据香港《南华早报》网站5月27日报道,现如今,市场上最先进的计算机芯片使用7纳米晶体管。中国科学院微电子研究所微电子设备与集成技术领域的专家殷华湘说,他的团队已经研发出3纳米晶体管——相当于一条人类DNA链的宽度,在一个指甲盖大小的芯片上能安装数百亿个这种晶体管。
2019-05-28 11:33:062405 IBM今日宣布,IBM与其研究联盟合作伙伴Global Foundries以及三星公司为新型的芯片制造了5纳米大小的晶体管。研究团队将硅纳米层进行水平堆叠,而非传统的硅半导体行业的垂直堆叠构架,这使得5纳米晶体管的工艺有了实现可能。这项技术有可能应用于自动驾驶、人工智能和5G网络。
2017-06-07 14:28:091090 1000本电子专业书籍免费大放送https://bbs.elecfans.com/forum.php?mod=viewthread&tid=287358&fromuid=286650055《最优控制理论(中科院)》科学出版社-2003.pdf(4M)希望大家多顶顶,提升提升人气。
2013-01-14 16:19:50
`中科院3D打印机CEST400|国产工业级3D打印机中科院广州电子采用全球领先的3D打印技术和设备,自2001年改制以来,依托国有科研机构技术底蕴,稳定的技术队伍,专注主研方向和产品,在高等教育
2018-08-10 17:27:37
对象与类,构造函数与析构函数,堆与拷贝构造函数,静态数据成员与静态成员函数,继承,多态与虚函数,多重继承,友元,运算符重载,模板,异常处理等内容。中科院C++课件及范实例代码(研究生应,例程特经典)
2008-10-07 10:06:34
点击上方“码农突围”,马上关注这里是码农充电第一站,回复“666”,获取一份专属大礼包真爱,请设置“星标”或点个“在看”2020年1月15日,中国科学院计算技术研究所(以下简称中科院计算...
2021-07-21 06:13:57
大多数快速成长起来的新兴产业一样,关键技术储备欠缺,持续竞争力培育不够,研发投入不足,创新能力不强,同质化竞争加剧,产品良莠不齐……各种各样的问题接踵而至。 这让中科院院长白春礼深感忧虑。就在上周刚刚
2012-07-18 11:31:19
解决RISC-V操作系统的诸多痛点问题。
2021年起北京市与中科院战略合作,发挥北京市应用牵引和芯片定义的优势,北京市经济和信息化局组织产业界成立开芯院,创新“产学研”协同模式,加速“香山”的技术演进
2023-05-28 08:43:00
拿到一款MCU后,如何快速上手?推荐大家来看看中科院唐博士的系列博文《唐博士手把手教你玩转飞思卡尔Kinectis MCU》(K20为例)。以下摘自博文手段:1.题外话从1983年我开始从事Z80
2014-12-25 22:47:18
、3dmax、photoshop、dialux及办公软件OFFICE、WORD、EXCEL; 5、具有独立完成项目设计的成功案例; 6、具有良好的团队协作意识,有项目管理经验者优先。中科院建筑设计
2013-10-23 09:56:10
与团队合作精神;5. 有研发团队的管理工作经历优先。三、福利待遇 参照中科院海西研究院(福建物质结构研究所)相应规定给予薪酬等待遇,年底有项目奖金; 符合泉州市及所属县(市、区)相关政策的创业创新
2017-06-30 16:27:40
://www.szhrss.gov.cn/tzgg/201408/t20140805_2541538.htm7)出站后留深享受深圳市财政支助的科研启动经费30万元/三年(可作为个人津贴);8)中科院深圳先进院开办了优质
2017-07-05 19:51:02
`中科院拥有国内乃至国际一流的创新性研发机构和科研团队、凝聚着全球最优秀的科学家,实力雄厚。如今中科院深化在网络摄像机领域的探索,携手ithink公司震撼推出国内首款内置电池网络摄像机——手立视Q系
2015-02-05 10:09:03
``如题 中科院清库房的设备 另有其他一些电子元器件。有想拿去玩玩的加微信qixiong225 论坛不常上 咸鱼链接https://2.taobao.com/item.htm?id=526428926106&spm=686.1000925.0.0.qjp7si ``
2016-02-17 16:14:49
中科院电子技术考研真题
2011-08-07 15:04:03
芯片加工,MEMS传感器、光电子器件的研究背景或工作经验;4.动手能力强,善于学习沟通,吃苦耐劳,有团队合作精神; 5.有半导体相关工作2年以上工作经验优先考虑; 岗位待遇:中科院苏州纳米所南昌研究院为
2017-07-12 17:19:13
据新华社7月2日报道,相变存储器,具有功耗低、写入速度快、断电后保存数据不丢失等优点,被业界称为下一代存储技术的最佳解决方案之一。记者近日从中科院上海微系统所获悉,由该所研发的国际领先的嵌入式相变存储器现已成功应用在打印机领域,并实现千万量级市场化销售,未来中国在该领域有望实现“弯道超车”。
2019-07-16 06:44:43
供应晶圆芯片,型号有: 可控硅, 中、大功率晶体管,13000系列晶体管,达林顿晶体管,高频小信号晶体管,开关二极管,肖特基二极管,稳压二极管等。有意都请联系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶体管测量模块的基本特性有哪些?晶体管测量模块的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
晶体管的主要参数有哪些?晶体管的开关电路是怎样的?
2021-06-07 06:25:09
晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年,晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且,正是这个时候成为了今日电子时代的开端。之后以计算机为首,电子技术取得急速
2019-05-05 00:52:40
【不懂就问】图中的晶体管驱动电路,在变压器Tr的副边输出电阻R3上并联的二极管D2,说D2的作用是在输入端有正脉冲输入时使得变压器次级产生的的正脉冲通过D2,直接驱动MOSFET管Q2,达到提高导
2018-07-09 10:27:34
,这改善了晶体管性能,且降低了器件功耗。3. III-V族材料上栅堆叠:Intel、Sematech等已在讨论在未来设计中采用InGaAs/高k界面。这种方法也能改善性能降低功耗。4. 量子阱
2014-01-04 09:52:44
,满足未来轻薄化的需求。 芯片晶体管横截面 到了3nm之后,目前的晶体管已经不再适用,目前,半导体行业正在研发nanosheet FET(GAA FET)和nanowire FET(MBCFET
2020-07-07 11:36:10
大幅涨价、鸿蒙加速物联网生态构建、半导体供应链国产替代加速、RISC-V或成AIoT需求碎片化的解决之道五大行业催化剂下,AloT未来发展可期。细分领域中,MCU需求方兴未艾,国产企业垂直领域寻良机
2022-08-18 18:19:45
本帖最后由 江口kk 于 2014-8-11 20:26 编辑
Banana PI开源项目与中科院先研院举行开源硬件介绍交流活动LeMaker团队Banana Pi项目组日前与中国科学院深圳
2014-08-09 21:08:11
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-03-27 06:20:04
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导...
2022-02-16 06:48:11
2)。然后,门重新控制了薄体。 图2.鳍式场效应晶体管 此外,从平面移动到3D可降低亚阈值斜率和Ioff电流。体积将增加,漏电流将小于平面设计。 双栅极与三栅鳍式场效应晶体管 双栅极
2023-02-24 15:20:59
multisim仿真中高频晶体管BFG35能用哪个晶体管来代替,MFR151管子能用哪个来代替?或是谁有这两个高频管子的原件库?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
与销售集团总裁Stacy Smith英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10纳米晶圆,采用超微缩技术,拥有世界上最密集的晶体管和最小
2017-09-22 11:08:53
源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。(2)夹断电压夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。如同4-25所示为N沟道
2019-04-04 10:59:27
了“芯片里程表(Odometer for silicon chip)”的概念,并开发出一种电路用于测量可能影响芯片性能的晶体管老化指标,他希望能将这种电路集成进微处理器芯片设计中,以协助微处理器自动检测运转
2017-06-15 11:41:33
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的电荷量变化小于一个电子,则不会有电流通过量子点。因此,电流-电压关系不是正常的线性关系,而是阶梯形关系。该实验是历史上第一次手动控制电子的运动,为制造单个电子晶体管提供了实验基础。》 绝缘栅双极晶体管
2023-02-03 09:36:05
晶体管通道完全闭合;二维过渡金属二硫化物受损于其比透明导电氧化物还低的载流子迁移率。 在新加坡-麻省理工学院研究与技术联盟,正在先行研发一种有前景的替代材料:GaN。从光学角度看,GaN的带隙为
2020-11-27 16:30:52
达林顿晶体管是一对双极晶体管,连接在一起,从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果,输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
。 为什么使用鳍式场效应晶体管器件代替MOSFET? 选择鳍式场效应晶体管器件而不是传统的MOSFET有多种原因。提高计算能力意味着增加计算密度。需要更多的晶体管来实现这一点,这导致了更大的芯片。但是
2023-02-24 15:25:29
各位高手,小弟正在学习单结晶体管,按照网上的电路图做的关于单结晶体管的仿真,大多数都不成功,请问谁有成功的单结晶体管的仿真仿真啊,可以分享下吗。
2016-03-04 09:15:06
喷墨印刷技术或将可制造新型晶体管
2012-08-20 09:51:53
运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低。场效应晶体管有哪几种分类场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:耗尽
2019-05-08 09:26:37
载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管
2017-05-06 15:56:51
)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管
2009-04-25 15:43:51
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关,从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要,其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备(如 LED
2023-02-20 16:35:09
IGBT是由哪些部分组成的?绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点?如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢?
2021-11-02 06:01:06
绝缘栅双极晶体管(IGBT)有哪些应用呢?如何去实现绝缘栅双极晶体管(IGBT)的电磁兼容设计呢?
2022-01-14 07:02:41
什么是微波功率晶体管?如何提高微波功率晶体管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
来至网友的提问:如何选择分立晶体管?
2023-11-24 08:16:54
晶体管依照用途大致分为高频与低频,它们在型号上的大致区别是什么?例如《晶体管电路设计》中列举的:高频(2SA****,2SC*****)、低频(2SB****,2SD****)。现在产品设计中最常用的型号是哪些?
2017-10-11 23:53:40
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域(数字晶体管的情况)关于数字晶体管
2019-04-09 21:49:36
晶体管可以让工程师开发出速度更快、集成度和效率更高的集成电路,进而设计出更轻薄的笔记本电脑,散发的热量远远低于现在的水平。这些晶体管包含很多由砷化铟镓做成的纳米管,并没有采用传统的材料硅。生产工艺采用
2011-12-08 00:01:44
突破现有的逻辑门电路设计,让电子能持续在各个逻辑门之间穿梭。此前,英特尔等芯片巨头表示它们将寻找能替代硅的新原料来制作7nm晶体管,现在劳伦斯伯克利国家实验室走在了前面,它们的1nm晶体管由纳米碳管
2016-10-08 09:25:15
晶体管的代表形状晶体管分类图:按照该分类,掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类,分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管双是指Bi(2个)、极是指Polar(极性)。双极晶体管,即流经构成
2019-05-05 01:31:57
受益于集成器件保护,直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压(600V)氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
2000一5000(α=0.995-0.9998)。 是以P型衬底作为集电极,因此只有集成元器件之间采用PN结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直
2019-04-30 06:00:00
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。一.绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理: 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料,供感兴趣
2009-05-12 20:44:23
绝缘栅双极晶体管基础IGBT结构及工作原理IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率
2009-05-24 16:43:05
绝缘栅双极晶体管晶体管的发展1947年的圣诞前某一天,贝尔实验室中,布拉顿平稳地用刀片在三角形金箔上划了一道细痕,恰到好处地将顶角一分为二,分别接上导线,随即准确地压进锗晶体表面的选定部位。电流表
2012-08-02 23:55:11
绝缘栅双极型晶体管检测方法
2009-12-10 17:18:39
绝缘栅双级晶体管IGBT
2012-08-20 09:46:02
电极-发射极电流与几乎零栅流驱动器。典型的 IGBT绝缘栅双极性晶体管,即 IGBT,结合了 MOSFET 的绝缘栅(因此得名第一部分)技术和传统双极性晶体管的输出性能特性,因此得名第二部分。这种混合
2022-04-29 10:55:25
导读:近日,英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
比如华为的麒麟芯片晶体管数量、功耗控制,芯片内总线连接?澎湃芯片的失败是不是它的研发团队在这些方面的不足?
2020-03-15 17:31:09
这个达林顿晶体管厂家是哪家
2022-05-30 16:36:56
。2000 年 12 月,英特尔(Intel)公司率先开发出栅极长度为 30 纳米的单晶体管;2001 年 11 月,英特尔宣布己开发出栅长仅为 15 纳米的新型晶体管,同时单个晶体管的实际工作 频率己经
2018-05-11 10:20:05
中科院化学所成功研制出新型高性能锂离子电池负极材料
锂离子电池是目前能量密度最高的绿色二次电池,已广泛应用于笔记本电脑、手机、摄影机等消费电
2008-11-26 08:20:10647 美国麻省理工研发出新型电池
让电池真正“驱动”汽车,这是人们长期以来对电动汽车的期望。日前,美国麻省理工学院的新型
2009-12-15 11:25:19894 法国研究人员开发出新型智能晶体管
法国研究人员最新开发出一种新型智能晶体管,它能够模仿神经系统的运行模式,对图像进行识别,帮助电脑完成更加复
2010-01-27 10:43:27442 在国家自然科学基金委、科技部和中科院的支持下,中科院半导体所吴南健研究员、张万成和付秋喻等成功研制出新型视觉芯片。
2011-09-15 09:22:001217 南车与中科院联合组建研发中心将致力于以碳化硅功率器件为主的新型“绿色中国芯”研发,全力打造强大的新型电力电子器件研发与产业平台
2011-12-23 19:54:56740 据国外媒体报道,MIT 的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的 4 倍左右。
2013-01-04 09:02:442916 液流电池作为一种新型的电化学储能技术,是清洁能源大规模储能的首选技术之一。近日,中科院大连化学物理所研发出新型的长寿命、可自我恢复的锌碘液流电池,有效解决了目前储能电池存在的循环寿命短、功率密度
2018-05-31 16:02:002397 松下宣布研发出新型MIS结构的Si基GaN功率晶体管,可以连续稳定的工作,栅极电压高达10V,工作电流在20A,击穿电压达到730V。
2018-03-15 09:56:086681 港媒称,内地的科学家说,他们已经研发出一种晶体管,这种晶体管将大大增强芯片的性能,并大幅降低它们的能耗。
2019-05-31 11:23:326162 现如今,市场上最先进的计算机芯片使用7纳米晶体管。中国科学院微电子研究所微电子设备与集成技术领域的专家殷华湘说,他的团队已经研发出3纳米晶体管——相当于一条人类DNA链的宽度,在一个指甲盖大小的芯片上能安装数百亿个这种晶体管。
2019-06-13 16:08:275171 众所周知,手机芯片对于手机就像主机对于电脑一样,十分重要。而在前段时间高通发布的合作伙伴中有很大一部分来自中国,像小米,OPPO,vivo等都是其重要的客户。
2019-12-18 16:57:555435 近日,中科院对外宣布,中国科学家研发除了新型垂直纳米环栅晶体管,这种新型晶体管被视为2nm及一下工艺的主要技术候选。这意味着此项技术成熟后,国产2nm芯片有望成功“破冰”,意义重大。
2020-01-14 17:23:254168 近年来,我国在高新技术研发方面不断获得新突破,原本的薄弱领域更是逐步建立起技术壁垒,在全球市场中站稳脚跟,例如国产芯片。
2020-01-14 17:53:503408 近日,中科院对外宣布,中国科学家研发出了新型垂直纳米环栅晶体管,这种新型晶体管被视为2nm及一下工艺的主要技术候选。这意味着此项技术成熟后,国产2nm芯片有望成功“破冰”,意义重大。
2020-01-15 09:40:328863 目前最为先进的芯片制造技术为7nm+Euv工艺制程,比较出名的就是华为的麒麟990 5G芯片,内置了超过100亿个晶体管。
2020-01-16 08:48:442110 中科院今天宣布,国内学者研发出了一种简单的制备低维半导体器件的方法——用“纳米画笔”勾勒未来光电子器件,它可以“画出”各种需要的芯片。
2020-03-11 16:28:333185 最近中科院传来喜讯,中国在核心电子材料技术上取得了巨大的突破,成功研发出了硅-石墨烯-锗复合材料晶体管,这种未来芯片的核心材料让电磁波在内的传播延迟被缩短1000倍。
2020-03-14 15:09:032437 近日,由中科院大连化学物理研究所(DICP)的刘健教授和吴忠帅教授领导的研究小组开发出了用Fe 1-x S修饰的介孔碳球作为锂电反应器的纳米反应器。硫磺电池正极。该纳米反应器展示出优异的多硫化物催化活性和循环稳定性。这项研究于4月16日发表在《先进能源材料》上。
2020-04-20 15:13:173136 据麦姆斯咨询报道,中科院分子影像重点实验室在成功研发出新型近红外二区荧光成像系统及手术导航技术基础上,进一步利用荧光探针吲哚菁绿(ICG),开展近红外二区荧光成像在人体肝癌成像上的应用,解决了近红外二区荧光成像临床转化的问题。
2020-06-01 16:11:346357 中科院微电子所近期发表了先导工艺研发中心团队在垂直纳米环栅器件领域获得的最新进展,该类型器件通过在垂直方向构建晶体管结构,大大减少了器件占用面积,在3nm以下先进集成电路制造工艺领域极具应用潜力
2021-06-04 11:16:233644 据了解,中科院攻克的叠层垂直纳米环栅晶体管技术要比GAA环绕栅极晶体管技术更加先进,这种新型晶体管技术是2nm制程的一项关键技术,也就是说在2nm制程上,我国已经成功取得了突破。
2022-06-23 09:24:541458 去年IBM的2nm芯片横空出世,并且同年传出了中科院2nm芯片的新闻,据观察,后续网上出现了类似“2nm芯片没啥用”这样的言论,那么IBM和中科院2nm芯片是什么意思呢?为什么会有人说2nm芯片没啥
2022-06-23 10:27:2411861 5纳米是指芯片的特征尺寸,特征尺寸越小,制造出来mos管就更小,成本也就更低。5纳米芯片意味着芯片更小,在单位面积内晶体管更为密切,功耗也更低。
2022-06-29 16:59:1441808 也开始联手研发2nm及其相关技术。 国外都在追逐2nm工艺,国内自然也就不能拖后腿。虽然我国芯片行业总体水平还是比较低,但是据报道,中科院已经连续传出了两则关于2nm技术有关的新闻,不过论国产2nm芯片有望成功吗。 中科院所攻克的叠层垂直纳米环栅晶体
2022-06-30 10:01:392424 在芯片设计和制造中,纳米表示的是芯片中晶体管与晶体管之间的距离,在体积相同大小的情况下,7纳米工艺的芯片容纳的晶体管的数量,几乎是14纳米工艺芯片的2倍。
2022-07-06 16:35:55123297 IBM 的概念纳米片晶体管在氮沸点下表现出近乎两倍的性能提升。这一成就预计将带来多项技术进步,并可能为纳米片晶体管取代 FinFET 铺平道路。更令人兴奋的是,它可能会导致更强大的芯片类别的开发。
2023-12-26 10:12:55199
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