联芯获联电28nm技术授权，内地芯片又将遭受创击

晶圆代工厂联电获准授权28 纳米技术予中国子公司联芯集成电路制造(厦门)，联芯28 纳米预计第二季导入量产，将抢攻中国手机芯片市场。

联芯甫于去年底投产，目前以40 纳米制程技术为主，月产能约1.1 万片规模。

联电近日公告，获准技术授权28 纳米技术予中国子公司联芯，技术授权金额2 亿美元。联电表示，联芯将尽快导入28 纳米制程，预计第二季可进入量产，将抢攻中国手机芯片市场;联芯预计至今年底月产能将扩增至1.6 万片规模。

至于2 亿美元技术授权金，联电指出，将依进度认列，只因与联芯为母子公司关系，对损益无影响，仅有现金收入。

N-1规则，14nm量产后的推进

根据***规定，投资大陆的技术要比***的落后一代，也就是所谓的“N-1”规则，联电这次进入大陆，是因为其14nm正式投入量产。

23日也宣布，自主研发的14nm鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术，已成功进入客户芯片量产阶段，良率已达先进制程的业界竞争水平，此制程将帮助客户开拓崭新的应用于电子产品。

联电CEO颜博文表示，这次达成14nm量产的里程碑，象征联电成功携手客户，将先进技术导入市场，同时与其他客户的合作也在顺利进行中，将持续优化此制程，充分发挥14纳米FinFET在效能、功耗和闸密度所具备的优势，以驱动次世代硅芯片于网络、人工智能和各类消费产品等各领域的应用。

联电14纳米 FinFET制程效能竞争力已达业界领先标准，速度较28nm增快55%，闸密度则达两倍，此外，功耗亦较28纳米减少约50%。 此14nm客户芯片现正于联华电子台南的Fab 12A晶圆厂生产中，未来将因应客户需求，稳步扩充其14nm产能。

联电宣布自主研发的14纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程技术， 也宣告联电已决定将厦门联芯的晶圆制程推进到28nm量产，抢食在大陆制造最大一块的手机和网通芯片代工商机。

颜博文强调，14纳米FinFET制程效能竞争力已达业界标准，速度比28 nm增快55%，闸密度达两倍，而且芯片功耗也较28nm减少约50%。

28nm进攻大陆，中芯国际受冲击?

联芯集成电路是联电和厦门政府合作的12寸晶圆厂，计划开始于2015年，而到2016年6月，该工厂已经交付投产，并在7月底投入试产，良率也高达98%。在产能布建上，2016第4季月产能约达3千片，从2017年开始，逐季扩充产能，2018年第二季平均月产能就可达到2.5万片规模。

业界人士认为，联芯55/40纳米制程可用来生产嵌入式芯片、CMOS影像感测器、通讯芯片等，高通将成为联芯主要客户之一。

目前，联电28纳米制程采用崭新的应力技术(SMT， t-CESL， c-CESL) 与嵌入式SiGe，以强化电子迁移率的表现，专为需要高效能与低功耗之应用产品所开发。目前已采用28HLP SiON 与28HPM/HPC HK/MG 制程量产多家客户产品。联电现正积极扩增28纳米产能，以满足客户对此广受欢迎制程的高度需求。

28HLP-采用强化的SiON技术

联电高效能低功耗(HLP) 制程为40纳米平顺的制程移转途径，具备了便于设计采用，加速上市时程，以及优异的效能/成本比。针对有高速要求的客户应用产品，此制程提供了大幅提升的效能与功耗，速度可较业界其他晶圆专工厂提供的28nm SiON制程提升10%。

28HPM/HPC -采用高介电系数/金属闸极堆叠技术

联电28HPM/HPC 技术广泛支援各种元件选项，以提升弹性及符合效能需求，同时针对多样的产品系列，例如应用产品处理器、手机基频、WLAN、平板电脑、FPGA 及网通IC等。具备高介电系数/金属闸极堆叠及丰富的元件电压选项、记忆体位元组及降频/超频功能，有助于系统单芯片设计公司推出效能及电池寿命屡创新高的产品。

在联芯进入28nm之后，因为联电的良率明显比中芯国际的稳定，而这个制程更是中端手机芯片和高端网络芯片的必备制程，他们进入大陆，势必会给中芯国际造成冲击。对于中芯来说，需要应对的问题又多了一个。