TNY256原理及性能分析

　　1 TNY256的性能特点

　　·内置自动重启电路，不需外接元件，一旦发生输出短路或控制环开路故障，可将占空比降低以保护芯片。

　　·在输入直流高压电路中，不需要使用瞬态电压抑制器构成的钳位保护电路，仅用简单的RC吸收回路即可衰减视频噪声。

　　·输入欠压检测电路仅需外接1只电阻，目的是在上电时将片内的功率MOSFET关断，直到直流输入电压VI达到欠压保护门限电压(100V)为止;正常工作后若VI突然降低，对芯片也能起到保护作用。

　　·开关频率抖动可降低电磁辐射。

　　·输入电压范围宽(85～265VAC或120～375VDC)且交、直流两用。效率高，265VAC输入时的空载功耗低于100mW。

　　·控制方式简单。采用开/关控制器来代替传统的PWM脉宽调制器对输出电压进行调节，开关控制器可等效为脉冲频率调制器(PFM)，其调节速度更快，对纹波的抑制能力也更强。

　　·外围电路简单，可选用低成本的外围元件。无论在启动时还是正常工作时，芯片所消耗的能量均由漏极电源提供，无需再加反馈绕组及相关电路，也不用回路补偿。

　　·利用使能端可从部关断功率MOSFET，采用跳过时钟周期的方式来调节负载电压，并且在快速上电时输出电压无过冲现象，掉电时，功率MOSFET也不会出现频率倍增现象。

　　·高效、小功率输出，适合构成0～16W的小功率、低成本开关电源。

　　2 TNY256的封装及引脚功能

　　TNY256的三种封装形式如图1所示。该器件实际上只有4个有效引脚，D、S分别为功率MOSFET的漏极和源极;同时S也是控制电路的公共端。BP(BYPASS)为旁路端，该端与地(S极)间需接一只0.1μF的旁路电容器，通过漏极和内部电路产生5.8V的电源电压给该芯片供电。EN/UV为使能/欠压端，正常工作时由此端控制内部功率MOS管的通断，当IEN≥50μA时，MOSFET关断，该端还可用于输入欠压检测，具体方法是将EN/UV端经一只2MΩ的电阻器接VI。

　　

　　3 TNY256的工作原理

　　TNY256内含一个700V功率MOSFET开关管和一个电源控制器，与传统的PWM脉宽调制控制方式不同，该器件采用简单的开/关控制来调节输出电压使之稳定。TNY256的内部结构如图2所示，主要包括振荡器、使能输入、5.8V稳压器、BP脚欠压保护电路、过热保护电路、过流保护电路、自动重启动计数器、输入欠压检测电路、700V功率MOSFET。