英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET,满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源
2024-03-15 16:31:45203 意法半导体(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动器,这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性,还致力于提供高度的系统集成性和灵活性,以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称“东芝”)近日宣布,其最新研发的DTMOSVI系列高速二极管型功率MOSFET已正式推出。该系列产品特别适用于数据中心和光伏功率调节器等关键应用的开关电源,展现了东芝在功率半导体领域的深厚实力与持续创新。
2024-03-12 10:27:36255 意法半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 Qorvo QPF1002Q车用前端模块 (FEM)Qorvo QPF1002Q车用前端模块优化用于C-V2X(蜂窝车联网)系统。C-V2X系统可检测环境,实现联网汽车的下一代自主和实时监控
2024-02-26 19:44:59
在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38:53343 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),
2024-02-22 18:22:41976 MOSFET功率放大器是一种使用MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)技术的电子设备,用于增强输入信号的幅度。MOSFET放大器是音频源如唱片播放器或CD播放器以及均衡器、前置放大器和扬声器等其他设备的重要组成部分。
2024-02-19 15:50:56476 引言:EV和充电桩将成为IGBT和MOSFET最大单一产业链市场!EV中的电机控制系统、引擎控制系统、车身控制系统均需使用大量的半导体功率器件,它的普及为汽车功率半导体市场打开了增长的窗口。充电
2024-02-19 12:28:04191 光伏IR相机是一种特殊的光电设备,它使用红外线(IR)技术来检测和捕捉光伏电池板上的热图像。这种相机的主要功能是检测光伏电池板上的热分布和异常,帮助工程师和科学家更好地了解光伏电池板的性能和存在的问题。
2024-01-23 11:36:23235 功率MOSFET是一种广泛应用于电力电子转换器的高性能开关器件。它具有高输入阻抗、低导通电阻、快速开关速度和良好的热稳定性等特点,因此在各种高压、高频、高效率的电源系统中发挥着重要作用。 结构
2024-01-17 17:24:36294 电子发烧友网站提供《FP6151内置内部功率MOSFET产品手册》资料免费下载
2024-01-15 14:47:230 2104全桥驱动电路原理 IR2104是一种高速、低成本的高和低电平电荷泵驱动器。它可通过逻辑输入信号控制两个N沟MOSFET或IGBT的驱动信号,实现全桥输出。IR2104内部集成了一个高压引发电荷泵、逻辑电平和电流检测电路。其主要包括低侧和高侧驱动器。 低侧驱动器:
2024-01-05 16:11:041106 目前在使用上发现三例功率MOSFET(SIR442DP) Q5损坏且芯片EXTVCC管脚与GND短路
损坏后的MOSFET呈以下特性
:1、用万用表二极管档测量:VDD-S 为无穷大,VDS-D
2024-01-05 07:30:21
英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化,主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 电子发烧友网报道(文/梁浩斌)在我们谈论第三代半导体的时候,常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT(高电子
2023-12-27 09:11:361219 用了恒压技术,确保在各种电压和电流条件下,都能为电动车提供稳定的充电电压。这不仅延长了电动车的使用寿命,还提高了充电的安全性。
概述:SL3041 是一款内部集成有功率MOSFET管可设定输出电流的降压
2023-12-21 15:27:51
MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管) 和 IGBT (绝缘栅双极晶体管) 是两种常见的功率半导体器件。它们在不同的应用场景中具有不同的特点和优势。本文将对MOSFET和IGBT进行详尽
2023-12-15 15:25:35366 如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-12-06 18:22:24522 功率MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛,因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果,对于MOSFET的进一步推广应用具有重要意义。
2023-12-04 15:57:241113 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 问题1:在功率MOSFET管应用中,主要考虑哪些参数?在负载开关的功率MOSFET管导通时间计算,通常取多少比较好?相应的PCB设计,铜箔面积布设多大散热会比较好?漏极、源极铜箔面积大小是否需要一样?有公式可以计算吗?
2023-12-03 09:30:40408 BTD25350双通道隔离,原方带死区时间设置,副方带米勒钳位功能,非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器,峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42:59
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识
2023-11-23 09:06:38407 电子发烧友网站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源.pdf》资料免费下载
2023-11-13 15:11:290 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构,采用厚低掺杂的N-外延层epi,保证器件具有足够击穿电压,低掺杂N-外延层epi尺寸越厚,耐压额定值越大,但是,导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长,导通电阻急剧增大,电流额定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 MOSFET中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管或MOS管,可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件,通常工作电流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外,对于散热量极低的笔记本电脑来说,这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤,并通过
2023-11-01 08:24:31345 1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 功率MOSFET选型的几点经验在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。由于相应理论技术文章有很多介绍MOSFET参数和性能的,这里不作赘述,只对实际
2023-10-26 08:02:47373 在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
2023-10-25 10:43:16765 和小功率MOSFET类似,功率MOSFET也有分为N沟道和P沟道两大类;每个大类又分为增强型和耗尽型两种。
2023-10-25 10:42:27493 智能车创意组识别图an用openmv 还是用 opencv 比较好
2023-10-24 06:24:31
汽车电子MOSFET发展的一个最终方向是提高感测、控制和保护功率开关的性能。功率器件正集成到智能化车载系统中。现在在最低功率级别,MOSFET可以与功率器件上的感测元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42621 MOSFET也已经发展到了第3代,新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单,可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,
2023-10-17 23:10:02268 在过去的十几年中,大功率场效应管引发了电源工业的革命,而且大大地促进了电子工业的发展。由于MOSFET管具有更快的开关速度,电源开关频率可以做得更高,可以从50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09:39
电子发烧友网站提供《P沟道增强模式功率MOSFET G040P04M规格书.pdf》资料免费下载
2023-09-19 17:29:110 如何避免功率MOSFET发生寄生导通?
2023-09-18 16:54:35590 SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明,
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET,根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低,使其特别适用于需要更多高效,更紧凑,LED照明,高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明,
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
全球知名半导体制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块
2023-09-14 19:15:14351 这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快快恢复时间(trr),以及出色的品质因数(RDS(on) x Qg),能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53
1 功率分立产品概述
2 IGBT 产品系列
3 HV MOSFET 产品系列
4 SiC MOSFET 产品系列
5 整流器及可控硅产品系列
6 能源应用
2023-09-07 08:01:40
【 2023 年 8 月 3 日,德国慕尼黑讯】 小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外,更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸
2023-09-06 14:18:431202 功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外,对于散热量极低的笔记本电脑来说,这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤,并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例,详细说明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 雪崩强度是MOSFET的一种特性。在MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压,但是MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy],流过的电流称为雪崩电流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保证雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 为了划分所涉及的功率并创建可以承受更多功率的器件,开关、电阻器和 MOSFET 并联连接。
2023-08-29 11:47:48302 垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应,如果把水平的沟道变为垂直沟道,从侧面控制沟道,就可以消除JFET效应。
2023-08-28 10:10:392920 功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13:06552 产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 随着现代电子设备对小型化和高效率的要求不断提高,对电源管理芯片的技术也提出了更高要求。针对此趋势,安森德半导体公司推出了新一代异步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。这款100V N沟道功率MOSFET凭借其卓越的静态和动态性能参数,将助您的设计实现更高功率密度和转换效率。
2023-08-14 15:04:45367 这是Mosfet功率放大器5200W RMS的电路设计,原理图是单通道的。该电路使用 16x IRFP250 在 2 欧姆负载下获得 5200W RMS 功率输出。
2023-07-31 16:18:07845 这是600W MOSFET功率放大器的电路图。该电路将为阻抗为 4 欧姆的扬声器提供超过 600 瓦的音频输出。该高功率放大器电路仅在输出级使用6个N沟道MOSFET IRFP450,即可为您提
2023-07-28 17:04:191357 电子发烧友网站提供《DGD2103和DGD2104在IR2103和IR2104中的应用.pdf》资料免费下载
2023-07-24 16:11:121 MOSFET是电路中非常常见的元件,常用于信号开关、功率开关、电平转换等各种用途。由于MOSFET的型号众多,应用面广,本文将详细介绍MOSFET选型原则以及mosfet选型要考虑的因素。
2023-07-20 16:33:44734 供应ID5S609SEC-R1 600V高低侧栅极驱动芯片可代换IR2304,提供id5s609芯片资料关键参数 ,广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、半桥功率逆变器
2023-07-20 14:20:134 供应ID5S609SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片可替代ir2304,提供ID5S609SEC-R1 关键参数 ,广泛应用于中小型功率电机驱动、功率MOSFET
2023-07-20 14:19:19
供应ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片可代换IR2104,提供ID7U603SEC-R1关键参数 ,更多产品手册、应用料资请向芯朋微代理商深圳市骊微电子申请。>>
2023-07-20 14:10:05
继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后,2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ,相较于传统的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年,是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业,主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGBT、二极管
2023-07-06 16:45:02520 研发及产业化项目、研发中心建设及第三代半导体功率器件研发项目等。 华羿微电成立于2017年,是一家聚焦高性能功率器件研发、设计、封装测试、销售为主的半导体企业,主要产品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模块、IGB
2023-07-06 01:16:001409 MOSFET的漏伏安特性(输出特性):截止区(对应GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。功率MOSFET在开关状态下工作,即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37975 功率MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式:热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2023-06-29 15:40:541276 功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三个管脚,分别为栅极( Gate
2023-06-28 08:39:353665 功率MOSFET最常用于开关型应用中,发挥着开关的作用。
2023-06-27 17:41:20369 英飞凌科技汽车 MOSFET 产品线高级副总裁 Axel Hahn 表示:“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列将在功率密度、电流能力和芯片耐用性方面树立新标杆。
2023-06-26 13:10:00302 什么是IR-drop?其实,IR这个词并不是什么缩写,这里的I就是指电流,R是指电阻,他们放在一起相乘,得出来的结果就是电压。
2023-06-16 09:26:262660 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30228 UTC 10N65-ML是一款高压功率MOSFET,它结合了先进的沟槽MOSFET,设计具有更好的特性,如快速开关时间、低栅极电荷、低导通状态电阻和高崎岖雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
2023-06-14 16:45:450 本文章将依次介绍如何将Pytorch自训练模型经过一系列变换变成OpenVINO IR模型形式,而后使用OpenVINO Python API 对IR模型进行推理,并将推理结果通过OpenCV API显示在实时画面上。
2023-06-07 09:31:421057 最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET,OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装,相比于其它采用微型封装的器件,具有
2023-06-06 11:01:361026 PRISEMI芯导产品推荐 | TOLL封装MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚,分别为栅极(Gate
2023-06-05 15:12:10671 我们将讨论设计MOSFET功率放大器电路时必须考虑的各种参数,还分析了双极结型晶体管(BJT)和MOSFET特性之间的差异,并了解了为什么MOSFET更适合功率放大器应用并使其更有效。
2023-06-05 09:07:19737 Vertical MOSFET(垂直MOSFET) 5. Power MOSFET(功率MOSFET) 6. Junction Field Effect Transistor (JFET)(结型场效应晶体管
2023-06-02 14:15:36937 在这篇文章中,我们将讨论设计MOSFET功率放大器电路时必须考虑的各种参数。我们还分析了双极结型晶体管(BJT)和MOSFET特性之间的差异,并了解了为什么MOSFET更适合功率放大器应用并使其更有效。
2023-05-24 17:25:422111 分享功率MOSFET驱动保护电路方案大全,希望能帮助大家
2023-05-24 10:22:02
SID-IR系列紧凑型红外皮秒光纤激光器SID-IR系列紧凑型红外皮秒光纤激光器集成了创新的电子脉冲产生系统,可提供10皮秒脉冲。重复频率从单发到2 GHz连续可调,并且可选多种波长。SID系统完全
2023-05-24 09:28:59
这款简单的MOSFET功率音频放大器电路具有TL071C和2个MOSFET(IRF9530和IRF530),可在45Ω扬声器上提供高达8W的功率,在70Ω扬声器上提供高达4W的功率。该原理图
2023-05-23 16:50:331164 Boost升压电路,DC60-DC72大功率用于电动车增速使用,MOSFET管烧坏导致短路,这种管子网上找不到啊,可以用什么代替?
LR080N10S3-A
LR080N10S3-D
2023-05-21 11:55:34
半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件,具有开关速度快、易于驱动、损耗低等优势。IGBT全称是绝缘栅极
2023-05-18 09:51:583446 同步整流技术就是用功率MOSFET代替普通二极管或者肖特基二极管进行整流,所以,研究同步整流技术,就必须首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 近日罗姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET产品(40V/60V/80V/100V/150V),备受各个厂家的青睐。本文将为各位工程师呈现该系列
2023-05-17 13:35:02471 功率MOSFET的雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解雪崩强度的定义,失效的现象及评估的方法是功率MOSFET电路设计必备的能力。 本文将以下面三个方面进行探讨。
2023-05-15 16:17:451133 在功率MOSFET的数据手册中会有一个看似复杂的SOA(Safe Operation Area)图片,这个安全工作区域图告诉我们只有MOSFET工作在曲线内才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA图。
2023-05-15 16:16:311174 数据手册就是电子元件的使用说明书,在电路设计之前,十分有必要通读数据手册,并了解产品的重要性能参数。在MOSFET的数据手册中极限值表格中的总功率损耗Ptot就是一个十分有趣的参数。说它有趣是因为
2023-05-15 16:10:25626 功率MOSFET怎样关断?能否用PWM实现?怎样实现?
2023-05-08 16:16:27
我正在尝试使用 ESP-01 驱动 MOSFET 来控制 12V 电源。附上原理图。这是我的简单代码 -
代码:全选#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
在本文中,我们将学习如何使用 P沟道和 N 沟道 MOSFET 构建通用全桥或 H 桥 MOSFET 驱动电路,该电路可用于制造电机、逆变器和许多不同的功率转换器的高效驱动电路。
2023-04-29 09:35:005288 本篇是读懂MOSFET datasheet系列最终篇,主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。 主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。 参数列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 像蜡烛一样,功率MOSFET(功率场效应晶体管)是切换负载最常见的方式,其四周围绕着众多分立电阻器与电容器(以及用于控制功率MOSFET的双极结型晶体管(BJT)/第二个场效应晶体管)围绕的功率MOSFET)。但在多数情况下,使用全面集成的负载开关具有更显著的优点。
2023-04-15 09:17:39512 据应急管理部消防救援局发布的数据显示,全国每年约发生2000起电动车火灾。其中80%的火灾都是在夜间充电的过程中.而致人伤亡的案例中,90%发生在门厅过道以及楼梯间等场所。为减少电动车火灾带来的损失
2023-04-04 15:49:28
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片,可兼容代换IR2104,应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动
2023-03-29 09:24:35930 IGBT驱动芯片IR2104的使用。 通过用arduino来控制IR2104芯片驱动半桥IGBT功率管,通过上位机串口控制实现输出不同占空比的伪模拟电压信号。主要知识点是电路板设计和上位机编程实现
2023-03-27 14:57:37
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