稳压二极管（齐纳二极管）,稳压二极管是什么意思

    这是利用了PN接合的反向特性的二极管。用于基准电压源和浪涌电压的吸收。

    结构、动作  

  如果将PN接合二极管的反向电压逐渐提升的话，PN接合部的电场会升高，某个电压点会产生较大的电流。齐纳二极管（也叫稳压二极管）正是积极利用了这种电压电流特性。这种电流开始急剧流动的现象就是由齐纳击穿，或者雪崩击穿引起的。齐纳击穿是由隧道效应引起的，由于强大的电场将束缚电子拉离了接合，成为自由电子，并形成了电流，因此该电压会保持负的温度系数。而所谓雪崩击穿，是空乏层的电场中被加速的电子、或者空穴的高能量赋予了束缚电子以能量，而成为自由电子的现象，这种新的电子也被加速，并让其他束缚电子成为自由电子的现象重复的结果，就是形成了较大的电流，该电压会保持正的温度系数。大约6V以下主要是齐纳击穿，而6V以上则主要是由雪崩击穿引起的。因此，大约在5V时温度系数为零。

齐纳（稳压）二极管的图形记号、结构

齐纳（稳压）二极管的特性

    用   途   

齐纳二极管用于串联稳压器的在准电压源或汽车的电源线、电话线的浪涌电压（异常高压脉冲电压）的吸收，或者连接在计算机等的连接器上，来保护连接连接器时产生的ESD（静电压破坏）等。

    高频二极管

    高频波用的二极管也分成如下各种类型   

1）变容二极管；

2）PIN二极管；

3）穿透二极管；

4）雪崩二极管；

5）甘恩二极管；

6）阶跃恢复二极管。

    （1）变容二极管   

给二极管外加反向电压时产生的空乏区域，其电荷以空间性分离，因此其发挥如同电容器的作用。当外加在二极管上的电压（反向）增加的话，则空乏层的宽度随之扩大，正如电容器的2片电极之间的间隔变宽那样，因此二极管的容量不断变小。利用这种特性，用于调谐器等同步电路、调谐电路等。

变容二极管的图形记号、结构图

   （2 ）PIN二极管   

 PN接合之间夹着本征半导体（I型），外加正向电压的话，P型半导体和N型半导体会向本征半导体注入很多空穴、以及相同密度度的电子，从而降低比电阻。这种现象叫“导电调制效果”。PIN二极管正向流通直流电流的话，在导电调制效果下会显示出较低的电阻值，但外加反向直流电压的话，I层的空乏层会扩大，结果会显示出非常小的电容值。利用这种特性，可作为高频带的开关与共振电路的频段开关和减衰器。

PIN二极管的正向

PIN二极管的反向

（3）穿透（江崎）二极管    

在添加高浓度杂质的P型、N型区域外加低电压时所形成的狭小空乏层，载子以穿透现象流通。该现象在正向电流流通前的低电压时产生，因此一部分显示负的斜率特性，而该二极管即使用这种特性。

穿透二极管的特性曲线

    （4）雪崩二极管   

将反向电压加在PN接合面，如果超出雪崩电压，则会发生载子的累增雪崩现象。如果将共振器的频率调谐在载子的累增雪崩所穿透的I区域的长度所规定的到达时间上，那么3-300GHZ之间可以产生大输出的振荡器或放大器。

雪崩二极管的模式图  

（5）甘恩（Gunn）二极管   

以N型砷化镓（GaAs）的结晶构成。虽然由于电压可使电子的速度增加，但在某个临界值，电子的运动能量会被结晶格子所吸收，而使速度降低。而且外加大于临界值的电压时，在负电极附近会发生高电场区域，并在结晶中移动。由于这种高电场区域的产生、移动、消灭都是以周期性进行，因此用于5-50GHZ的微波振荡器等。

甘恩（Gunn）二极管的模式图

    （6）阶跃恢复二极管   

 将PN接合上的电压从正向切换到反向的话，电荷会聚积起来并被释放出去，但这个过程含有很多的高次谐波，因此很容易得到高输出微波。

阶跃恢复二极管的模式图