多芯片组件技术的基本类型有哪些?
2010年03月04日 14:52 www.elecfans.com 作者:佚名 用户评论(0)
关键字:多芯片组件(6902)
根据多层互连基板的结构和工艺技术的不同,MCM大体上可分为三类:①层压介质MCM(MCM-L);②陶瓷或玻璃瓷MCM(MCM-C);③硅或介质材料上的淀积布线MCM(MCM-D)。表1给出MCM三种基本类型的结构、材料和性能。
MCM-L是采用多层印制电路板做成的MCM,制造工艺较成熟,生产成本较低,但因芯片的安装方式和基板的结构所限,高密度布线困难,因此电性能较差,主要用于30MHz以下的产品。
MCM-C是采用高密度多层布线陶瓷基板制成的MCM,结构和制造工艺都与先进IC极为相似,其优点是布线层数多,布线密度、封装效率和性能均较高,主要用于工作频率(30-50)MHz的高可靠产品。它的制造过程可分为高温共烧陶瓷法(HTCC)和低温共烧陶瓷法(LTCC),由于低温下可采用Ag、Au、Cu等金属和一些特殊的非传导性材料,近年来,低温共烧陶瓷法占主导地位。
MCM-D是采用薄膜多层布线基板制成的MCM,其基体材料又分为MCM-D/C(陶瓷基体薄膜多层布线基板的MCM)、MCM-D/M(金属基体薄膜多层布线基板的MCM)、MCM-D/Si(硅基薄膜多层布线基板的MCM)等三种,MCM-D的组装密度很高,主要用于500MHz以上的产品。
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