第三代半导体制造中心由多家企业共同组建，争取打破“缺芯少核”现象

半导体产业是现代工业的核心和基础，一直以来，我国电子信息产品制造业规模大，但基础弱，“缺芯少核”现象比较突出，半导体材料与核心器件长期受制于人。

为解决这一高质量发展瓶颈，近日，由东莞多家行业企业、新型研发机构及国内行业领军单位组建的广东省“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”正式在松山湖成立。这也是广东省首个第三代半导体制造业创新中心。

多家企业单位联手组建

广东省“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”由易事特集团股份有限公司牵头联合东莞市天域半导体科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司、东莞南方半导体科技有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、华南理工大学，北京大学(东莞)光电研究院、广东省半导体产业技术研究院组建。

创新中心成立后，将依托国家第三代半导体南方基地建设承担单位——东莞南方半导体科技公司为平台。据了解，该平台由广东省科技厅、东莞市政府支持及引导、易事特、中镓半导体、天域半导体、松山湖控股集团、广东风华高科股份有限公司6家行业内知名企业共同出资发起设立。

根据中国半导体行业协会统计，2016年，中国功率半导体市场规模达1496.1亿元，占全球的55%。但长期以来，由于创新链的各个环节衔接不畅，创新主体分散，形成行业“技术孤岛”、“资源分散”、“上下游脱节”、原始创新能力不足，严重依赖国际技术路径和产品的局面。

从全球范围来看，提升开关频率、降低开关损耗、提高功率密度、减小体积重量已成为现代电子电子技术发展方向，宽禁带半导体器件将掀起高频电能变换领域新一轮产业技术革命。

目前，以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体材料出现，推动半导体领域新技术竞争加剧，欧美日等国家正全力抢占从材料、器件、应用技术的战略制高点，以期掌握新一代宽禁带(也称宽禁带)半导体领域话语权。

应用牵引引领产业集聚发展

随着我国对于宽禁带半导体产业布局的逐渐形成，2016年7月国务院发布的《“十三五”国家科技创新规划》中，明确将宽禁带半导体产业和技术的发展确立为国家重大战略任务和“十三五”发展重点，将在“中国制造2025”、海洋强国、航天强国、军民融合发展、“一带一路”建设等国家战略实施中发挥重要作用，并在推动产业迈向中高端、增添发展新动能、拓展发展新空间、提高发展质量和效益中起到核心引领作用。

牵头组建该中心的易事特集团董事长何思模透露，创新中心将突破传统企业和研究机构相对独立的框架，将创新链、产业链、资金链进行有机整合，创新政产学研用联合机制，系统理论与技术创新，产业集群发展，打造电力电子技术高地、培养研发及产业技术人才，传播新技术，将创新中心建设成为广东省高水平的宽禁带半导体器件应用技术创新研发平台，进而发展成为国际一流电力电子技术研究开发中心。

创新中心还将以应用为牵引，以产业化需求为导向，抓住产业技术核心环节、推动产业上下游产业(芯片、外延生长、芯片设计及加工、器件与模块封装、测试验证、高效电能管理系统集成)、人才、资金等要素集聚，吸收与孵化一批产业链上下游高科技企业的同时，循序协同发展壮大，引领广东省宽禁带半导体产业集群发展，力争形成万亿级产业规模。