台积电又跳过22nm工艺 改而直上20nm
为了在竞争激烈的半导体代工行业中提供最先进的制造技术，台积电已经决定跳过22nm工艺的研发，直接上马更高级的20nm工艺。
有趣的是，台积电和GlobalFoundries这两大代工厂此前已经不约而同地先后取消了32nm Bulk工艺，都直奔28nm HKMG工艺而去。再往前追溯，台积电还曾经取消45nm工艺而改为推行40nm，结果花了很长时间才解决良品率问题，对AMD、NVIDIA新一代显卡产生了严重影响。
台积电研发部门高级副总裁蒋尚义(Shang-yi Chiang)对1500多名台积电客户和第三方伙伴表示，跳过22nm而迈向20nm能带来更高的栅极密度和芯片性能，对高级技术设计师来说将成为一个更切实可行的新平台。据了解，台积电22nm工艺将采用增强型高K金属栅极(HKMG)、应变硅、低电阻铜超低K互联等技术。
蒋尚义宣布，台积电预计在2012年下半年开始20nm工艺的风险性试产，而根据他此前的说法，新工艺初期只有高性能版本，2013年第一季度再增加低功耗版本。
蒋尚义还透露，台积电已经成功演示了其他类型晶体管结构的可能性，比如FinFET。