栅极/浮置栅,栅极/浮置栅是什么意思

栅极/浮置栅,栅极/浮置栅是什么意思

　多极电子管中最靠近阴极的一个电极，具有细丝网或螺旋线的形状，有控制板极电流的强度﹑改变电子管的性能等作用。

　　结型场效应管有两种结构形式。它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。结型场效应管也具有三个电极，它们是：G——栅极；D——漏极；S——源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个P型层。根据国际电工委员会IEC／TC（CO）1339文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。

多极电子管中最靠近阴极的一个电极，具有细丝网或螺旋线的形状，有控制板极电流的强度﹑改变电子管的性能等作用。

结型场效应管有两种结构形式。它们是N沟道结型场效应管（符号图为（1））和P沟道结型场效应管（符号图为（2））。从图中我们可以看到，结型场效应管也具有三个电极，它们是：G——栅极；D——漏极；S——源极。电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。

绝缘栅双极晶体管本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个P型层。根据国际电工委员会IEC／TC（CO）1339文件建议，其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。图2－53所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。为了兼顾长期以来人们的习惯，IEC规定：源极引出的电极端子（含电极端）称为发射极端（子），漏极引出的电极端（子）称为集电极端（子）。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。

IGBT的结构剖面图如图2－53所示。它在结构上类似于MOSFET，其不同点在于IGBT是在N沟道功率MOSFET的N+基板（漏极）上增加了一个P+基板（IGBT的集电极），形成PN结j1，并由此引出漏极、栅极和源极则完全与MOSFET相似。

由图2－54可以看出，IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR，其简化等效电路如图2－55所示。图中Rdr是厚基区GTR的扩展电阻。IGBT是以GTR为主导件、MOSFET为驱动件的复合结构。N沟道IGBT的图形符号有两种，如图2－56。所示。实际应用时，常使用图2－56b所示的符号。对于P沟道，图形符号中的箭头方向恰好相反，如图2－57所示。

IGBT的开通和关断是由栅极电压来控制的。当栅极加正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通，此时，从P+区注到N一区进行电导调制，减少N一区的电阻Rdr值，使高耐压的IGBT也具有低的通态压降。在栅极上加负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即关断。

栅极保护电路

IGBT的栅极出现过压的原因:

1.静电聚积在栅极电容上引起过压.

2.电容密勒效应引起的栅极过压.

为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生,应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十千欧的电阻,如上图所示.此电阻应尽量靠近栅极与发射极.