65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
,这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。(图片来源:西安邮电大学官网)近年来,我国在氧化镓的制备上连续取得突破性进展,从去年的2英寸到6英寸,再到最新的8英寸,氧化镓制备技术越来越
2023-03-15 11:09:59
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
的性能已接近理论极限[1-2],而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性,可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能,有助消除死区时间且增加PWM频率,从而
2023-06-25 13:58:54
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
200℃。
1972年,基于氮化镓材质的 LED 发光二极管才被发明出来(使用掺有镁的氮化镓),。这是里程碑式的历史事件。虽然最初的氮化镓 LED ,它的亮度还不足以商用,但这是人类第一次制备出能够发出蓝
2023-06-15 15:50:54
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工厂开发的特点;纳微半导体的GaNFast方案则可以通过高频实现充电器的小型化和高效率(小米65W也是采用此方案)。对于氮化镓快充普及浪潮的来临,各大主流电商及电源厂
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30%1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
。联想此举直接将氮化镓快充拉到普通充电器一样的售价,如果以往是因为“贵”不买氮化镓而选择普通充电器,那么这次联想 59.9 元售价可谓是不给你任何拒绝它的理由。氮化镓快充价格走势氮化镓(GaN)具有禁带宽
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
桥式拓扑结构中放大了氮化镓的频率、密度和效率优势,如主动有源钳位反激式(ACF)、图腾柱PFC 和 LLC(CrCM 工作模式)。随着硬开关拓扑结构向软开关拓扑结构的转变,初级 FET 的一般损耗方程可以被最小化。更新后的简单方程使效率在 10 倍的高频率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化镓功率晶体管的引入,氮化镓器件市场发生了巨变;塑料封装氮化镓器件可以成为陶瓷封装氮化镓器件经济高效的替代品,并成为实现新一代高功率超小型功率模块的关键所在。塑料封装、大功率氮化镓器件使设计人员能够
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
封装技术的效率。三维散热是GaN封装的一个很有前景的选择。
生活更环保
为了打破成本和大规模采用周期,一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
2019-03-14 06:45:11
首先报道了基于氮化镓双异质结构、波长为402.5 nm的受激辐射。1996年日本日亚公司中村修二领导研制出世界上第一支GaN基紫光激光器。从此,波长为405 nm的氮化镓紫光激光器的发展和应用推动
2020-11-27 16:32:53
氮化镓电源设计从入门到精通,这个系列直播共分为八讲,本篇第六讲将为您介绍EMC优化和整改技巧,助您完成电源工程师从入门到精通的蜕变。前期回顾(点击下方内容查看上期直播):- 第一讲:元器件选型
2021-12-29 06:31:58
应对能力以及供应链的灵活性和固有可靠性。作为新一代无线基础设施独一无二的出色半导体技术,硅基氮化镓有望以LDMOS成本结构实现优异的氮化镓性能,并且具备支持大规模需求的商业制造扩展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关?氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计?
2021-06-17 10:56:45
。
与硅芯片相比:
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而,虽然 GaN 似乎是一个更好的选择,但它
2023-08-21 17:06:18
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓(GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
深圳市尊信电子技术有限公司专业开发设计电子产品方案钰泰,智融,赛芯微一级代理吉娜:*** 微信:mphanfan欢迎行业客户联系,获取datasheet、报价、样片等更多产品信息氮化镓技术的普及,使
2021-11-28 11:16:55
,传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限,使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告,该技术能够实现智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解决方案控股有限公司(纳斯达克证交所代码: MTSI) (简称“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化镓GaN 合作开发协议。据此协议,意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频晶片。除扩大
2018-02-12 15:11:38
以及能耗成本上的差别。碳化硅基氮化镓的高昂的成本,极大限制了其在商业基站成为主流应用的前景。相比之下,一个8英寸硅晶圆厂几周的产能便可满足 MACOM氮化镓用于整个射频和微波行业一年的需求。MACOM
2017-08-30 10:51:37
可以做得更大,成长周期更短。MACOM现在已经在用8英寸晶圆生产氮化镓器件,与很多仍然用4英寸设备生产碳化硅基氮化镓的厂商不同。MACOM的氮化镓技术用途广泛,在雷达、军事通信、无线和有线宽带方面都有
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端,由于对高功率的需求,氮化镓(GaN)因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
场景1▲图3:测试场景2测试结果1.Vgs控制电压5.1V左右,信号光滑无任何畸变;2.上管关断瞬间负冲0.5V左右,在氮化镓器件安全范围;3.下管关断瞬间引起的负冲在2.2V左右,在氮化镓器件安全
2023-01-12 09:54:23
概述:NCP1342准谐振反激式控制器是一款高度集成的高频PWM(脉冲宽度调制)控制器,能够简化高性能离线电源转换器的设计。NCP1342控制器集成有源X2电容放电特性,可实现低于30mW的空载功耗
2021-01-08 17:02:10
QPD1004氮化镓晶体管产品介绍QPD1004报价QPD1004代理QPD1004咨询热线QPD1004现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50欧姆输入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN
2018-07-27 09:06:34
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率,高效率和更高的一致性,具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率,高效率和更高的一致性,具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化镓晶体管产品介绍TGF2977-SM报价TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨询热线TGF2977-SM现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
由于换了三星手机,之前的充电器都不支持快充了,一直想找一款手机电脑都能用的快充充电器,「倍思GaN2 Pro氮化镓充电器」就是这样一款能满足我的充电器,这篇文章就来说下这款充电器的选购过程
2021-09-14 08:28:31
,GaN-on-Si 将实现成本结构和使用现有大直径晶圆厂的能力,这将是一个很大的优势。由于硅是一种导电基板,因此在处理基板电位以及它与功率器件相互作用的方式方面带来了额外的挑战。第一个具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
Canaccord Genuity预计,到2025年,电动汽车解决方案中每台汽车的半导体构成部分将增加50%或更多。本文将探讨氮化镓(GaN)电子器件,也涉及到一点碳化硅(SiC),在不增加汽车成本的条件下
2018-07-19 16:30:38
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以说氮化镓拥有宽禁带特性(WBG)。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
2寸的芯片,现在已经能制造4寸了。业内普遍认为,要大规模生产功率半导体,至少需要6英寸以上的芯片,因此目前还不能大规模生产。此外,上述用于小型 AC转换器的氮化镓功率半导体使用以下的晶片,其最大尺寸为
2023-02-23 15:46:22
氮化镓(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化镓功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
实现设计,同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本,并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“氮化镓系列”,告诉大家什么是氮化镓(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
的 3 倍多,所以说氮化镓拥有宽禁带特性(WBG)。
禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度,使它具有非常细窄的耗尽区,从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
,其中第一梯队有纳微、EPC等代表企业。[color=rgb(51, 51, 51) !important]然而,现在还有什么是阻碍氮化镓器件发展的不利因素呢?[color=rgb(51, 51, 51
2019-07-08 04:20:32
应用的企图心。到2020年时,氮化镓组件将进军600~900伏特市场,与碳化硅组件的竞争关系升温。问题:1.碳化硅(Sic)、氮化镓(GaN)、都是一种新型的材料。那COOLMOS又是啥?(这几年也很热门)2
2021-09-23 15:02:11
客户测试后再进行下一步沟通。作为光隔离探头的提供方,麦科信工程师对测试过程提供了技术支持。测试背景:3C消费类产品,其电源采用氮化镓(GaN)半桥方案。测试目的:氮化镓半桥上下管的Vgs及Vds,分析
2023-02-01 14:52:03
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
我经常感到奇怪,我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟,大潮之下,没人能独善其身。每年,我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力,我们就能
2022-11-16 06:43:23
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但这个口不可以充电,它是用来转VGA,HDMI,DP之类了,可以外接显示器,拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。第一步:元器件选型对于工程师来说,GaN元器件相较于传统的MOSFET而言有很多不同和优势,但在设计上也带来一定挑战。课程从硅、砷化镓、碳化硅、氮化镓
2020-11-18 06:30:50
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源,包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统,因为频率越高,氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢?
2019-07-31 06:53:15
性。不过硅衬底比碳化硅衬底更便宜。Macom正在计划将生产工艺从6英寸升级到8英寸,从而进一步降低基于硅的氮化镓射频工艺现在大多数基于碳化硅的氮化镓还是采用3英寸或4英寸晶圆生产,因此成本非常高
2016-08-30 16:39:28
使用氮化镓开关管后,只需一颗氮化镓开关管就能取代两颗传统硅MOS了。氮化镓开关管内部没有体二极管,只需一颗即可实现双向开关,完全阻断电池的充电和放电电流。氮化镓具有低导阻高效率优势,使用一颗氮化镓开关管
2023-02-21 16:13:41
量产上市的氮化镓充电器。无论是在包装上还是产品本身设计上,都是十足的“ANKER”风格很有辨识感,第一眼看见就知道是ANKER产品。充电器的外形体积整体圆润十分小巧,手感也十分不错。2、ANKER
2021-04-16 09:33:21
降低性能。行业内外随着射频能量通过加大控制来改进工艺的机会持续增多,MACOM将继续与行业领导者合作,以应用最佳实践并通过我们的硅基氮化镓(GaN-on-Si)解决方案实现射频能量。确保了解有关射频能量
2018-01-18 10:56:28
第 1 步 – 栅极驱动选择 驱动GaN增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)的栅极与驱动硅(Si)MOSFET的栅极有相似之处,但有一些有益的差异。 驱动氮化镓E-HEMT不会消除任何
2023-02-21 16:30:09
实现设计,同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本,并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案
2022-11-10 06:36:09
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术,可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么,为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解?事实又是怎样的呢?
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗?
2024-01-11 07:23:47
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
内的波长标准偏差标准为1.3nm,波长范围为4nm微米。硅衬底氮化镓基LED外延片的翘曲度很小,2英寸硅衬底LED大多数在4-5微米左右,6英寸在10微米以下。 2英寸硅衬底大功率LED量产硅4545
2014-01-24 16:08:55
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗?然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模,有可能实现吗?求教ICCAP软件呢?
2019-11-29 16:04:02
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
了当时功率半导体界的一项大胆技术:氮化镓(GaN)。对于强大耐用的射频放大器在当时新兴的宽带无线网络、雷达以及电网功率切换应用中的使用前景,他们表达了乐观的看法。他们称氮化镓器件为“迄今为止最坚固耐用
2023-02-27 15:46:36
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
我们全新的白皮书:“用一个集成驱动器优化GaN性能。”• 通过阅读博文“我们一起来实现氮化镓的可靠运行”,进一步了解TI如何使GaN更加可靠。• 加入TI E2E™ 社区氮化镓 (GaN) 解决方案论坛,寻找解决方案、获得帮助、与同行工程师和TI专家们一起分享知识,解决难题。
2018-08-30 15:05:50
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