依然都不需要EUV光刻工艺，不过早前ASML两年前提到过内存在进入1Y nm节点时就需要考虑EUV工艺了，实际上并没有，包括三星在内的三大DRAM巨头都没有很快进入EUV节点的打算。
2018-06-08 14:29:076259 
过DRAM在进入1Ynm节点时就需要考虑EUV工艺了，实际上并没有，包括三星在内的三大DRAM巨头都没有很快使用EUV的打算，预计到1znm才会考虑，也就是在10nm级左右。不过，美光认为1α及1β工艺上依然都不需要EUV光刻工艺。
2018-08-20 17:41:491479 台积电前不久试产了7nm EUV工艺，预计明年大规模量产，三星今天宣布量产7nm EUV工艺，这意味着EUV工艺就要正式商业化了，而全球最大的光刻机公司荷兰ASML为这一天可是拼了20多年。
2018-10-19 10:49:293872 随着三星宣布7nm EUV工艺的量产，2018年EUV光刻工艺终于商业化了，这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很多技术挑战，目前的光源功率以及晶圆产能输出还没有
2018-10-30 16:28:404245
随着三星宣布7nm EUV工艺的量产，2018年EUV光刻工艺终于商业化了，这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很多技术挑战，目前的光源功率以及晶圆产能输出
2018-11-01 09:44:264914 作为全球头号代工厂，台积电的新工艺正在一路狂奔，7nm EUV极紫外光刻工艺已经完成首次流片，5nm工艺也将在2019年4月开始试产。
2018-12-19 15:01:021916 用于高端逻辑半导体量产的EUV(Extreme Ultra-Violet，极紫外线光刻)曝光技术的未来蓝图逐渐“步入”我们的视野，从7nm阶段的技术节点到今年(2019年，也是从今年开始)，每2年~3年一个阶段向新的技术节点发展。
2019-01-21 10:45:563963 
***（深紫外光）以及EUV***（极紫外光）。工艺制程还在28nm徘徊时，DUV***无疑是最佳的选择，但是随着工艺制程的升级，想要迈向更小的线路，就只能使用EUV光刻工艺。
目前最先
2019-04-03 17:26:555258 台积电官方宣布，已经开始批量生产7nm N7+工艺，这是台积电第一次、也是行业第一次量产EUV极紫外光刻技术，意义非凡。
2019-05-28 16:18:244210 随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限，极紫外 （EUV） 光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产环境中。对于 7 纳米及更小的高级节点，EUV 光刻技术是一种能够简化图案形成工艺的支持技术。要在如此精细的尺寸下进行可靠制模，超净的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:372675 
格芯首席技术官Gary Patton表示，如果在5nm的时候没有使用EUV光刻机，那么光刻的步骤将会超过100步，这会让人疯狂。所以所EUV光刻机无疑是未来5nm和3nm芯片的最重要生产工具，未来围绕EUV光刻机的争夺战将会变得异常激烈。因为这是决定这些厂商未来在先进工艺市场竞争的关键。
2019-09-03 17:18:1814886 
KLA-Tencor光刻工艺控制解决方案将产量优化至0.13微米 SAN JOSE - KLA-Tencor公司推出了一款工艺模块控制（PMC）解决方案芯片制造商实施和控制0.13微米及更小
2020-02-14 11:05:231983 芯片行业从20世纪90年代开始就考虑使用13.5nm的EUV光刻（紫外线波长范围是10~400nm）用以取代现在的193nm。EUV本身也有局限，比如容易被空气和镜片材料吸收、生成高强度的EUV也很困难。
2019-10-01 17:12:009156 7nm+ EUV节点之后，台积电5nm工艺将更深入地应用EUV极紫外光刻技术，综合表现全面提升，官方宣称相比第一代7nm EDV工艺可以带来最多80%的晶体管密度提升，15%左右的性能提升或者30%左右的功耗降低。
2019-09-26 14:49:115945 7nm是Intel下一代工艺的重要节点，而且是高性能工艺，其地位堪比现在的14nm工艺，而且它还是Intel首次使用EUV光刻的制程工艺，意义重大。
2019-10-12 14:44:543267 在半导体工艺进入 10nm 节点之后，制造越来越困难，其中最复杂的一步——光刻需要用到 EUV 光刻机了，而后者目前只有荷兰 ASML 阿斯麦公司才能供应。
2019-12-10 16:04:288106 由于在7nm节点激进地采用了EUV工艺，三星的7nm工艺量产时间比台积电要晚了一年，目前采用高通的骁龙765系列芯片使用三星7nm EUV工艺量产。在这之后，三星已经加快了新工艺的进度，日前6nm工艺也已经量产出货，今年还会完成3nm GAE工艺的开发。
2020-01-06 16:13:073848 由于在7nm节点激进地采用了EUV工艺，三星的7nm工艺量产时间比台积电要晚了一年，目前采用高通的骁龙765系列芯片使用三星7nm EUV工艺量产。
2020-01-06 16:31:033601 三星宣布，位于韩国京畿道华城市的V1工厂已经开始量产7nm 7LPP、6nm 6LPP工艺，这也是全球第一座专门为EUV极紫外光刻工艺打造的代工厂。
2020-02-21 16:19:052868 近些年来EUV光刻这个词大家应该听得越来越多，三星在去年发布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工艺打造的芯片，台积电的7nm+也是他们首次使用EUV光刻的工艺，苹果的A13
2020-02-29 10:58:473867 近些年来EUV光刻这个词大家应该听得越来越多，三星在去年发布的Exynos 9825 SoC就是首款采用7nm EUV工艺打造的芯片，台积电的7nm+也是他们首次使用EUV光刻的工艺，苹果的A13
2020-02-29 11:42:4531024 据国外媒体报道，在芯片的制造过程中，光刻机是必不可少的设备，在芯片工艺提升到7nm EUV、5nm之后，极紫外光刻机也就至关重要。
2020-03-07 14:39:545816 CFan曾在《芯希望来自新工艺！EUV和GAAFET技术是个什么鬼？》一文中解读过EUV（极紫外光刻），它原本是用于生产7nm或更先进制程工艺的技术，特别是在5nm3nm这个关键制程节点上，没有
2020-09-01 14:00:293544 工艺制程走入10nm以下后，台积电的优势开始显现出来。在7nm节点，台积电优先确保产能，以DUV（深紫外光刻）打头阵，结果进度领先三星的7nm EUV，吃掉大量订单，奠定了巨大优势。
2020-09-02 16:00:293421 重要要点 l 什么是光刻？ l 光刻工艺的类型。 l 光刻处理如何用于电路板成像。 l 工业平版印刷处理设计指南。 可以说，有史以来研究最多的文物是都灵裹尸布。进行广泛检查的原因，从来源的宗教建议
2020-09-16 21:01:162207 ASML的EUV光刻机是目前全球唯一可以满足22nm以下制程芯片生产的设备，其中10nm及以下的芯片制造，EUV光刻机必不可缺。一台EUV光刻机的售价为1.48亿欧元，折合人民币高达11.74亿元
2020-10-19 12:02:4910752 
台积电是第一家将EUV（极紫外）光刻工艺商用到晶圆代工的企业，目前投产的工艺包括N7+、N6和N5三代。
2020-10-22 14:48:562085 EUV工艺的，这是台积电三种7nm工艺版本之一，与其他两种工艺相比，它会使用EUV光刻机，光刻处理效率更高。 在Zen3是否会上EUV工艺的问题上，AMD官方的态度一直很模糊，只强调是改良版的7nm工艺，官方路线图中直接去掉了EUV的痕迹。 不过台湾媒体日前提到，AMD的Zen3这次使用的7nm工
2020-10-26 17:49:532761 ASML公司的EUV光刻机全球独一份，现在主要是用在7nm及以下的逻辑工艺上，台积电、三星用它生产CPU、GPU等芯片。马上内存芯片也要跟进了，SK海力士宣布明年底量产EUV工艺内存。
2020-10-30 10:54:212202 据TOMSHARDWARE报道，台积电表示其部署的极紫外光（EUV）光刻工具已占全球安装和运行总量的50%左右，这意味着其使用的EUV机器数量超过了业内其他任何一家公司。为了保持领先，台积电已经下单
2020-11-17 16:03:382413 、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路线规划，且1nm时代的光刻机体积将增大不少。 据称在当前台积电、三星的7nm、5nm制造中已经引入了NA=0.33的EUV曝光设备，2nm之后需要
2020-11-30 15:47:403167 想想几年前的全球半导体芯片市场，真的可谓哀嚎一片，一时间摩尔定律失效的言论可谓此起彼伏。但是在今天，我们不仅看到5nm工艺如期而至，台积电宣布2nm获得重大进展，就连光刻机的老大ASML也传来捷报，全球最先进的1nm EUV光刻机业已完成设计。
2020-12-02 16:55:4111034 自从芯片工艺进入到7nm工艺时代以后，需要用到一台顶尖的EUV光刻机设备，才可以制造7nm EUV、5nm等先进制程工艺的芯片产品，但就在近日，又有外媒豪言：这种顶尖的EUV极紫外光刻机，目前全球
2020-12-03 13:46:227525 更多诀窍，领先对手1到2年。 据悉，三星的1z nm DRAM第三代内存已经用上了一层EUV，第四代1a nm将增加到4层。EUV光刻机的参与可以减少多重曝光工艺，提供工艺精度，从而可以减少生产时间、降低成本，并提高性能。 尽管SK海力士、美光等也在尝试EUV，但层数过少对
2020-12-04 18:26:542674 继SK海力士日前宣布在M14和建设中的M16工厂均引入EUV光刻机后，三星也坐不住了。
2020-12-05 09:14:061835 ：5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计，将应用于1nm光刻机，预计2022年即可商用。 责任编辑：xj
2020-12-07 17:07:1010234 随着半导体工艺进入10nm节点以下，EUV光刻机成为制高点，之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机，率先量产7nm、5nm工艺，现在内存厂商也要入场了，SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机。
2021-02-25 09:28:552324 随着半导体工艺进入10nm节点以下，EUV光刻机成为制高点，之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机，率先量产7nm、5nm工艺，现在内存厂商也要入场了，SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻
2021-02-25 09:30:232709 随着半导体工艺进入10nm节点以下，EUV光刻机成为制高点，之前台积电抢购了全球多数的EUV光刻机，率先量产7nm、5nm工艺，现在内存厂商也要入场了，SK海力士豪掷4.8万亿韩元抢购EUV光刻机。
2021-02-25 11:39:092438 第二代EUV光刻机原本预计最快可以2023年问世，但最新传闻称NXE:5000系列跳票，而且一下子就跳票三年，要到2025-2026年才有可能问世了。 要知道，ASML是全球唯一一家量产EUV光刻
2021-06-26 16:55:281795 7nm之下不可或缺的制造设备，我国因为贸易条约被迟迟卡住不放行的也是一台EUV光刻机。 但EUV光刻机的面世靠的不仅仅是ASML一家的努力，还有蔡司和TRUMPF（通快）两家欧洲光学巨头的合作才得以成功。他们的技术分别为EUV光刻机的镜头和光源做出了不
2021-12-07 14:01:1012038 台积电和三星从7nm工艺节点就开始应用EUV光刻层了，并且在随后的工艺迭代中，逐步增加半导体制造过程中的EUV光刻层数。
2022-05-13 14:43:203214 
先进光刻工艺EUV相关知识，适合对半导体工艺有兴趣的人员，或者是从事光刻工艺的工程师
2022-06-13 14:48:231 1、IBM的2nm芯片，所有关键功能都是使用EUV光刻机进行刻蚀。而7nm芯片只有在芯片生产的中间和后端环节使用EUV光刻机，意味着2nm工艺对EUV光刻机拥有更高的依赖性。
2022-07-05 17:26:4910335 光刻机是芯片制造的核心设备之一。目前世界上最先进的光刻机是荷兰ASML的EUV光刻机。
2022-07-06 11:03:078348 EUV光刻机是在2018年开始出现，并在2019年开始大量交付，而台积电也是在2019年推出了7nm EUV工艺。
2022-07-07 09:48:445306 目前，光刻机主要分为EUV光刻机和DUV光刻机。DUV是深紫外线，EUV是非常深的紫外线。DUV使用的是极紫外光刻技术，EUV使用的是深紫外光刻技术。EUV为先进工艺芯片光刻的发展方向。那么duv
2022-07-10 14:53:1087068 euv光刻机原理是什么 芯片生产的工具就是紫外光刻机，是大规模集成电路生产的核心设备，对芯片技术有着决定性的影响。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻机生产。那么euv光刻机原理是什么呢？ EUV
2022-07-10 15:28:1018347 光刻是半导体工艺中最关键的步骤之一。EUV是当今半导体行业最热门的关键词，也是光刻技术。为了更好地理解 EUV 是什么，让我们仔细看看光刻技术。
2022-10-18 12:54:056458 电子发烧友网报道（文/ 周凯扬 ）到了3nm这个工艺节点之后，单靠现有的0.33NA EUV光刻机就很难维系下去了。 为了实现2nm乃至未来的埃米级工艺，将晶体管密度推向1000MTr/mm2，全面
2022-12-07 07:25:021848 光掩模可以被认为是芯片的模板。光掩模用电子束图案化并放置在光刻工具内。然后，光掩模可以吸收或散射光子，或允许它们穿过晶圆。这就是在晶圆上创建图案的原因。
2023-03-03 10:10:323268 日本最寄望于纳米压印光刻技术，并试图靠它再次逆袭，日经新闻网也称，对比EUV光刻工艺，使用纳米压印光刻工艺制造芯片，能够降低将近四成制造成本和九成电量，铠侠 (KIOXIA）、佳能和大日本印刷等公司则规划在2025年将该技术实用化。
2023-03-22 10:20:393972 新的High NA EUV 光刻胶不能在封闭的研究环境中开发，必须通过精心设计的底层、新型硬掩模和高选择性蚀刻工艺进行优化以获得最佳性能。为了迎接这一挑战，imec 最近开发了一个新的工具箱来匹配光刻胶和底层的属性。
2023-04-13 11:52:122944 外，学生还就感兴趣的课题做深入调研。师生共同讨论调研报告，实现教学互动。调研的内容涉及光刻工艺、光刻成像理论、SMO、OPC和DTCO技术。
2023-07-07 11:21:321451 
光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现， 光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:535496 
半导体制造工艺之光刻工艺详解
2023-08-24 10:38:543038 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工艺
2023-11-23 18:13:022010 
光照条件的设置、掩模版设计以及光刻胶工艺等因素对分辨率的影响都反映在k₁因子中，k₁因子也常被用于评估光刻工艺的难度，ASML认为其物理极限在0.25，k₁体现了各家晶圆厂运用光刻技术的水平。
2023-12-18 10:53:052730 
基辛格明确说道：“马格德堡工厂一旦上线，就将处于行业前沿。我们先进的工艺技术也随之进入大规模生产阶段，那就是被我们称为的Intel 18A以及更低纳米级别。而马格德堡工厂则将超过这些，我们将在那里打造1.5nm的器件。”
2024-01-19 10:27:271595 据悉，MOR作为被广泛看好的下一代光刻胶（PR）解决方案，有望替代现今先进芯片光刻工艺中的化学放大胶（CAR）。然而，CAR在提升PR分辨率、增强抗蚀能力及降低线边缘粗糙度上的表现已无法满足当前晶圆制造的产业标准。
2024-04-30 15:09:132889 在万物互联，AI革命兴起的今天，半导体芯片已成为推动现代社会进步的心脏。而光刻(Lithography)技术，作为先进制造中最为精细和关键的工艺，不管是半导体芯片、MEMS器件，还是微纳光学元件都离不开光刻工艺的参与，其重要性不言而喻。本文将带您一起认识光刻工艺的基本知识。
2024-08-26 10:10:073248 
分辨率增强及技术(Resolution Enhancement Technique, RET)实际上就是根据已有的掩膜版设计图形，通过模拟计算确定最佳光照条件，以实现最大共同工艺窗口(Common Process Window)，这部分工作一般是在新光刻工艺研发的早期进行 。
2024-10-18 15:11:472854 
“ 光刻作为半导体中的关键工艺，其中包括3大步骤的工艺：涂胶、曝光、显影。三个步骤有一个异常，整个光刻工艺都需要返工处理，因此现场异常的处理显得尤为关键”
2024-10-22 13:52:103498 EUV光刻有多强？目前来看，没有EUV光刻，业界就无法制造7nm制程以下的芯片。EUV光刻机也是历史上最复杂、最昂贵的机器之一。 EUV光刻有哪些瓶颈？ EUV光刻技术，存在很多难点。 1.1
2025-02-18 09:31:242258 
一、光刻工艺概述 光刻工艺是半导体制造的核心技术，通过光刻胶在特殊波长光线或者电子束下发生化学变化，再经过曝光、显影、刻蚀等工艺过程，将设计在掩膜上的图形转移到衬底上，是现代半导体、微电子、信息产业
2025-06-09 15:51:162129 光刻工艺是芯片制造的关键步骤，其精度直接决定集成电路的性能与良率。随着制程迈向3nm及以下，光刻胶图案三维结构和层间对准精度的控制要求达纳米级，传统检测手段难满足需求。光子湾3D共聚焦显微镜凭借非
2025-08-05 17:46:43946 
EUV（极紫外）光刻技术凭借 13.5nm 的短波长，成为 7nm 及以下节点集成电路制造的核心工艺，其光刻后形成的三维图形（如鳍片、栅极、接触孔等）尺寸通常在 5-50nm 范围，高度 50-500nm。
2025-09-20 09:16:09592 一、引言
玻璃晶圆在半导体制造、微流控芯片等领域应用广泛，光刻工艺作为决定器件图案精度与性能的关键环节，对玻璃晶圆的质量要求极为严苛 。总厚度偏差（TTV）是衡量玻璃晶圆质量的重要指标，其厚度
2025-10-09 16:29:24576 
了。 芯片制造离不开光刻机，特别是在先进制程上，EUV光刻机由来自荷兰的ASML所垄断。同时，尽管目前市面上，EUV光刻机客户仅有三家，但需求不断增加的情况底下，EUV光刻机依然供不应求。 针对后3nm时代的芯片制造工艺，High-NA（高数值孔径）EUV光刻机
2022-06-29 08:32:006314
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