中芯国际将在2019年量产14纳米FinFET,并勾勒28纳米三阶段蓝图

　　FinFET称为鳍式场效应晶体管（Fin Field-Effect Transistor），是由美籍华人科学家胡正明教授提出的，其中的Fin在构造上与鱼鳍非常相似，所以称为“鳍式”，而FET的全名是“场效电晶体” 。

　　FinFET是一种新的互补式金属氧半导体（CMOS）晶体管，源自于传统标准的晶体管—“场效晶体管”的一项创新设计。

　　中芯国际延揽前三星电子（Samsung Electronics）、台积电技术高层梁孟松后，首次于线上法说会中现“声”说法，他表示非常看好中芯在产业中的机会与位置，但也深具挑战；针对外界最关心的高阶制程进度，共同执行长赵海军表示，先进制程14纳米FinFET将于2019年量产，第二代28纳米HKMG制程也会于2018年底问世，外界都睁大眼睛等着检视成绩单。

　　中芯国际15日的线上法说中，仍是由赵海军主持会议，梁孟松仅简短发言，代表加入新团队后的首次现“声”，也满足外界的好奇心。同时，赵海军也指出，梁孟松是以共同执行长的身分加入，因此不会只是负责技术而已，也会参与策略面。

　　中芯国际董事长周子学表示，作为中国最重要的半导体公司之一，一直在思考如何提升公司竞争力，这几年来也持续聚焦、整合资源，更在今年10月建立了新的领导团队，随着梁孟松的加入，可加强中芯制定技术的能力，拉近与对手的技术差距，相信新团队会带领公司到新高度，梁孟松也可用过去成功、卓越的半导体经验，让中芯国际的未来更美好。

　　梁孟松则是表示，很荣幸接下此职务，中芯在半导体产业中具有很好的位置与机会，但也深具挑战，很高兴与赵海军和团队合作。

　　针对外界询问梁孟松加入中芯国际的最大任务，众所皆知是高阶制程技术的进度。中芯表示，将在2019年量产14纳米FinFET制程技术。意即，梁孟松要用两年的时间，帮中芯国际把14纳米FinFET制程世代追上来，业界认为，很挑战，但不是不可能，因为已经准备很久了，很期待，也会持续关注。

　　在28纳米制程上，中芯也提出三阶段的规划蓝图。赵海军指出，第一阶段的polySion制程已经量产，第二阶段是第一代的HKMG制程（中芯称为HKC制程）已经在今年第2季开始产出，目标是28纳米突破10%营收，而第三阶段是第二代的HKC制程，预计在2018年底量产。

　　除了先进制程的布局，随着梁孟松的加入而大踩油门往前冲之外，中芯也表示，公司投入快闪存储器NOR Flash、微控制器（MCU）、传感器CMOS Sensor、高压（HV）等制程技术平台，这些都是用到既有成熟制程的fab filter产品，且95%的机台是相容于逻辑制程，可以根据客户对于需求来规划，做产能调配。

　　展望未来，中芯国际表示，这两年是进入了过渡期，为下一阶段的成长把技术和产能备妥，而短期方面，看好的成长动力包括28纳米制程、快闪存储器、指纹辨识芯片、电源管理芯片等，会持续将资源聚焦在关键的技术平台。

　　针对2017年第4季的营运展望，中芯国际指出，预计营收成长1~3%、毛利率18~20%。

　　在第3季财报上，营收为7.69亿美元，较上季成长2.5%，毛利率为23%，上季25.8%和去年同期30%减少，每股净利为0.01美元。在制程技术上，28纳米制程营收成长38.9%，0.18微米制程成长33.8%。