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电子发烧友网>存储技术>缓冲/存储技术>巨景科技4Gb Memory SiP产品开始量产

巨景科技4Gb Memory SiP产品开始量产

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今日,三星电子宣布已开始量产512GB封装容量的eUFS 3.1闪存,可用于手机、平板等。
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三星量产512GB eUFS 3.1芯片,写入速度是SATA硬盘的两倍以上

三星今日宣布开始量产512GB eUFS 3.1芯片,其连续写入速度超过1.2GB/s,是其前代产品写入速度的3倍。
2020-03-17 14:22:143065

MXIC 19nm SLC NAND 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb 可满足工控市场小容量FLASH短缺需求

由3VSLCNAND闪存组成,密度从1Gb到8Gb。MX30UF系列包含1.8VSLCNAND闪存,密度从1Gb4Gb。3V和1.8VSLCNAND闪存产品组合均具有高性能和高可靠性,这是数据和代码存储
2020-03-23 11:06:281804

8GB内存的PC是否够用?

4年前也就是2016年的时候,旗舰款的智能手机在内存容量上也就是刚刚迈入了4GB的阶段,而那个时候的PC平台已经进入了DDR4的时候,主流级平台的内存容量也已经基本从4GB开始向8GB迈进,而且基本从2017年开始,8GB内存已经算是主流级PC的标配,更不用说是对性能要求更高的游戏型PC了。
2020-04-12 09:30:174456

树莓派 8GB4GB性能对比有何区别

的定价发布,比 4GB RAM 型号的价格高出 20 美元。除了运行数据密集型服务器负载,以及虚拟机等特殊需求外,只增加
2021-03-30 16:45:5114295

兆易创新公布自研内存进展:首发4Gb DDR3、明年上半年问世

DDR3内存。 兆易创新在电话会议中透露,自研DRAM现在还在按照原计划进行,目前研发进度跟预期基本一样,预期明年上半年会有产品出来。 兆易创新表示,自研第一个产品会是DDR3, 4Gb,面向利基市场。 2021年还在研发DDR3内存?别急,虽然明年DDR3内存已经不是什么新东
2020-11-03 11:13:592021

SK海力士开始量产DDR5移动内存

SK海力士今天宣布,已经开始量产18GB LPDDR5移动版内存,存储密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:542574

Jetson Nano 4GB常用的电源连接方式

Jetson Nano 4GB 常使用的电源连接方式有两种: 1. DC Power Jack (5.5×2.1mm) , 5V / 4A,需使用跳帽将脚位  J48  短路(图一红框处),电源连接
2022-05-12 17:43:292546

陶瓷封装SiP腔体结构介绍

SiP基本上均为陶瓷封装SiP。目前,国内领先的航空航天和军工领域的研究所都开始研究和应用SiP技术,他们也不约而同地选择陶瓷封装作为首选的SiP产品封装。
2023-02-10 16:50:572812

传统SIP封装中的SIP是什么?

SIP(Single-Inline-Package),指的是单列直插封装, 其典型特征是引脚从封装体一侧引出,排列成一条直线,目前常见的SIP封装外形有SIP8、SIP9和SIP10,数字表示引脚
2023-05-19 09:50:251148

长电科技面向5G射频功放推出的高密度异构集成SiP解决方案即将在国内大规模量产

长电科技凭借在SiP封测技术的深厚积累,开发完成面向5G射频功放的SiP解决方案,并即将大规模量产
2023-06-20 10:28:24429

三星开始量产车载超低功耗UFS 3.1闪存:最大512GB

三星电子计划从今年第四季度开始生产128gb和256gb产品,并生产512gb产品。256gb产品的连续读取速度为2000兆/秒,连续写入速度为700兆/秒。
2023-07-14 11:33:52452

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