您好，欢迎来电子发烧友网！ ，新用户？[免费注册]

您的位置：电子发烧友网>电子百科>半导体技术>基础知识>

干法刻蚀原理

2010年07月18日 11:28 www.elecfans.com 作者：本站 用户评论（0）

干法刻蚀原理

刻蚀作用：去除边缘PN结，防止上下短路。
干法刻蚀原理：利用高频辉光放电反应，使CF4气体激活成活性粒子，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与硅材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。
干法刻蚀化学方程式：

去磷硅玻璃作用：去除硅片表面因扩散形成的磷硅玻璃层，并清洁表面，为PECVD做准备。
去磷硅玻璃原理：利用HF与SiO2反应，去除磷硅玻璃层。
去磷硅玻璃化学方程式：

非常好我支持^.^

(8) 50%

不好我反对

(8) 50%

( 发表人：admin )

用户评论

发表评论即可获得积分！ 详见积分规则

      发表评论

      用户评论
      评价:好评中评差评

      发表评论，获取积分！ 请遵守相关规定！