- 国内集成电路产业“虚火”过旺 需求大于供给怎么破？

例如计算机系统中的MPU、通用电子系统中的FPGA/EPLD和DSP、通信装备中的Embedded MPU和DSP、存储设备中的DRAM和Nand Flash、显示及视频系统中的Display Driver，国产芯片占有率都是零。

2、资源错配造成了“两头在外”的困局。

尽管芯片制造业快速发展，但主要为海外客户加工;尽管芯片设计业高速增长，但主要使用海外资源;芯片封测业平稳增长，但主要为海外客户服务;中国电子工业生产规模可观，但主要为全球客户服务。

3、制造能力与设计能力失配。

国内制造大厂近年来在不断进步，高速发展，但是距离全球最领先的晶圆代工厂的先进工艺制程水平，还有一段距离。

设计业能力不足。具体表现在：国内代工厂IP核供给不足;设计业缺少关键IP核的设计能力;SoC设计严重依赖第三方IP核;严重依赖具备成熟IP核的工艺资源;缺乏自主定义设计流程的能力;还不具备COT设计能力;主要依靠工艺技术的进步和EDA工具的进步。

4、目前集成电路的投资略显凌乱。

在《纲要》的指导下，大基金和地方基金投资积极性高涨，但是历史的欠账太多，短期内难以弥补。未来五年，大陆在集成电路领域的直接投资需求预计将累计到1000亿美元。

5、生产线建设缺少统筹。

中国国内目前已有产能总量14.9万片/月，仍严重不足，大部分产能都是新增还在建设中的（61.5万片/月），目前规划的产能总量都是合理的，但是工艺节点的分布不均，主要集中在40-90nm，预计建成后可能出现部分节点产能过剩，但先进工艺节点产能仍然不足的失衡情况。

6、技术研发投入不足。

全国每年用于集成电路研发总投入约45亿美元，即少于300亿元人民币，仅占全行业销售额的6.7%，不到Intel公司一家年研发投入的50%。

同时，国家集成电路大基金总裁丁文武也建议，“各地在发展IC产业时，要避免”遍地开花“开工厂的现象，更要避免低水平重复和一哄而上，形成泡沫。”

造成这一现象的原因，是整个产业链先进工艺的严重匮乏。虽然目前部分设计企业已经开始与中国公司开始技术合作，但高端制造工艺、设备仍然在对中国企业进行技术封锁。

中国国产集成电路投资过热了吗？

魏少军教授在论坛上提出，整体而言，国内除了中央政府的1300多亿基金和几个重点城市半导体基金已经落实之外，很多地方投资落实的金额能够达到对外宣传金额的两成就不错了。可以说，从基金的投资到落实，国内集成电路产业与国外都还有着很大的差距，更不要说过热了。

2017年1月6日，美国总统科技顾问委员会发表了《确保美国在半导体领域长期领导地位》报告，该报告认为中国芯片业已经对美国相关企业和国家按照造成严重威胁，虽然目前中国芯片产业仍然落后，但有机会通过产业政策缩小与美国的技术差距，再通过更低的价格取而代之。建议美国总统对中国芯片产业进行更严密的审查，目前，中国集成电路的进口产品有接近50%来自美国。

根据国家《集成电路产业推进纲要》规划，到2030年，中国集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企业进入国际第一梯队，实现跨越发展。这也就意味着，在这一规划中，中国企业至少还需要10年多时间去学习、追赶。

写在最后：业界人士热议的产业过热，更多是结构性的。目前的投入其实还远远不够，而眼下还需大量人才的引进，在海外并购的大门被堵死的时候，我们只有埋头苦干。