0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、单路、线性变化数字电位器，能够实现机械电位器的功能，用简单的2线数字接口取代机械调节。MAX5128具有与分立电位器或可变电阻器相同的功能，提供128抽头、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5432资料下载内容主要介绍了：MAX5432引脚功能MAX5432功能和特性MAX5432应用范围MAX5432内部方框图MAX5432极限参数MAX5432典型应用电路
2021-04-02 06:37:34
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5433资料下载内容包括：MAX5433引脚功能MAX5433功能和特性MAX5433应用范围MAX5433内部方框图MAX5433极限参数MAX5433典型应用电路
2021-04-02 07:32:20
研究机构IMEC已经发表了一篇论文，该研究表明，在5nm节点上，STT-MRAM与SRAM相比可以为缓存提供节能效果。这种优势比非易失性和较小的空间占用更重要。
2019-10-18 06:01:42
16K Byte flash：2的14次方是16384共有14位，即3FFF，11 1111 1111 1111寻址空间，0000H-3FFFHByte 指每个地址存放一个字节，即8bit的数据。
2022-01-26 06:15:18
16K截图软件
2009-06-12 16:56:07
前言：最近在做毕设的过程中，需要用到录音播放方面的知识。所以，在借鉴了正点原子例程之后，成功修改出了16k录音+播放的代码。在录音之后马上接着播放音频是为了验证录制的音频是否正常。在修改的过程中也
2021-08-12 06:46:49
DS1243, DS1243Y资料介绍,64k NV SRAM，带有隐含时钟DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鲜一般说明DS1553是一个全功能、符合2000年（Y2KC）标准的实时时钟/日历（RTC），带有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和8k x 8非易失性静态RAM。用户对DS
2020-09-17 17:24:23
、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和128k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1556中所有寄存器的访问是通过一个字节宽的接口完成的，如图1所示。RTC寄存器包含24小时BCD格式的世纪、年、月
2020-09-16 17:17:42
完成16位电流测量，以及11位电压和温度测量。片上非易失存储器用于存储电池的特性数据和应用参数。DS27..
2021-12-03 07:38:35
•在引导闪存之间选择 •设置ASIC配置/配置文件 •服务器 •网络存储 •路由器 •电信设备 •PC外围设备 一般说明 DS4520是一个9位非易失性（NV）I/O扩展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
前言：MCU中的SRAM和Flash相当于计算机系统中的RAM和ROM概念。1. SRAM和Flash对比区别分类SRAMFlash容量容量小容量大读写速度快慢掉电易失掉电易失掉电不易失价格高昂低廉
2021-11-01 06:54:42
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
经过超过八年的MRAM研发，Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商业设备。该器件采用256K x 16位配置（图1），并具有异步设计，带有标准的芯片，写入和输出使能引脚
2020-09-15 14:20:31
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
描述ATARI 2600 8K/16K/32K Bankswitch 墨盒成分：ATF20V8B-15PC27C64 或 27C128 或 27C256C1 - 100 nFC2 - 100 pFR1 - 2,2 K
2022-07-04 09:04:03
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失性技术。在正常操作下，nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
Dallas Semiconductor推出DS3501 7位非易失数字电位器(digipot)，器件具有高达15.5V的输出电压。该器件是第一款内置温度传感器、ADC以及查找表(LUT)的高度
2018-11-19 17:09:27
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在继承了GW1N-1/2/4的众多优点的基础上，加入了多项创新的特性，使得高云半导体在非易失性FPGA领域逐步建立了领先优势
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
Maxim推出带有非易失存储器(EEPROM)的±0.5℃精度数字温度传感器和温度调节器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上电时能够运行用户设定的配置和温度调节门限，而其他类似的器件
2018-10-29 10:51:29
大家好：关于PSoC6SRAM在DS模式下的保留，我有一些问题要问：1：如果我想在DS模式中只保留64K的SRAM，应该设置哪种模式，“保留模式”？如果在上电后将pWRYL模式控制位设置为0x02
2018-09-26 10:01:35
和 CC 标头的限制，但我的问题是即使我克隆了从工作的 ST25DV04K 标签到 ST25DV16K 的内存内容，Android 8.1 智能手机仍然无法识别 16K 标签，以下是两个标签的内存内容
2023-01-09 06:20:03
***笙泉单片机现推出MA82G5B系列，有8K/16K/32K Flash 可选，SOP20/SOP28/LQFP32可选，全系列具有2K Sram，10路高速PWM（其中含2路定时器），多种内置
2014-04-07 11:53:51
我正在努力把一个项目从使用KEIL编译器到SDCC。我已经把所有需要的文件转换成它们编译的点，但是我不能让Windows来检测设备，我相信这是因为代码大于16K。该设备为ACE7C68013A
2019-07-10 08:20:23
哪位仁兄知道：MMU的一级页表为什么必须是16K对齐，最好有计算公式~~~谢谢！！！
2012-02-14 23:46:38
概述:DS3902是一款双路、非易失(NV)、低温度系数的可变数字电阻，提供256级用户选择。DS3902可以在2.4V至5.5V的宽电源范围内工作，通过I²C兼容的串行接口与该器件通信。内部地址设置功能通过编程使DS3902从地址置为128个可用地址之
2021-05-17 07:29:10
= 640KFLASH (rx): ORIGIN = 0x8000000, LENGTH = 2048KSRAM2 (rw): ORIGIN = 0x10000000, LENGTH = 16K
2022-12-26 08:57:13
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保护您的嵌入式软件免受内存损坏本文的目的是提供一种软件方法，解释如何处理存储在非易失性设备（如小型 EEPROM 或闪存）中的内存数据集损坏。在微型嵌入式系统中看到这些数据集是很常见的，这些系统存储
2021-12-24 07:27:45
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
预编程设备的引导加载，我们有一个困难，显然制造商没有对NVLS编程，因此引导加载程序拒绝重新编程闪存。有一个问题出现（对于PSoC 3和PSoC 5LP，我们使用在其他板上）：如何读取PSoC处理器的非易失性锁存器？安德烈亚斯
2019-08-15 06:46:55
= 0x00008000 RAM3_ipc_shm (xrw) : ORIGIN = 0x10048000, LENGTH = 0x00004000}只需读/写这个区域，例如： 易失性 uint16
2022-12-22 06:43:16
当我把HALL捕获频率设置为250K，使用信号发生器生成16K以上的50%占空比波形的时候会发生溢出中断，此时CCR捕获值为0x10001,其中的ARR值我设置的为0xFFFF。我就很困惑为什么CCR值是0x10001,不应该是0x0000吗
2024-03-12 06:38:24
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位计数器模式中使用Time1。下面的函数在代码中定期调用。每次调用上述函数后，Timer1应该重置为零。有时它不是这样发生的，但有时它像预期的那样工作。我必须将“T1Value”声明为易失性变量还是其他可能出现的问题？任何帮助都是值得赞赏的。
2020-04-08 06:36:57
大家好，我公司决定使用STM32L03系列做一个简单的ISO 14443-3标签阅读器，我们低估了完整的rfal占用了多少内存。谁能帮我找到一种更简单的方法来将提供的轮询演示减少到 16k 闪存或
2022-12-27 08:00:18
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
题目：某计算机字长16位，主存容量128KW，请用16K 8 的静态RAM存储芯片和32K 16的ROM芯片，为该机设计一个主存储器。要求18000H1FFFFH为ROM区，其余为RAM区。画出存储器结构及其与CPU连接的框图。答案：...
2021-07-28 06:33:04
在document/arm64/memory.txt下只看到了对于4K以及64K页表的描述，也确实调通了64K，但是16K没有调通；请问各位大神，linux 4.14.y是否支持ARM64架构16K页表功能，谢谢。
2022-09-29 14:47:59
超低功耗M24C16-WMN6TP FRAM微控制器（MCU）系列包含几款器件，采用嵌入式非易失性FRAM和不同的外设集，面向各种感应和测量应用。该架构、FRAM和外设，结合大量低功耗模式，可以延长
2021-11-03 07:28:04
such as the DS1220, DS1225, and DS1230. First it discusses NV RAM module construction, with an overview of the battery, controller and SRAM that is u
2009-04-24 09:40:39
14 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM为8,388,608位、全静态非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM为16,777,216位、全静态非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS9034PC PowerCap是一款为非易失(NV) SRAM提供的锂电池电源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面贴装PowerCap模块封装。PowerCap模块焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:44:47
DS1501/DS1511为完备的、2000年兼容的、实时时钟/日历(RTC)，具有RTC报警、看门狗定时器、上电复位、电池监控、256字节非易失(NV) SRAM以及一个32.768kHz的频率
2023-07-21 16:48:54
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽
2010-09-28 08:58:30
1105 
DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27888 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-22 09:00:581417 
DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM为8,388,608位、全静态NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控
2010-11-10 09:31:52685 
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及
2010-12-07 10:18:011420 
16K Byte flash：2的14次方是16384共有14位，即3FFF，11 1111 1111 1111寻址空间，0000H-3FFFHByte 指每个地址存放一个字节，即8bit的数据。
2021-12-01 21:06:083 暂存器以及工业应用中的缓冲存储器。 伟凌创芯4Mbit异步快速SRAM芯片 EMI504WF16VA-10I 是4Mbit异步快速SRAM芯片，位宽为256K*16K字。它使用16条公共输入和输出
2021-12-21 15:49:531080 
电子发烧友网站提供《ATARI 2600 8K/16K/32K Bankswitch墨盒开源分享.zip》资料免费下载
2022-07-07 10:25:551 电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1220AB-100+相关产品参数、数据手册，更有DS1220AB-100+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1220AB-100+真值表，DS1220AB-100+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:36:03
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1220AD-100IND+相关产品参数、数据手册，更有DS1220AD-100IND+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1220AD-100IND+真值表，DS1220AD-100IND+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:36:32
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2023-07-31 18:43:06
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1220AD-120+相关产品参数、数据手册，更有DS1220AD-120+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1220AD-120+真值表，DS1220AD-120+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:43:25
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2023-07-31 18:43:42
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1220AD-150+相关产品参数、数据手册，更有DS1220AD-150+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1220AD-150+真值表，DS1220AD-150+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:44:13
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1220AB-120+相关产品参数、数据手册，更有DS1220AB-120+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1220AB-120+真值表，DS1220AB-120+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:49:59
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2023-07-31 18:50:29
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