MRAM HS4MANSQ1A-DS1用于固态硬盘（SSD）可延长寿命
2024-03-18 10:24:36
48 
蔡司三坐标测量机是一种高精度测量设备。正确使用蔡司三坐标测量机可延长三坐标测量机的使用寿命。测量工件时获得更精确的结果。也可以养成良好的工作习惯。
2024-03-12 15:41:2095 
意法半导体（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性，还致力于提供高度的系统集成性和灵活性，以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想问一下，半导体设备需要用到温度传感器的有那些设备，比如探针台有没有用到，具体要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
近日，Nexperia（安世半导体）宣布推出能量平衡计算器。这是一款功能强大的网络工具，旨在帮助电池管理工程师最大限度地延长其应用的电池寿命或实现无电池应用。
2024-03-05 11:11:30182 
CR2032 和 CR2025 纽扣锂电池的能量密度提高，保质期得到延长，因此，可广泛应用于多种低功率应用，比如低功率Wi-Fi、LoRa、Sigfox、Zigbee、LTE-M1等技术的相关器件，以及NB-IoT收发器等。
2024-03-01 14:43:34188 
我正在开发一个使用 LoRa模块的物联网项目， 但我发现 LoRa 模块的功耗比较高， 这可能会导致电池消耗得很快.我正在寻找一些建议来帮助我降低 LoRa 模块的功耗以延长电池寿命.我已经考虑了
2024-03-01 07:38:34
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N总线接口产品是根据ARINC 429总线规范设计的硅栅互补式金属氧化物半导体器件。除了
2024-02-19 10:30:40
服务范围MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块。检测标准l AEC-Q101分立器件认证l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101认证试验广电计量在SiC第三代半导体器件的AEC-Q认证上具有丰富的实战经验，为您提供专业可靠的AEC-Q101认证服务，同时，我们也开展了间歇工作寿命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
安建半导体 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET产品平台，平台采用先进的技术和设计，提供了卓越的开关特性和低导通电阻，从而实现了高效的能源转换和低能耗操作，不仅可以显着提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性，在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片，产能充裕，供应稳定，性价比高。
2024-01-20 17:54:00916 
中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术。采用高能效的控制器可为新能源汽车带来诸多益处，以动力电池容量60kWh~90kWh的中型电动汽车为例，续航里程可延长5到10公里，在夏冬两季的效果尤为明显。
2024-01-18 10:04:05276 MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件；其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备驱动电路简单，驱动功率小，开关速度快，工作频率高、热稳定性高于GTR等优点
2024-01-09 10:22:43111 
半导体放电管是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件，其伏安特性与晶闸管类似，具有典型的开关特性。当浪涌电压超过转折的电压VBO时，器件被导通，这时它呈现一般PN结二极管的正向电压降（VF
2024-01-04 16:52:07
近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:57316 场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种广泛应用于电子电路中的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为N沟道和P沟道两种类型。本文将对N沟道和P沟道
2023-12-28 15:47:152269 
场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件。根据导电沟道的类型，场效应晶体管可以分为n沟道和p沟道两种类型。本文将对n沟道MOS
2023-12-28 15:28:282843 
随着电池供电型应用的激增，人们对质优价廉的电池和电池包的需求持续猛涨。电池制造商们不断采用新的化学物质，推出更小的尺寸，新的、复杂的限制和要求也随之产生，但是对电池基本功能的要求未曾改变，即：在不影响系统性能的前提下，延长运行时间和货架期。
2023-12-26 16:28:00238 
半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种器件，那么你对半导体有多少了解呢？今天我们就从最基础的半导体功率器件入手，全面了解半导体的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。
2023-12-13 10:38:17312 根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-05 10:33:32177 据介绍，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半导体SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后安世半导体将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。
2023-12-04 16:49:11519 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用 3 引脚 TO-247 封装的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分别为 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 、晶闸管等等，主要用于工业和电力系统（正因如此，早期才被称为电力电子器件）后来，随着以功率MOSFET器件为代表的新型功率半导体器件的迅速发展，现在功率半导体器件已经非常广泛，在计算机、通行、消费
2023-12-03 16:33:191134 
让IoT传感器节点更省电：一种新方案，令电池寿命延长20%！
2023-11-30 17:12:17317 
按施敏教授的观点，半导体器件有四个最基本的结构单元：金半接触、PN结、异质结、MOS结构。所有的半导体器件都可以看作是这四种基本结构的组合，比如BJT由两个背靠背的PN结构成，MOSFET由MOS结构和两对PN结构成。
2023-11-30 15:56:171032 
MOS结构加上一对背靠背的PN结，就构成一个MOSFET。如果MOS结构在零栅压时半导体表面不是反型的，此时由于PN结的反向截止效果，源漏之间不会导通。当外加栅压使半导体表面反型时，源漏之间就有
2023-11-30 15:54:49398 
利用升压转换器延长电池使用寿命
2023-11-23 16:19:59147 
半导体分立器件是电子元器件中的重要组成部分，它们在电子设备中发挥着重要的作用。本文将介绍半导体分立器件的基本概念、分类、应用和发展趋势。
2023-11-23 10:12:56792 
解一下什么是沟道。沟道是在半导体材料中形成的电子流的通道。通过在材料中创建和控制沟道，我们能够控制电流的流动，从而实现半导体器件的功能。在常见的场效应晶体管（Field-Effect Transistor, FET）中，沟道是连接源极和漏极的部分。 p沟道和
2023-11-23 09:13:422311 硬件面试中有遇到过这样的事吗？通常让你画一个增强型的MOSFET，或是N沟道MOSFET或是P沟道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
N沟道MOSFET截止，电感电流下降，电感中的能量转移到电池中。当电感电流下降到外部电流检测电阻设置的下限时，外置N沟道MOSFET再次导通，如此循环。当BAT管脚电压第一次达到内部设置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
使用串联方法延长卤素灯的使用寿命及减少频繁更换灯泡问题
2023-11-21 06:19:04
电子发烧友网站提供《如何延长医疗平板电池寿命.pdf》资料免费下载
2023-11-15 14:23:30
0 在电子工程和微电子技术的世界里，半导体器件建模是一个核心概念。它涉及对半导体器件如晶体管、二极管等的电气行为进行数学和物理描述。这一过程对于设计高效、可靠的电子设备至关重要。本文旨在深入探讨半导体器件建模的概念、其重要性以及在现代技术中的应用。
2023-11-13 10:48:27515 
锂电池容易坏吗？如何延长锂电池的使用寿命？ 锂电池是目前广泛应用于电子产品和电动车等领域的一种重要电池类型。它具有高能量密度、轻巧、无记忆效应等优点，但是在一些特定使用条件下，锂电池容易出现一些问题
2023-11-10 15:05:15711 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:10459 中国上海， 2023 年 11 月 7 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备
2023-11-09 15:19:57663 
一、功率器件在半导体产业中的位置功率半导体器件，简称功率器件，又称电力电子器件，属于半导体产品中的分立器件。功率集成电路也就是如下图的【功率IC】，典型产品有【电源管理芯片】和【各类驱动芯片
2023-11-08 17:10:15822 
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22319 型晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、P沟道-耗尽型MOSFET四种类型。
2023-11-07 14:51:15638 
FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中，可以控制电流流动并放大信号。
2023-11-03 14:56:23293 
半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种器件，那么你对半导体有多少了解呢？今天我们就从最基础的半导体功率器件入手，全面了解半导体的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 如今，半导体元器件已成为电子应用中不可或缺的一部分。半导体元器件的需求主要受生命周期较短的消费电子影响。
2023-10-26 09:55:37368 如今，半导体元器件已成为电子应用中不可或缺的一部分。半导体元器件的需求主要受生命周期较短的消费电子影响。
2023-10-24 16:43:51604 怎么才能延长这个读写寿命
2023-10-24 07:50:49
如何延长FLASH的读写寿命?
2023-10-23 06:46:23
功率半导体器件与普通半导体器件的区别在于，其在设计的时候，需要多一块区域，来承担外加的电压，如图5所示，300V器件[1]的“N-drift”区域就是额外承担高压的部分。与没有“N-drift”区的普通半导体器件[2]相比，明显尺寸更大，这也是功率半导体器件的有点之一。
2023-10-18 11:16:21878 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 在读写次数不变的情况下，如何尽可能的延长flash读写寿命
2023-10-13 07:22:56
一 F-200A-60V 半导体器件测试机专为以下测试需求研制： 二 技术参数
2023-10-12 15:38:30
根据专利摘要，该公开是关于半导体元件及其制造方法的。半导体器件包括电装效应晶体管。电场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。漏极和源极分别位于氧化物半导体通道的两端。
2023-10-11 14:23:08417 
SiC器件是一种新型的硅基MOSFET，特别是SiC功率器件具有更高的开关速度和更宽的输出频率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN结组成。
在众多的半导体器件中，碳化硅材料具有低热导率、高击穿
2023-09-26 16:42:29342 
在日常的电源设计中，半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题，本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制，以及在设计应用中注意事项。
2023-09-19 11:44:382578 
半导体是我们生活中使用的电器里比较常用的一种器件，那么你对半导体有多少了解呢？今天我们就从最基础的半导体功率器件入手，全面了解半导体的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25889 参考半导体行业可靠性试验条件和抽样原则，制定产品可靠性规范并依此对产品进行完整可靠性验证。 可靠性试验目标： 模拟和加速半导体元器件在整个寿命周期中遭遇的各种情况(器件应用寿命长短)。 可靠性试验目的： 使试制阶段的产品
2023-09-12 10:23:45698 
本文介绍如何在现有系统中添加nanopower转换器以延长器件的电池寿命，从而将电池运行时间延长多达20%。 采用电池供电的电路必须具备高能效，这样电池才能长时间持续供电。为此，应当选择节能型元器件
2023-09-05 18:10:03200 
稳定性和效率兼备，雷卯MOSFET改变您的产品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
。
为了最大程度地延长电池寿命，设计师需要将系统的平均电流消耗降至最低。要实现这个目的，采用多种低功耗工作模式及选用合适的元器件就非常重要。就低功耗工作模式而言，其中就包括关
2023-08-29 15:34:11255 ，减少人力资源消耗，为半导体行业降本增效。Novator系列全自动影像仪创新推出的飞拍测量、图像拼接、环光独立升降、图像匹配、无接触3D扫描成像等功能，多方面满足客户测量需求，解决各行业尺寸测量难题。
2023-08-21 13:38:06
近日，基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）宣布推出NBM7100和NBM5100。这两款IC采用了具有突破意义的创新技术，是专为延长不可充电的典型纽扣锂电池寿命而设
2023-08-14 16:03:15246 
随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 
先楫半导体使用上怎么样？
2023-08-08 14:56:29
升高。根据电子设计规则，温度每升高10°C，平均寿命将降低50%，因此正确评估半导体器件的热应力或结温非常重要。
2023-08-07 15:18:381962 
功率半导体包括功率半导体分立器件（含模块）以及功率 IC 等。其中，功率半导体分立器件，按照器件结构划分，可分为二极管、晶闸管和晶体管等。
2023-07-26 09:31:035041 
的优势，以及PassThru模式如何延长储能系统的使用寿命，特别是超级电容的总运行时间。 延长电池的使用寿命，意味着储能系统性能更强、运行时间更长、成本更低。通常有三种方法可以延长电池寿命：改进电池技术，设计更优良的器件，以及提供创新的能源管理系统。
2023-07-21 18:15:02286 
具有 ULQ™ 模式、可延长电池寿命的 4.5V 至 24V、8A 同步降压稳压器
2023-07-20 18:24:35
实现长达10倍电池寿命，扩展在物联网设备中的应用范围 奈梅亨， 2023 年 7 月 12 日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出NBM7100和NBM5100。这两款
2023-07-12 09:51:11276 
近日，基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）宣布推出NBM7100和NBM5100。这两款IC采用了具有突破意义的创新技术，是专为延长不可充电的典型纽扣锂电池寿命而设
2023-07-11 11:09:30533 
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种场效应晶体管（FET），由三个端子-栅极、源极和漏极组成。在MOSFET中，漏极由栅极端的电压控制，因此MOSFET是一种电压控制器件。施加在栅极
2023-07-07 10:13:352972 
电池保护器对于延长电池寿命起着重要的作用。通过监测和控制电池的状态，电池保护器可以防止电池过充、过放、过流等问题，从而减少对电池的损害。这样可以避免电池过度充放电，保持电池在安全范围内工作，延长电池的使用寿命。
2023-07-06 16:31:481437 随着越来越多的人对替代能源和电动汽车感兴趣，对可靠、持久电池的需求持续增长。LiFePO4电池因其令人印象深刻的性能和安全特性而成为许多应用的热门选择。然而，像所有电池一样，LiFePO4电池的寿命有限。在本文中，我们将探讨影响LiFePO4电池寿命的因素，并提供有关如何延长其使用寿命的提示。
2023-07-04 09:13:22599 
要延长设备电池寿命，至少需要使用低功耗微控制器、传感器、无线电和高效电源等组件进行设计。通过高效的电源管理技术平衡电池容量和尺寸也至关重要，尤其是在设计变得越来越小、越来越轻的情况下。此外，当电池
2023-06-30 11:08:46362 
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术，可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么，为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解？事实又是怎样的呢？
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
（VLSI）设备采用的设计方式有极大的不同，它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图，传输特性和器件符号。双极结型晶体管（BJT)自身的局限性驱动了功率
2023-06-17 14:24:52591 
广，不管是在居民区、商业区或是高速公路服务区，都能使用充电桩为新能源电动汽车便捷充电。安森德凭借在半导体功率器件和封装领域的技术积累，研发出同类别性能优异的超级结MOSFET，具备更高性能、能效和更低
2023-06-13 16:30:37
兰奈梅亨--(美国商业资讯)--Nexperia(安世半导体)，分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布其已采用 Trench 11 技术实现具有史上最低导通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 日：基础半导体器件领域的专家 Nexperia（安世半导体）推出了用于自动化安全气囊应用的专用 MOSFET (ASFET) 新产品组合，重点发布的 BUK9M20-60EL 为单 N 沟道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372 分立器件行业概况
半导体分立器件是半导体产业的基础及核心领域之一，其具有应用领域广阔、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
从市场需求看，分立器件受益于物联网、可穿戴设备、智能家居、健康护理、安防电子
2023-05-26 14:24:29
由于聚合物锂电芯采用胶体电解质，内阻较液态电芯更小。内阻降低意味着电池的自耗电减少，可延长电池待机时间，输出更高的性能。目前世豹无人机锂聚合物电池的内阻水平已达到行业优秀指标。
2023-05-17 11:36:51499 
据统计，IGBT、MOS管、电源管理IC等在储能逆变器里占比高、数量多，是必不可少的半导体器件。
2023-05-08 15:46:30862 
在本文中，我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路，该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 
在太阳能发电系统中，大部分费用都在面板和电池上。任何具有成本效益的太阳能解决方案都可以最大限度地提高这些组件的容量利用率和使用寿命。例如，高质量的充电器可延长电池运行时间，降低容量要求，并延长电池
2023-04-19 11:32:341626 
意法半导体的TSU111H 5V车规运算放大器具有微电流消耗和最高150°C的工作温度，实现了一个器件兼具多种特性。 TSU111H 符合 AEC-Q100 零级温度标准(-40°C 至150
2023-04-17 13:38:51817 
制造产业的转移、下游行业需求的拉动以及国家推出的支持政策，半导体分立器件行业已经进入快速发展通道。目前，我国已经成为全球重要的半导体分立器件制造基地和全球最大的半导体分立器件市场，根据中国半导体行业协会
2023-04-14 13:46:39
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 锂离子电池自然老化，预期寿命 大约三年。但是，这种生命可以很短—— 不到一年 - 如果电池处理不当。它变成了 电池通常在应用中被滥用 否则，智能调节将显着延长电池寿命。LTC4099 电池 充电器
2023-04-12 10:57:57607 
评估，以改善动态特性和可靠性，并开发有助于实现碳中和的更具吸引力的高性能功率半导体器件。新研发的格子花纹嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意图1,2kV级SiC MOSFET特性对比
2023-04-11 15:29:18
）和看门狗定时，以确保高系统可靠性。稳压器必须在轻负载下具有高效率，以延长电池寿命。LT3689 采用纤巧型 16 引脚 3mm × 3mm QFN 封装和 16 引脚 MSOP 封装，可提供所有这些特性。
2023-04-10 11:57:46681 
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是一种场效应晶体管 (FET) 电子器件。它可以充当压控电流源，并主要用作开关或用于放大电信号。MOSFET的控制是通过向栅极施加特定的电压来进行
2023-04-06 10:06:381381 对于锂电池来说，充电方法对其性能影响很大，合理的充电方法可延长锂电池的寿命、提高充电效率。本文分析了锂电池的各种充电方法，并在充电速度、使用寿命和实现成本上对各自的优缺点进行了比较，供大家参考交流。
2023-03-31 15:14:524744 
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