- “新一代显示器”发展的关键 详解IGZO技术

　　IGZO屏幕优势很多么？

　　相比于传统非晶硅a-Si材料，IGZO载流子迁移率更高，大约为10cm2/Vs。所以更少的材料就可以满足要求，使管子尺寸更小，减少像素面积，使设备更轻薄；全透明，对可见光不敏感，能够大大增加元件的开口率，提高亮度，降低功耗。另外，工艺温度比a-Si低，而且具有很好的弯曲性能，能够很好地配合柔性OLED。

　　相比于低温多晶硅LTPS材料，IGZO 没有屏幕尺寸的限制，小尺寸也可以做，大尺寸一样可行，而LTPS难以生产大尺寸高分辨率的面板。另外，在生产方面，原有的非晶硅面板生产线要改造为LTPS生产线，需要较为复杂的过程，需要的资金也很多，而改造成IGZO面板只是对现有的非晶硅面板生产线进行改良，要容易很多，且不限制生产线的世代数。

　　（1）由于漏电流小，画无更新时可以切断电流，可以进一步提高省电效果。（2）分辨率更高了，与使用a-Si的传统液晶屏幕相比，可在保证透过光量的同时提高单位面积的像素数，根本原因还是IGZO的迁移率率更高，可以缩小体积，这样分辨率就提升了。（3）使触摸屏更灵敏。可采用间歇驱动方式，降低液晶显示器驱动电路产生的噪声对触摸屏检测电路造成的影响，从而实现了更高的触摸灵敏度。

　　不同半导体材料特性对比

　　IGZO工作原理和结构模型都有哪些？

　　非晶金属氧化物IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO构成，禁带宽度在3.5eV左右，是一种N型半导体材料。In2O3中的In3+可以形成5S电子轨道，有力于载流子的高速传输，电子的迁移率在875px2/V·s；Ga2O3有很强的离子键，可以抑制O空位的产生；ZnO中的Zn2+可以形成稳定西面体结构，可以使金属氧化物IGZO形成稳定的非晶结构。因此，金属氧化物IGZO适用于制作高迁移率薄膜晶体管。材料特性总结为4点：高迁移率；易于低温溅射工艺；同质（没有晶界）；光学透明。

　　金属氧化物晶相与元素比例对于迁移率的影响

　　目前金属氧化物IGZO-TFT的结构主要有刻蚀阻挡型（Etch Stop Type）、背沟道刻蚀型（Back Channel Etch Type）和共面型（Coplanar Type）三种类型。按制作工艺可分为5Mask、6Mask、7Mask。下表简列了不同Mask数结构的比较。

　　常见IGZOTFT结构