应用范围,让用户可以借助这一工具检查不想要的衬底耦合效应。作为全球首家为BCD-on-SOI工艺提供此类分析功能的代工厂,X-FAB将这一最初面向XH018和XP018 180nm Bulk CMOS工艺
2022-04-21 17:37:245687 在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里,半导体厂商应该不是选择FinFET就是FD-SOI工艺技术。
2015-07-07 09:52:223744 格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示,FD-SOI(全耗尽平面晶体管)工艺将是格芯当前战略中心与创新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 解决方案不断发展的驱动力。解决方案今天,手机的功率放大器主要使用砷化镓(GaAs)技术。几年前,OEM将射频开关等制造工艺从GaAs和蓝宝石(SoS)迁移到RF SOI上。GaAs和SoS是SOI的变体
2017-07-13 08:50:15
20-35%;2) 具有更低的功耗。由于减少了寄生电容,降低了漏电,SOI 器件功耗可减小35-70%;3) 消除了闩锁效应;4) 抑制了衬底的脉冲电流干扰,减少了软错误的发生;5) 与现有硅工艺兼容,可减少
2011-07-06 14:09:25
随着SMT新技术、新工艺、新材料、新器件的发展,针对这种应用趋势国外先进研究机构在开展细致分析、检测方面做了许多工作,特别是投入巨额资金,组建了相应的分析实验室,促进了新技术在SMT领域中发展
2018-08-23 06:45:03
摘 要:先进封装技术不断发展变化以适应各种半导体新工艺和材料的要求和挑战。在半导体封装外部形式变迁的基础上,着重阐述了半导体后端工序的关键一封装内部连接方式的发展趋势。分析了半导体前端制造工艺的发展
2018-11-23 17:03:35
按照官网上的介绍搭的电路,实测的数据如下
这个原因在哪里
2023-11-14 07:57:22
因需要差分输出和较高的放大倍数,采用AD8421和ADA4898进行两级放大,并采用AD8421手册推荐方法,使用AD4898-1将AD8421单端输出转为差分输出,但实验发现,输出的负端信号质量较好,而正端信号噪声较大,不知原因在哪
2023-11-24 06:31:57
AD9833模块电路,均存在相同问题,不知道这个原因在哪里?谢谢!是软件还是硬件原因?软件设置的话,应该在哪里更改呢?
2023-12-08 07:40:25
FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)技术是一种新的工艺技术,有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片,在相同的选件和金属层条件下,FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
用于MXHV9910BE离线,高亮度LED驱动器的典型线性调光应用电路。 MXHV9910是一款低成本,高亮度(HB)LED驱动器,采用IC Division的SOI工艺高压BCDMOS制造。该
2019-10-15 08:39:23
用于MXHV9910BTR离线,高亮度LED驱动器的PWM调光应用电路的典型降压驱动器。 MXHV9910是一款低成本,高亮度(HB)LED驱动器,采用IC Division的SOI工艺
2019-10-14 08:46:31
用于MXHV9910B离线,高亮度LED驱动器的PWM调光应用电路的典型降压驱动器。 MXHV9910是一款低成本,高亮度(HB)LED驱动器,采用IC Division的SOI工艺高压BCDMOS
2019-10-15 08:37:25
PCB工艺中底片变形原因与解决方法
2021-03-17 08:15:01
解决方案不断发展的驱动力。解决方案今天,手机的功率放大器主要使用砷化镓(GaAs)技术。几年前,OEM将射频开关等制造工艺从GaAs和蓝宝石(SoS)迁移到RF SOI上。GaAs和SoS是SOI的变体
2017-07-13 09:14:06
SMT贴片工艺(双面) 第一章绪 论1.1简介随着我国电子工艺水平的不断提高,我国已成为世界电子产业的加工厂。表面贴装技术(SMT)是电子先进制造技术的重要组成部分。SMT的迅速发展和普及,对于推动
2012-08-11 09:53:05
`max038一接上-5V电压就迅速发热是什么原因`
2015-11-30 18:45:58
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:III-V/SOI 波导电路的化学机械抛光工艺开发编号:JFSJ-21-064作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
串联谐振(别称串联谐振耐压装置)主要应用于各个电力,冶金,石油等高能高压的一些工业公司。它的技术含量要求很高,一般没有接触过这些方面的人根本就不懂什么是串联谐振,但这并没有阻碍串联谐振在发展的过程中
2019-07-06 10:00:20
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-08-02 08:23:59
基本问题1. 什么是 ROSROS 是一个操作系统ROS 是一种跨平台模块化软件通讯机制ROS 是一系列开源工具ROS 是一系列最先进的算法2. ROS 产生、发展和壮大的原因和意义最初人们是想设计制造一个复杂的机器人,这个机器人能够类似于人一样能够感知,自我导航,能够自我控制去做一些复杂的工作
2021-12-17 06:08:09
,已成为包括台积电在内的代工厂攻克MRAM的主要方向。 在此之后,成本和工艺的限制,让三星的MRAM研发逐渐走向低调,在这期间,与FinFET技术齐名的FD-SOI,在以Leti、Soitec、意法
2023-03-21 15:03:00
本帖最后由 电子人steve 于 2018-5-23 21:14 编辑
准备入门z-stack,打开一个工程rebuild了一下出现如下警告,不知道原因在哪?工程名称
2018-05-22 00:18:17
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-07-05 08:13:58
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
的信息互动,简单方便、安全高效,能让人们更好的安排时间,方便人们生活。 智能家居“智”在哪里? 智能家居拥有智慧,能够读懂人心,主动服务于人,主要得益于网络技术的发展,能够实现远程控制,无线网络技术更是
2017-12-02 09:54:19
、重粒子、中子等对SOI器件产生的单粒子效应及加固技术方面。近年来,国际上在不同类型、不同工艺的SOI器件,特别是大规模、超大规模CMOS/SOI集成电路的抗辐射加固技术的研究取得了大量实用化的成果,抗
2011-07-06 14:11:29
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技术优势?基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要应用?
2021-06-26 07:14:03
,工作正常,然后我用可调电源慢慢调高电压,大概是到14,5V的时候钽电容就爆了。不敢再试了。想知道爆炸的原因。另外建议大家,感觉钽电容贴在pcb上就是颗定时***,慎用钽电容。
2019-09-25 02:25:54
FPGA在系统中表现出的特性是由芯片制造的半导体工艺决定的,当然它们之间的关系比较复杂。过去,在每一节点会改进工艺的各个方面,每一新器件的最佳工艺选择是尺寸最小的最新工艺。现在,情况已不再如此。
2019-09-17 07:40:28
中元器件的介质隔离,彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应;采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势,因此可以说SOI
2012-01-12 10:47:00
`随着摩尔定律,半导体工艺从1微米(um)、0.5微米(um)、0.13微米(um)不断微缩到奈米(nm)等级,如此先进工艺的电路修补,考验FIB实验室的技术发展及应用能力。特别当工艺来到16奈米
2020-05-14 16:26:18
广播的生存环境正在发生巨大变化,主要原因在于:信息、数字、网络技术的不断发展及不断融合,对人们的生活、工作及信息的获取产生了深刻的影响,进而影响到广播业的人文走向。 数字广播简称(DAB),是用数码方式传送音频信号和...
2021-04-20 06:49:16
价格上都是一个全新的挑战。 电表电容之所以称之为电表电容的主要原因是其针对载波能量传输等具体作用,不仅在技术上有了特殊的支持,同时也在生产工艺上与普通电容有所区别,这也正是为什么电表电容的价格都比普通
2014-01-11 16:40:38
半导体工艺和RF封装技术的不断创新完全改变了工程师设计RF、微波和毫米波应用的方式。RF设计人员需要比以往任何时候都更具体、更先进的技术和设计支持。设计技术持续发展,RF和微波器件的性质在不久的未来
2019-07-31 06:34:51
】:随着半导体工艺向深亚微米、超深亚微米方向迅速发展,集成电路的单粒子翻转效应变得更加严重。静态随机存储器(SRAM)是空间应用中广泛采用的存储器件。SRAM单粒子翻转是主要的空间辐射效应之一[1-2
2010-04-22 11:50:00
特斯拉电机做的小的原因主要是【1】电机转速高并配合单级减速箱大家知道电机 功率= 转速*转矩。电机的体积和功率没有太直接的关系,而电机的扭矩和电机体积是密切相关的。这样矛盾就变成【功率不变的情况下
2019-10-17 08:00:00
了SOI CMOS加固工艺和128kb SRAM电路设计等关键技术,研制成功国产128kb SOI SRAM芯片。对电路样品的抗单粒子摸底实验表明,其抗单粒子翻转线性传输能量阈值大于61.8MeV/(mg
2010-04-22 11:45:13
大家好,有没有人看到过,半导体器件按照工艺进行分类的资料,比如像CMOS/SOI CMOS/SOS 体硅CMOS NMOS TTL等这样的分类。先谢谢了
2012-07-02 10:09:49
九阳电磁炉故障现象:保险管和IGBT损坏并更换功率管8550和8050管。上电键盘正常但不加热也没有故障代码且不敲锅,大约一分钟停机。问:原因在哪里,电路板型号YJCP-21SD14-A
2019-10-17 10:42:39
SOI 材料是 SOI 技术发展的基础,SOI 技术的 发展有赖于 SOI 材料的不断进步。缺乏低成本、 高质量的 SOI 材料一直是制约 SOI 技术进入大规 模工业生产的首要因素。
2020-03-19 09:01:27
美等发达国家的先进技术和工艺销售、安装于一体的大规模企业之一。汇集国内物流设备制造业众多技术精英,所拥有的工艺装备、技术、研发能力均居国内领先水平。凭借专业的制作经验、领先的制作技术、优秀的产品质量
2009-11-11 10:39:17
美等发达国家的先进技术和工艺销售、安装于一体的大规模企业之一。汇集国内物流设备制造业众多技术精英,所拥有的工艺装备、技术、研发能力均居国内领先水平。凭借专业的制作经验、领先的制作技术、优秀的产品质量
2009-11-12 10:23:26
美等发达国家的先进技术和工艺销售、安装于一体的大规模企业之一。汇集国内物流设备制造业众多技术精英,所拥有的工艺装备、技术、研发能力均居国内领先水平。凭借专业的制作经验、领先的制作技术、优秀的产品质量
2009-11-13 10:20:08
,虽说是仿真机,但如果不是因为苹果手机如此的受欢迎相信各位也不会去买的,当大家都还沉迷在苹果4S的渴望下时,预期与现实往往就是这么的让人兴奋,今年8月份隆重推出的苹果5再一次让大家的心跳加速,再一次引领
2013-01-16 10:18:09
最近在用盗版JLINKV8,固件总是损坏,解决方法网上一大堆,但是问题的原因在哪,求各位帮忙分析下,不胜感激
2018-09-13 09:28:21
TCP建立阶段的三次握手,在最后一步失败了成功的应该是这样的网上查了下,说是EMAC使能就好了,可是我找不到在哪里啊.......哪位大神指导下,不胜感激
2019-11-07 20:34:49
请问技术创新是如何推动设计工艺发展的?
2021-04-21 06:46:39
本帖最后由 我要像梦一样自由 于 2017-3-4 11:42 编辑
问题出在哪里了?
2017-03-04 11:37:54
力泰科技资讯:我国现已成为世界汽车最大消费市场和生产国,随着汽车工业的快速发展,需要提高产能与质量,需要先进、高效、柔性的自动化生产装备。随着科技的飞速发展,产品的多方位发展越发迅速,生存周期也
2021-09-18 11:31:24
SOI Circui
2009-07-21 11:08:4730 SOI电路的设计理念
2009-07-21 11:09:595 国际SOI 市场95%的应用集中在8 英寸和12 英寸大尺寸薄膜SOI,其中绝大多数用户为尖端微电子技术的引导者,如IBM、AMD 等。目前供应商为法国Soitec、日本信越(SEH)、日本SUMCO,其
2009-12-14 10:29:2434 论文综述了自 1990 年以来迅速发展的先进封装技术,包括球栅阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SiP)等项新技术;同时,叙述了我国封
2009-12-14 11:14:4928 SOI 和体硅集成电路工艺平台互补问题的探讨上海镭芯电子有限公司鲍荣生摘要本文讨论的SOI(Silicon On Insulator)是BESOI(Bonding and Etch back SOI),由于在SOI 材料上制造的集成电
2009-12-14 11:35:1610 SOI LIGBT的研究现状与趋势简述
从IGBT市场需求和产业需求出发,在对SOI LIGBT研究发展历程比较深入广泛的调查研究基础上,简述了在SOI LIGBT方面的国内外研究现
2010-02-22 14:30:4157 DRT MC SOI LIGBT器件新结构的可实现性初探
本文在介绍了减薄漂移区多沟道SOI LIGBT结构雏形之后,首先初步探讨了这种器件的先进VLSI工艺可实现性;然后比较深入
2010-02-22 15:15:3919 PCB激光打标机不宜在哪些场合使用及其操作注意事项随着激光科技的快速发展激光打标机也获得了快速的发展。激光设备标刻技术在各行各业深受追捧,随着市场需求的不断扩大,市场竞争也增强,各行业
2023-08-18 10:00:39
随着芯片微缩,开发先进工艺技术的成本也越来越高。TSMC对外发言人孙又文表示,台积电会继续先进工艺技术节点的投入和开发,今年年底台积电将推出20nm工艺
2012-08-30 14:34:301782 2017年4月18日,中国上海 – 楷登电子(美国Cadence公司,NASDAQ: CDNS)今日正式发布针对7nm工艺的全新Virtuoso® 先进工艺节点平台。通过与采用7nm FinFET
2017-04-18 11:09:491165 VR从开始进入人们视线中到现在已经有数年的时间了,然而直至今日,VR的发展仍然非常缓慢,甚至说依然滞留在非常初级的状态。在我们印象中,尤其是现在这个科技产品爆发式发展的年代,没有什么产品的发展速度如此的慢。那么是什么原因造成了VR发展如此之慢?
2017-05-08 18:17:361976 高通骁龙835可谓是一款今年大火的处理器搭载的小米6、三星s8等手机基本都着实火了一把,还有一款一加5可谓是真的从国外一直火到了国内!原因在于一加5手机上的小细节的处理。
2017-07-20 11:39:302464 在工艺节点进展方面,三星电子晶圆代工业务执行副总裁兼总经理 ES Jung表示,三星晶圆代工业务发展路线将包括FinFET和FD-SOI两个方向,FD-SOI平台路线如下图。目前FD-SOI工艺主要
2018-04-10 17:30:001703 RF器件制造商及其代工合作伙伴继续推出基于RF SOI工艺技术的传统RF开关芯片和调谐器,用于当今的4G无线网络。最近,GlobalFoundries为未来的5G网络推出了45nm RF SOI工艺。RF SOI是RF版本的绝缘体上硅(SOI)技术,利用内置隔离的高电阻率衬底。
2018-07-03 18:07:001191 许多代工厂都在扩大其200mm RF SOI晶圆厂产能,以满足急剧增长的需求。GlobalFoundries,TowerJazz,台积电和联电正在扩大300mm RF SOI晶圆产能,以迎接5G,争抢第一波RF业务。
2018-05-29 06:08:006721 FD-SOI正获得越来越多的市场关注。在5月份的晶圆代工论坛上,三星宣布他们有17种FD-SOI产品进入大批量产阶段。
2018-08-02 14:27:2811603 在本届RF-SOI论坛上,SOI产业联盟评选出“SOI产业推广杰出贡献奖”,Qorvo技术发展总监Julio Costa博士荣获本年度的奖项。该奖项迄今共颁发了三次,只给对SOI 技术和产品有特殊
2018-09-27 11:42:124046 关键词:SOI , 8SW , FEM , 格芯 基于成熟制造工艺的RF SOI技术达到新的里程碑,芯片出货量超过400亿 格芯今日在其年度全球技术大会(GTC)上宣布,针对移动应用优化的8SW
2018-10-04 00:12:01260 信用卡不能够正常使用无法进行支付。这种情况是如何导致的呢?今天微辰金服就为大家介绍一下信用卡被限制使用的原因在哪。 1、信用卡交易额超过设定限额:现在大部分银行信用卡都可以设定交易额度限制
2019-03-11 15:12:51171 3月12日,硅基半导体材料企业新傲科技举办“SOI 30K生产线项目首台工艺设备搬入仪式”,标志着其SOI 30K建设进入冲刺阶段。
2019-03-14 16:00:573746 由现行SOI(Silicon on Insulator)晶圆与代工制造情形,可大致了解SOI变化趋势及重点地区,并借此探讨目前的发展现况与未来规划。
2019-06-19 16:35:279307 针对射频应用,华虹宏力可提供硅衬底全系列工艺解决方案,包括 RF SOI、与逻辑工艺兼容的RF CMOS、SiGe BiCMOS以及IPD等技术。多家芯片厂商已在华虹宏力的RF SOI平台量产。其中,0.2微米射频SOI工艺设计套件(PDK)专为无线射频前端优化,颇受市场好评。
2019-10-18 08:45:364937 通过研发团队的不断努力,同时与客户保持紧密沟通从而清晰地理解设计需求,我们将工艺技术持续优化提升。华虹宏力第三代射频SOI工艺平台预计将在今年第四季度推出。随着模型的不断成熟,随着PDK后端抽取的更精准优化,华虹宏力将为客户提供更加完善的射频解决方案,帮助客户抢占市场先机,让我们拭目以待。
2019-10-18 16:36:462890 华虹半导体的新方案是基于Cadence IC5141 EDA软件的工艺设计工具包(PDK),包括PSP SOI和BSIM SOI的射频模型仿真平台。此0.2微米射频SOI工艺设计工具(PDK)可以
2019-10-21 11:19:022688 事实胜于雄辩,与以往FD-SOI论坛上只以PPT展示FD-SOI优势相比,本次论坛多家公司以已经采用FD-SOI工艺的产品说明其优势,其震撼效果难以言传!
2019-08-06 16:22:453340 长期跟踪研究半导体工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones发表演讲,并对FD-SOI未来走势做出预测。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工艺迁移中也发现一些问题,就是可用的IP短缺,例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 据外媒报道,加州大学圣地亚哥分校(UCSD)领导的研究小组发现,锂金属电池失效的根本原因在于:在电池放电过程中,少量的金属锂沉积物在从负极表面脱落并被困住,变成无法再使用的“死”或非活性锂。
2019-09-10 17:37:343653 作为中国大陆技术最先进、规模最大的晶圆代工企业,中芯国际的制程工艺发展一直备受关注。历经20年,其制程工艺从0.18微米技术节点发展至如今的N+1工艺。
2020-10-20 16:50:105947 因为摩尔定律的声名在外,加上过去这些年包括三星、台积电、Intel和英伟达等公司的推动,科技界甚至终端消费者都对28nm、10nm、7nm和5nm等先进工艺制程有了或多或少的了解。因为这些工艺推动的产品是科技设备“大脑”的重要构成,这些先进工艺受到行业的一致关注是无可厚非。
2020-11-12 15:54:347375 和电路板技术,即集成芯片;半导体主要芯片已不再掌握在少数厂商;以及中芯国际先进工艺和先进封装都会发展、半导体产业需建立完整的生态环境才能在全球市场竞争中取胜等。 蒋尚义指出,先进工艺研发是基石,因应摩尔定律
2021-01-19 10:25:022859 激光打标机标刻深浅不一的原因是什么你了解吗?激光打标机标刻深浅不一的原因在哪里呢? 1、镜头有污渍或者有划痕损坏 解决方法:如果是有污渍的话可以使用棉签和酒精对镜头、扩束镜、聚焦镜进行擦洗,擦干
2021-03-10 15:08:115147 绝缘体上硅(SOI)硅片由顶层硅膜、埋氧层和硅衬底三部分组成。
2022-09-13 11:12:552315 射频 SOI (RF-SOI)是采用 SOI 工艺技术制作的射频器件和集成电路。SOI是指在体硅材料中插人一层 SiO2绝缘层的耐底结构。在SOI衬底上制作低电压、低功耗集成电路是深亚微米技术节点的主流选择之一。RF-SOI 具有如下优点。
2022-09-27 09:09:083349 伴随着市场对高精度微端子产品需求的不断增长,冲孔工艺日益受到连接器厂家的关注。其主要原因在于冲压工艺特征与连接器的生产特征十分吻合。其主要原因在于冲压工艺特征与连接器的生产特征十分吻合。(7)冲压件具有良好的互换性。
2021-11-10 11:43:22788 来源:ACT半导体芯科技 2023年8月31日 “先进封装技术之设计·材料·工艺新发展” 在线主题会议已圆满结束! 会议当天,演讲嘉宾们的精彩分享 引得在线听众踊跃提问 由于时间原因 很多问题都嘉宾
2023-09-08 15:40:38210 pcb钉头产生的原因,原来如此
2023-10-08 09:51:37663 随着半导体工艺的不断发展,先进封装技术正在迅速发展,封装设备市场也将迎来新的发展机遇。作为先进封装设备中的关键设备之一,划片机的发展也备受关注。划片机是用于切割晶圆或芯片的设备,其精度和稳定性
2023-10-18 17:03:28496 于2019年举行。因特殊原因暂停了三年,2023年主办方重启再次主办,第八届FD-SOI论坛,邀请到国内外几乎所有FD-SOI生态内的重要企业专家参与。三年内国内外的科技环境发生了巨大的变化,FD-SOI的产业格局和技术又有哪些变化? 半导体工艺在2001年的新工艺技术的两条路
2023-11-01 16:39:041069 ,在AI时代下边缘端设备会出现高速发展,而FD SOI制造工艺对于AI边缘芯片市场增长来说非常重要。 图:IBS CEO Handel Jones在论坛上致词发表对全球半导体产业的预测和看法
2023-11-21 17:39:11805 本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 据悉,FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术,能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制,相较于现有的 40nm EPM 技术,新工艺大幅度提高了性能指标:能效提升 50%,数字密度增加三倍有余,并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
2024-03-21 14:00:2369 电子发烧友网报道(文/李宁远)在半导体行业,制程工艺封装工艺对芯片性能的影响是不言而喻的。SOI,Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的硅,即硅晶体管结构在绝缘体之上
2023-10-29 06:28:002221
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