摘要:首先,针对闪存Flash的存储编程特点,提出一种基于虚拟扇区的闪存管理技术,使系统对Flash的擦写次数大大降低,从而提高Flash的使用寿命和整个系统的性能。然后,通过嵌入式系统电子名片管理器,介绍这一技术的使用。随着闪存的广泛应用,对Flash的有效存储管理将有很大的实用意义和社会效益。
引言
随着嵌入式系统的迅速发展和广泛应用,大量需要一种能多次编程,容量大,读写、擦除快捷、方便、简单,外围器件少,价格低廉的非易挥发存储器件。闪存Flash存储介质就是在这种背景需求下应运而生的。它是一种基于半导体的存储器,具有系统掉电后仍可保留内部信息,及在线擦写等功能特点,是一种替代EEPROM存储介质的新型存储器。因为它的读写速度比EEPROM更快,在相同容量的情况下成本更低,因此闪存Flash将是嵌入式系统中的一个重要组成单元。
然而,由于Flash读写存储的编程特点,有必要对其进行存储过程管理,以使整个系统性能得以改善。
1 闪存Flash的存储编程特点
Flash写:由1变为0,变为0后,不能通过写再变为1。
Flash擦除:由0变为1,不能只某位单元进行擦除。
Flash的擦除包括块擦除和芯片擦除。块擦除是把某一擦除块的内容都变为1,芯片擦除是把整个Flash的内容都变为1。通常一个Flash存储器芯片,分为若干个擦除block,在进行Flash存储时,以擦除block为单位。
当在一个block中进行存储时,一旦对某一block中的某一位写0,再要改变成1,则必须先对整个block进行擦除,然后才能修改。通常,对于容量小的block操作过程是:先把整个block读到RAM中,在RAM中修改其内容,再擦除整个block,最后写入修改后的内容。显然,这样频繁复杂的读-擦除-写操作,对于Flash的使用寿命以及系统性能是很不好的,而且系统也常常没有这么大的RAM空间资源。一种基于虚拟扇区的管理技术可以有效地控制Flash的擦写次数,提高Flash的使用寿命,从而提高系统性能。
2 基本原理
2.1概念
VSS(Visual Small Sector),虚拟小扇区:以它为单位读写Flash内容。
VSS ID(Visual Small Sector Identity),虚拟小扇区号:只通过虚拟扇区号进行存储,不用考虑它的真实物理地址。
SI(Sector Identity),分割号:一个擦写逻辑块中物理扇区的顺序分割号。
BI(Block Identity),块号:Flash芯片中按擦除进行划分的块号。
SAT(Sector Allocate Table),扇区分配表:一个擦写逻辑块中的扇区分配表。一个SAT由许多SAT单元组成,一个SAT表对应一个Block,一个SAT单元对应一个VSS。
每个SAT单元最高两位为属性位,后面各位为VSS ID号。如果一个SAT单元由16位组成,则VSS ID最大可以达到16×1024;而如果SAT单元由8位组成,则VSS ID最大可以达到64,具体约定由应用情况而定。
2.2 实现原理
把每个block分为更小的虚拟逻辑块(visual small sector),称为虚拟扇区,扇区大小根据应用而定。每个block前面的一固定单元用于记录本block中扇区分配的使用情况(即扇区分配表),包括扇区属性及扇区逻辑号。图1为逻辑扇区划分示意图。
在进行数据读写和修改时,以虚拟扇区块的大小为单位。要修改某一扇区的数据时,先读出这个扇区的内容,重新找一个未使用的扇区,把修改后的内容写入这个新扇区。然后,修改原来扇区的属性值为无效,修改这个新扇区的属性为有效,拷贝VSS ID号到新扇区对应的SAT单元中。
这样,当某一个block中的SAT属性都标为无效时,才对当前block进行擦写。可见,以虚拟扇区大小为单位的存储管理,对Flash块的擦写次数可大大减少,从而提高了系统性能。
3 VSS管理实现要点
3.1 常数部分
#define BLOCKSIZE 128*1024 //可根据Flash型号修改
#define SECTORSIZE 512 //可根据Flash型号及应用情况修改
#define MAX_BLOCK 8 //可擦除块个数
#define MAX_SI_1B 255 //每个可擦除块中有效SI个数
#define SATSIZE 510 //扇区分配表大小
#define VSS_MASK 0XC000 //VSS属性屏蔽值
#define VSS_FREE 0XC000 //VSS为未使用的属性值
#define VSS_VALID 0X4000 //VSS为有效的属性值
#define VSS_INVALID 0X0000 //VSS为无效的属性值
3.2 数据结构部分
unsigned char VSS_Table[MAX_BLOCK][MAX_SI_1B/8];用于记录Flash中各个block的使用情况。数组中的某位为1,表示相应sector为未使用;否则,为已经写过,系统通过这个表可以跟踪各个block的使用情况。
3.3 函数功能部分
1) Flash_Format()//擦除整块Flash存储介质。
2) Flash_Init()//对VSS管理系统参数进行初始化,填充VSS_Table表,统计Flash的使用情况。在系统复位初始时调用。
3) Block_Erase(int blockID)//擦除块号为block ID的块。
4) Find_VSS(int vss)//查找VSS所在的block ID及分割号SI。
5) Get_Addr(int vss)//取得VSS所在的物理地址。
6) Scan_SAT(int blockID)//整理块号为block ID的SAT,填充VSS_Table[]。
7) Flash_Read(long addr,char *pdata,int len)//从物理地址为addr的Flash处读取len个字节到pdata。
8) Flash_Write(long addr,char *pdata,int len)//写pdata中长度为len的数据到指定地址为addr的Flash中。
9) Read_Sat(int bi)//读取块号为blockID的SAT。
10) IsValid(vat)//检查本SAT单元属性是否有效。
11) IsFree(vat)//检查本SAT单元属性是否未使用。
12) IsInvalid(vat)//检查本SAT单元属性是否无效。
13) Read_VSS(addr)//从地址为addr处读一个VSS。
14) Write_VSS(addr,*pData)//把pData中的内容写到从地址addr开始的一个VSS中。
4 计算VSS ID的物理地址
要对某个VSS ID进行读写操作,必须先找到其物理地址。
定位某个VSS ID物理地址的过程如下。
① 查找这个VSS ID所在的块号(BI)以及在这个块中所处的分割号(SI)。
从第一个block开始,搜索这个块的SAT表。首先搜索属性,只有属性为有效的才比较VSS ID号。如果条件满足,记录所在的块号BI及SAT的位置,即扇区分割号SI;否则,block号增加,继续按照上面步骤查找。
bFound=0;
for(int i=0;i{//读取对应block的SAT表
psat=ReadSat(i)
for(j=0;j{//分析每个SAT单元
sat=*psat++;
if(IsValid(sat))//比较属性是否有效
{//比较逻辑号是否相等,相等设置标志退出
if(Equal(sat,VSSID)){bFound=1;break;}
}
}
if(bFound){bi=i;si=j;break;}//找到后记录块号和分割号退出
}
②找到VSS ID所在的块号及分割号(SI)后,这个VSS ID的物理地址为:
ADDR=整个Flash的偏地址+
BLOCKID*BLOCKSIZE+SATSIZE+SI*SECTERSIZE。
5 应用
应用于名片记录管理系统:由于名片记录很大,而且记录很多,存在常常修改的情况,因此可以使用Flash作存储介质。
名片记录结构为:
struct CARD
{
char name[10]; //姓名:10字节
char position[15]; //出职务:15字节
char companyname[40]; //公司名称:15字节
char mobilephone[11]; //手机号码:11字节
char homephone[15]; //家庭电话:15字节
char officephone[15]; //办公电话:15字节
char Email[30]; //邮件地址:30字节
char homepage[30]; //公司主页:30字节
char remark[40]; //备注:40字节
}card_record;
每个名片记录大小为:181字节。
对于1MB的Flash,分为8个block,每个block为128KB(131072字节)。
针对以上情况,作如下分配:
每个扇区大小为181字节;
SAT大小为1432字节,每个SAT单元用16位(2字节);
分为716个扇区,也相当于1个block能存716条名片记录,则131072-1432-716×181=44字节为空闲。
常数定义部分修改如下:
#define blockSIZE 128*1024 //每个block大小
#define SECTORSIZE 181 //每个扇区大小
#define MAX_SI_1B 716 //每个可擦除块中有SI个数
#define SATSIZE 1432 //扇区分配表大小
#define VSS_MASK 0XC000 //VSS属性屏蔽值
#define VSS_FREE 0XC000 //VSS为未使用的属性值
#define VSS_VALID 0X4000 //VSS为有效的属性值
#define VSS_INVALID 0X0000 //VSS为无效的属性值
约定:首先对名片进行编号,且约定名片的编号对应于VSS ID逻辑号。
a) 记录增加。增加一个记录时,根据提供的VSS ID号,首先查找这个记录号是否在使用。如果还没有使用,首先查找这个记录号是否在使用。如果还没有使用,则申请一个未使用的VSS,把相在内容写入这个VSS,修改其对应的SAT单元,写入有效属性值和VSSID号;否则,进入记录修改过程。
b) 记录删除。要删除一个记录时,根据提供的VSS ID号,查找SAT表。如果找到,修改其对应的SAT属性为无效;否则,说明这个记录不存在。
c) 记录查找。①由VSS ID号进行的查找:根据提供的VSS ID号,查找所有的SAT表中属性为有效的VSS ID,返回相应的BI及SI。②根据名片的用户名查找:检测所有的SAT表中属性为有效的VSS ID,得到相应的BI及SI,由BI及SI定位到指定Flash物理地址读入用户各到RAM中,比较是否相等。如果相等,读取并返回SAT单元的VSS ID;否则,继续查找。
d) 记录修改。当要修改一名片记录时,由VSS ID先把这个记录读入到RAM中,然后修改其内容,重新找一个未使用的扇区,把修改后的内容写入到这个新扇区中,并拷贝其VSS ID号到这个新扇区对应的SAT单元,修改其属性为高,修改原来的扇区属性为无效。
结语
本文提出的Flash存储管理技术原理简单实用。它是对那些复杂的Flash文件管理系统的一种剪裁、简化和定制。对于那些不需要复杂的文件管理系统,而又使用了Flash作为存储介质的嵌入式系统有很好的借鉴意义和使用价值,如手机电话号码簿管理、短信管理等都可以利用这种技术进行管理。
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2020-05-25 08:01:001225 FLASH的全称是FLASHEEPROM,但跟常规EEPROM的操作方法不同。 FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作,EEPROM则按字节操作,二者寻址方法不同,存储单元的结构
2018-09-21 22:40:01779 本视频主要详细介绍了虚拟化技术有哪些,分别有CPU虚拟化、网络虚拟化、服务器虚拟化、存储虚拟化、应用虚拟化。
2019-01-02 16:25:0537087 虚拟化改变了计算机使用存储的方式。就像物理机器抽象成虚拟机(VM:Virtual Machine)一样,物理存储设备也被抽象成虚拟磁盘(Virtual Disk)。
2019-05-19 11:39:201174 近日,据外媒报道,东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器(Storage Class Memory)解决方案:XL-Flash,该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC
2019-08-07 10:56:32665 据外媒报道,东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器(Storage Class Memory)解决方案:XL-Flash,该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC。
2019-09-04 16:41:321234 虚拟存储提供了一个大容量存储系统集中管理的手段,由网络中的一个环节(如服务器)进行统一管理,避免了由于存储设备扩充所带来的管理方面的麻烦。
2020-03-18 14:04:252235 存储虚拟化技术可以减少存储系统的管理开销、实现存储系统的数据共享、提供透明的高可靠性和可扩展性、优化使用存储系统。
2020-03-20 16:21:37486 云存储中的一种典型存储方式为分布式存储。在这种方式中,一般采用带外虚拟化的方式管理存储设备,元数据管理和数据传输都是通过IP网络来完成。
2020-03-21 15:46:171289 SNIA 存储网络工业协会对存储虚拟化定义:通过对存储(子)系统或存储服务的内部功能进行抽象、隐藏或隔离,使存储或数据的管理与应用、服务器、网络资源的管理分离,从而实现应用和网络的独立管理。
2020-07-02 09:45:131012 虚拟化技术可以更好的管理虚拟基础架构的存储资源,使系统大幅提升存储资源利用率和灵活性,提高应用的正常运行时间。
2020-07-31 14:42:372736 虚拟存储器是存储管理中一个特别重要的概念,你要认真掌握虚存的定义和特征。此外,你还要知道为何要引入虚存、实现虚存技术的物质基础、虚存容量受到哪两方面的限制。
2020-11-25 16:37:2214942 的Flash Flash存储器有以下特点 最大1M字节的能力 128位,也就是16字节宽度的数据读取 字节,半字,字和双字写入 扇区擦除和批量擦除 存储器的构成 主要存储区块包含4个16K字节扇区
2021-02-23 15:59:325168 FLASH,指Flash Memory,是一种非易失性存储器(闪存),掉电能正常保存数据。 STM32的存储器通常包含内部SRAM、内部FLASH,部分系列还包含EEPROM。其中FLASH通常
2021-03-12 17:13:391567 ME32F030采用高可靠的嵌入式Flash技术,64K用户区间,支持IAP/ISPFlash擦写技术。MCUFlash采用32位数据总线读写,充分利用32位ARMCPU性能优势,同时它的512字节小扇区结构,管理操作也更加灵活。
2021-05-01 16:21:005702 。比如大家熟悉的STM32F1中小容量一页大小只有1K,而F1大容量一页有2K。 还比如有些系列以扇区为最小单元,有的扇区最小16K,有的128K不等。 通常Flash包含几大块,这里以F40x为例: 主存储器:用来存放用户代码或数据。 系统存储器:用来存放出厂程序,一般是启动程序代码。 OTP 区域:
2021-06-27 11:41:473261 尽管虚拟化存储有很多好处,但目前还没有一种明确的方法来部署或管理该技术;这部分是因为企业有不同的要求,并且产品在功能、技术要求和用例方面差异很大。 存储虚拟化有助于简化管理并提高资源使用率。还可
2021-10-13 16:32:331643 主要介绍mcu-内部flash1、STM32F207VET6跟GD32F407VET6,flash的结构:包含4个16KB的扇区、1个64KB的扇区、3个128KB的扇区。块0跟块1。内部flash
2021-12-01 21:06:0711 FLASH磨损均衡原理及实现背景磨损均衡原理磨损均衡实现定长数据读写不定长数据读写多个不定长数据存储读写总结背景flash为嵌入式设备中常见的存储器,优点:便宜,容量大,但缺点也比较明显,最大的缺点
2021-12-02 10:06:058 项目中用到stm32内部flash存储一些系统运行数据,每次上电重新加载保存的数据。早先用法如下图所示,擦除之前每次要关闭总中断,解锁flash,擦除对应扇区,然后写入数据
2021-12-02 11:51:1316 写flash芯片时为什么需要先擦除? 在讲解为什么需要先擦除Flash芯片之前,先来了解一下Flash芯片的基本概念和组成部分。 Flash芯片是非易失性存储器,内部由多个块组成,每个块都是一定
2023-10-29 17:24:372320 ,包括其结构、特点以及如何写入数据。 一、STM32 Flash的结构 STM32 Flash存储器通常被分为多个扇区,每个扇区大小为2KB到256KB不等,根据不同的型号有所不同。每个扇区可以独立进行
2024-01-31 15:46:03421
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