SK 海力士发布全球最高密度移动 8GB DRAM
2017年01月10日 11:55 作者: 用户评论(0)
SK 海力士周一发布全球最高密度、低耗能移动 DRAM,将应用于未来智能手机上。
海力士运用双通道 16 Gigabit 双通道芯片打造出低耗电 DDR4X 移动 DRAM,容量达 8GB。以 LPDDR4X 标准而言,SK 海力士新内存芯片密度是全球最高,功效则较现有 LPDDR4 提高两成。(koreaherald.com)
另外,与现有产品相比,8GB LPDDR4X 封装面积减少三成,厚度减少 1 厘米,这让手机业者在设计上有更多运用空间。SK 海力士打算推广新芯片应用范围至笔电、汽车电子与其他移动设备。
据市调机构 IHS 预测, 8GB 移动 DRAM 今年将可以看到需求,高端智能手机将最为明显,如三星下一代旗舰机 Galaxy S8 是否会采用 8GB RAM,现已成为市场讨论话题。
非常好我支持^.^
(0) 0%
不好我反对
(0) 0%
相关阅读:
- [存储技术] 三星电子和SK海力士计划四季度全面提高DDR5产量 2023-10-24
- [电子说] 基于Corundum架构的100G RDMA网卡设计 2023-10-24
- [电子说] 监控摄像头云储存和内存卡储存有什么区别? 2023-10-23
- [电子说] BBCube3D以混合3D方法实现异构集成 2023-10-23
- [控制/MCU] 基于STM32F429芯片的单片机芯片内存映射图 2023-10-23
- [存储技术] 三星披露下一代HBM3E内存性能 2023-10-23
- [电子说] 动态随机存取存储器(DRAM)的相关知识 2023-10-23
- [电子说] 单芯片超过 100Gb,三星表示将挑战业界最高密度 DRAM 芯片 2023-10-23
( 发表人:龚婷-老账号 )