`2017年可谓是令人振奋的一年，射频半导体行业取得了众多颠覆性的突破与进步，包括但不限于持续整合MMIC市场，通过氮化镓技术促进新型基站架构和射频能量应用的发展，甚至在实现5G部署方面也初步取得了
2018-02-08 11:01:42
5G 的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。氮化镓、MMIC、射频 SoC 以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率在半导体层面上，硅基氮化镓的主流商业
2019-07-05 04:20:15
氮化镓、MMIC、射频SoC以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率。5G的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。在半导体层面上，硅基氮化镓的主流商业
2019-07-31 07:47:23
"对于大规模MIMO系统而言，第4代氮化镓技术和多功能相控阵雷达(MPAR)架构可提升射频性能和装配效率。"—David Ryan，MACOM高级业务开发和战略营销经理 行业洞察
2017-06-06 18:03:10
MACOM六十多年的技术传承，运用bipolar、MOSFET和GaN技术，提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。射频功率晶体管 - 硅基氮化镓 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
，可帮助系统设计人员简化和加快产品开发，使其能够轻松微调射频能量输出水平，从而最大限度地提高效率和增强性能。MACOM的射频能量工具包将其硅基氮化镓功率晶体管的优势与直观、灵活的软件和信号控制能力相结合
2017-08-03 10:11:14
：“ST的晶圆制造规模和卓越的运营能力将让MACOM和ST能够推动新的射频功率应用，在制造成本上取得的突破有助于扩大硅上氮化镓市场份额。虽然扩大现有射频应用的机会很有吸引力，但是我们更想将硅上氮化镓用于
2018-02-12 15:11:38
) 2017上展示其业界领先的硅基氮化镓产品组合和其他高性能MMIC和二极管产品。 MACOM展位将展示专为商业、工业、科学和医疗射频应用而优化的全新产品解决方案。敬请莅临1312＃展位，与MACOM
2017-05-18 18:12:54
分子束外延法和有机金属化学气相沉积法生长的新型半导体。这些带隙原理已应用于MACOM AlGaAs技术的开发，因此推动了PIN二极管射频性能的大幅提升。主要优势与等效的GaAs PIN结构相比，改善了
2017-06-06 14:37:19
已经有不少硅基氮化镓组件被通信客户采用。为了保证供应，MACOM不久前还与ST签署了合作协议。从中可以看出，往后具有更大集成效能的半导体材料应用或将走向历史的中央舞台。5G促使企业加速国内本土化进程目前
2019-01-22 11:22:59
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势，采用硅来做氮化镓衬底，与碳化硅基氮化镓相比，硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的产品方案也不一样，更像是定制化的产品，根据客户对产品性能及成本的不同需求制定相应的解决方案。不过产品方案的验证的时间比较快，成熟方案在1-2个星期左右。MACOM的射频功率晶体管的产品迭代时间在一年
2017-05-23 18:40:45
以及能耗成本上的差别。碳化硅基氮化镓的高昂的成本，极大限制了其在商业基站成为主流应用的前景。相比之下，一个8英寸硅晶圆厂几周的产能便可满足 MACOM氮化镓用于整个射频和微波行业一年的需求。MACOM
2017-08-30 10:51:37
地控制烹饪。以上讲解到的演示，即我们的硅基氮化镓技术将如何支持射频能量市场，这是我们要通过高效氮化镓技术推动的多种应用之一。关于MACOMMACOM是一家新生代半导体器件公司，集高速增长、多元化和高
2017-09-06 14:44:16
是硅基氮化镓技术。2017 电子设计创新大会展台现场演示在2017年的电子设计创新大会上，MACOM上海无线产品中心设计经理刘鑫表示，硅衬底有一些优势，材料便宜，散热系数好。且MACOM在高性能射频领域
2017-07-18 16:38:20
/无线广播台等。捕获这类能量的能力有助于创建新的无电池设备，并允许电池供电设备通过无线方式实现点滴式充电。除了环境射频能量外，还有一种方式是使用专门的发射器发送功率，这能使无线电源系统提供更高的性能
2019-07-04 08:02:48
`网络基础设施与反导雷达等领域都要求使用高性能高功率密度的射频器件，这使得市场对于射频氮化镓（GaN）器件的需求不断升温。举个例子，现在的无线基站里面，已经开始用氮化镓器件取代硅基射频器件，在
2016-08-30 16:39:28
射频VMMK器件是怎么提高性能的？通过降低寄生电感和电容吗？
2019-08-01 08:23:35
Honcharenko表示：“MACOM是领先的GaN－on－Si（硅基氮化镓）器件开发商。GaN－on－Si器件可提供更高的效率，这有助于开发商设计和部署更小、更轻的基站硬件。网络运营商致力于提供
2019-12-20 16:51:12
氮化镓开关管来取代，一颗顶四颗，并且具有更低的导通电阻。通过使用氮化镓开关管来减少硅MOS管的数量，还可以减小保护板的面积，使保护板可以集成到主板上，节省一块PCB，降低整体成本。储能电源储能电源通常
2023-02-21 16:13:41
高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工厂开发的特点；纳微半导体的GaNFast方案则可以通过高频实现充电器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。对于氮化镓快充普及浪潮的来临，各大主流电商及电源厂
2020-03-18 22:34:23
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会，使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近，氮化镓凭借在硅基氮化镓技术、供应链优化、器件封装技术以及制造效率方面的突出进步成功脱颖而出，成为大多数射频应用中可替代砷化镓和 LDMOS 的最具成本
2017-08-15 17:47:34
。与典型的PN结MOSFET不同，GaN器件的双向结构可以使用双栅结构控制电流。用于电机驱动的矩阵转换器可以通过利用双向设备潜在地减少开关的数量。此外，氮化镓器件可以在比硅器件更高的温度下工作，这使其成为
2019-03-14 06:45:11
应用的发展历程无疑是一次最具颠覆性的技术革新过程，为射频半导体行业开创了一个新时代。通过与ST达成的协议，MACOM硅基氮化镓技术将获得独特优势，能够满足未来4G LTE和5G无线基站基础设施对于性能
2018-08-17 09:49:42
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓（GaN）是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时，GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
描述这个教学演示了一个原型，它通过天线收集周围环境的射频辐射来收集能量。该电路放置在 Wi-Fi、手机等射频发射源附近时，会从周围收集射频能量并将其转换为直流电荷，存储在超级电容器中，然后用于低压应用。
2022-08-31 06:13:08
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
?是提高性能和降低价值。硅衬底倒装波LED芯片，效率会更高、工艺会更好。6英寸硅衬底上氮化镓基大功率LED研发，有望降低成本50%以上。 目前已开发出6寸硅衬底氮化镓基LED的外延及先进工艺技术，光效
2014-01-24 16:08:55
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，Wafer可以做的很大，目前在8英寸，未来可以做到10英寸、12英寸，整个晶圆的长度可以拉长至2米
2017-08-29 11:21:41
中国数字电视产业的蓬勃发展带动了对高性能、低功耗射频接收芯片的巨大需求，但在该领域，由于射频技术、实现复杂度、标准及成本等方面的挑战，中国的数字电视产品中过去大多采用的是国外半导体厂商的芯片。为改变
2019-09-26 06:21:47
如何实现高性能的射频测量系统？ 高性能射频测量系统该怎么正确选用阻抗匹配元件？在设计PCB装配式开关模块时需要考虑什么？
2021-04-14 06:46:36
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
MHz到70 GHz的宽带性能。这些产品可以采用裸片形式或SURMOUNT™、倒装芯片、塑料和陶瓷封装。这些产品是开关、限位器、移相器和衰减器电路应用的上佳之选。MACOM公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化镓或砷化铝镓技术的这类二极管。产品型号：DU2880V产品名称：射频晶体管DU2880V产品特性N沟道增强型器件比双极器件低的噪声系数高饱和输出功率宽带操作的低电容DMOS结构
2018-08-08 11:48:47
的最终目标前进。这意味着客户最终可以与主流技术的发展同步，例如，MACOM公司已经能够提供300W塑料封装的硅上 GaN器件，它有着大于70%的效率，售价约为 15 美元，这一价格/性能水平已处于当今射频能量器件领域的领先位置。
2017-04-05 10:50:35
一个腔室或是一个局限的环境，在其内部可放置吸收射频辐射的食物，并可提供所需的级别的 EMC 屏蔽。MACOM简介：MACOM（镁可微波）科技公司是面向下一代互联网和国防应用的高性能模拟、射频、微波
2017-04-06 16:50:08
24 小时，磁控管的有效寿命及其性能将会很快下降。这意味着，现今要经常，有时每周就需派出技术人员去更换磁控管，这将是一项费用昂贵的行为，所以将磁控管改用固态氮化镓晶体管将有很大的潜力来降低这种服务成本
2017-04-17 18:19:05
以与LDMOS 相竞争的成本来提供其性能优势。 MACOM的硅上 GaN器件能提供超过 70%的能量效率，并在 900 MHz 和 2.45GHz 频率下均具有高的增益。这些频率都是工业、科学和医学应用的开放
2017-05-01 15:47:21
当今射频能量的最大潜在市场之一是在烹饪和加热方面的应用。现在全球每年微波炉的制造产量远超7000 万台，从低成本的消费类产品到高端的专业和工业加热炉，它的产品类型跨度很广。射频功率晶体管在许多性能
2019-07-31 06:04:54
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
和医疗应用。我们的产品组合利用了MACOM超过60年的传统，即使用GaN-on-Si技术提供标准和定制解决方案，以满足客户最苛刻的需求。我们的硅基氮化镓产品采用0.5微米HEMT工艺制成分立晶体管和集成
2019-11-01 10:46:19
恩智浦半导体（NXP Semiconductors），近日推出业界领先的QUBIC4 BiCMOS硅技术，巩固了其在射频领域的领导地位，实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时，为客户带来成本
2019-07-12 08:03:23
导读：近日，TT electronics 宣布推出新一代模压电感 器件--HM72E/A72E.该两款器件具有高性能和高成本效益，最大限度地减少了氧化。 该两款器件是专为需要降压、升压或
2018-09-26 15:44:31
速度。这些功能对于牵引逆变器来说是最佳的，因为它们需要间歇地将大量能量传输回电池。与此同时，硅上氮化镓开关为从低kW到10kW宽范围的供电系统带来了益处，即交流到直流板载充电器（OBC）、直流到直流辅助
2018-07-19 16:30:38
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
方形，通过两个晶格常数（图中标记为a 和c）来表征。GaN 晶体结构在半导体领域，GaN 通常是高温下（约为1,100°C）在异质基板（射频应用中为碳化硅[SiC]，电源电子应用中为硅[Si]）上通过
2019-08-01 07:24:28
运行时的电性能和效率要比传统的硅材料高得多。对于已被实际使用的碳化硅半导体和氮化镓半导体来说，其耐受电压（高于标称电压，用于保持可靠性的基础电压）的需求是不同的。例如，碳化硅耐电压大于或等于1000
2023-02-23 15:46:22
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化镓功率芯片，能令先进的电源转换拓扑结构，从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
实现设计，同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本，并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
几十倍、甚至上百倍的数量增加，因此成本的控制非常关键，而硅基氮化镓在成本上具有巨大的优势，随着硅基氮化镓技术的成熟，它能以最大的性价比优势取得市场的突破。[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
应用领域，SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅
2021-09-23 15:02:11
你好，我找不到合适的地方张贴，所以我在这里张贴。如果在第三方商业产品中使用低成本先锋开发工具包，请允许我知道是否有许可限制。
2019-11-01 13:52:23
希望通过原厂FAE尽快找到解决方案，或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题，尽管不排除芯片可能存在不适用的领域，但是大部分时候是应用层面的问题，和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
地检测品牌、车标和形状。
OpenVINO TM的Intel&Distribution工具包是一个全面的工具包，用于快速开发模拟人类视觉的应用程序和解决方案。该工具包以细胞神经网络为基础，将计算机视觉工作负载扩展到IntelR硬件，最大限度地提高性能。
2023-08-04 07:36:38
的首选技术。固态射频半导体氮化镓与LDMOS相比，硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率，将每单位面积的功率提高4到6倍，并且可扩展至高频率。同时，综合测试数据已证实，硅基氮化镓
2018-08-21 10:57:30
的使用寿命最短2个月，最长4个月。因此，由于更换灯泡的成本过高，诸如室外、街道、体育场或区域照明的应用将无法从基于磁控管的等离子照明中获益。不过，利用氮化镓技术的性能优势，基于固态射频能量的等离子照明
2018-08-06 10:44:39
类型包括硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）和硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBTs）。DTRA关注的其他设备类型还包括45纳米绝缘硅（SOI）芯片、氮化镓异质结场效应晶体管（GaAn HFET）功率半导体和其他抗辐射微电子和光子器件，用于当前和未来军事系统，如卫星和导弹。
2012-12-04 19:52:12
嗨，几次之前我带来了Lora开发工具包LoRa（R）技术评估工具包- 800。（我想在这里发布网址，但似乎不可能）。我想把这个工具包用于商业目的，我想问我是否需要从微芯片购买一些许可证或支付一些付款
2019-07-29 07:51:37
如何实现高性能的射频测试解决方案NI软硬件的关键作用是什么
2021-05-06 07:24:55
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统，因为频率越高，氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢？
2019-07-31 06:53:15
。采用RFCMOS制程最大的好处，当然是可以将射频、基频与存储器等组件合而为一的高整合度，并同时降低组件成本。但是症结点仍在于RFCMOS是否能解决高噪声、低绝缘度与Q值、与降低改善性能所增加制程成本
2016-09-15 11:28:41
降低性能。行业内外随着射频能量通过加大控制来改进工艺的机会持续增多，MACOM将继续与行业领导者合作，以应用最佳实践并通过我们的硅基氮化镓(GaN-on-Si)解决方案实现射频能量。确保了解有关射频能量
2018-01-18 10:56:28
我们在“日常生活中的微波射频能量”系列此前的技术知识分享中有提到氮化镓(GaN)技术在固态烹饪和等离子照明应用中的诸多优势以及普遍认为的氮化镓将对商业和工业市场产生变革的影响。在谈论突破性的半导体
2017-12-27 10:48:11
将帮助商业OEM调整其产品设计，纳入基于硅基氮化镓的射频能量，使他们更轻松地利用这种不熟悉的技术。利用射频能量工具包，照明系统设计人员现在能够有效降低开发复杂性和成本、缩短固态等离子照明的上市时间
2018-02-07 10:15:47
空置的地方，这进一步延长了灯泡的寿命。尽管这是一个极具吸引力的概念，但从以往记录来看，固态芯片的成本结构比磁控管更昂贵，这使射频能量应用成为一种奢侈品。然而，凭借MACOM氮化镓（以硅基的成本构成实现
2017-12-14 10:24:22
。核心基本不变的微波炉在经过50年的稳步发展后，凭借结合射频能量联盟的突破与MACOM硅基氮化镓技术的性能，便极有可能得到彻底变革。MACOM很高兴能够走在技术突破的前沿，并希望通过为全世界打造更智能
2017-11-15 10:08:05
和功率因数校正 （PFC） 配置。 简单的电路提供了将硅控制器用于GaN器件的过渡能力。对于单个氮化镓器件，隔离式负 V一般事务（关闭）EZDrive®电路是一种低成本、简单的方法，可以使用12V驱动器
2023-02-21 16:30:09
MACOM公司支持多种产品组合用于从长距离都市核心网到FTTx接入和数据中心网之间的光通信。MACOM公司的产品组合实现了电领域和光领域之间的高性能模拟接口，提供了满足当今高速网络对尺寸、功率、信号
2017-06-19 14:14:57
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
的特性组合。电动汽车充电等高增长应用中的高性能电力电子设备可以从砷化镓二极管提供的系统级成本降低机会中受益匪浅。对二极管在实际应用中引起的正向导通行为和动态损耗的详细了解，为设计人员提供了优化性能和成本的工具。
2023-02-22 17:13:39
应用市场，GaN器件的市场份额将逐渐提高。长期来看，在宏基站和回传领域，凭借高频高功率的性能优势，GaN将逐渐取代LDMOS和GaAs从而占据主导位置；在射频能量领域，LDMOS凭借高功率低成本优势
2019-04-13 22:28:48
、设计和评估高性能氮化镓功率芯片方面，起到了极大的贡献。
应用与技术营销副总裁张炬（Jason Zhang）在氮化镓领域工作了 20 多年，专门从事高频、高密度的电源设计。他创造了世界上最小的参考设计，被多家头部厂商采用并投入批量生产。
2023-06-15 15:28:08
在于它的导热性不佳。事实上，在所有可用于射频放大或功率切换的半导体中，它的导热性最差。氧化镓的热导率只有金刚石的1/60，碳化硅（高性能射频氮化镓的基底）的1/10，约为硅的1/5。（有趣的是，它可
2023-02-27 15:46:36
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
我们全新的白皮书：“用一个集成驱动器优化GaN性能。”• 通过阅读博文“我们一起来实现氮化镓的可靠运行”，进一步了解TI如何使GaN更加可靠。• 加入TI E2E™ 社区氮化镓 (GaN) 解决方案论坛，寻找解决方案、获得帮助、与同行工程师和TI专家们一起分享知识，解决难题。
2018-08-30 15:05:50
中国上海，2016年2月24日- 领先的高性能模拟、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM日前宣布推出其备受瞩目、应用于宏基站的MAGb系列氮化镓（GaN）功率晶体管。
2016-02-24 10:40:21
992 “固态射频能量技术具有从生活消费品到工业、科学和医疗系统及基础设施的全方位优势，有望在未来撼动整个市场划分。”MACOM市场部资深总监Mark Murphy表示。
2016-06-03 10:11:462018 ：NXPI）今日宣布推出RFE系列射频能量系统解决方案。这些2.45 GHz、250 W平台解决方案能够帮助工程师通过全新的方式来创建原型和开发创新的高性能系统。
2018-06-30 09:18:003715 MACOM是世界领先的高性能射频、微波、毫米波和光子解决方案供应商，于6月12日宣布正式推出其全新的MADT－011000功率检测器。这款检测器适用于微波无线电、测试和测量（T＆M）设备以及雷达系统
2018-07-02 10:18:001261 
方便设计人员针对射频性能和芯片面积同时进行优化，设计并制造出高性能、低功耗无线射频前端开关，从而减少设计反复，很大程度地缩短客户将产品推向市场的时间。
2019-10-21 11:19:022688 macom的总裁兼ceo兼总裁stephen g. daly说：“我们欢迎射频事业组加入macom。今后，我们将全力支持所有产品和代工客户，并以现有技术为基础，加强对射频项目的领导能力。”
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