0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、单路、线性变化数字电位器，能够实现机械电位器的功能，用简单的2线数字接口取代机械调节。MAX5128具有与分立电位器或可变电阻器相同的功能，提供128抽头、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5432资料下载内容主要介绍了：MAX5432引脚功能MAX5432功能和特性MAX5432应用范围MAX5432内部方框图MAX5432极限参数MAX5432典型应用电路
2021-04-02 06:37:34
直接调用字库显示字，但是忽然发现，要存字库就要外扩至少256KFLASH，用传统的并行扩展好像很麻烦，而且IO不够用啊，有哪位大神知道怎样扩展512K的FLASH，然后又能尽量节省IO口？？菜鸟求助！！！
2013-01-02 21:17:57
512k*8的RAM芯片需要多少条地址线进行寻址？需要多少条数据线？具体过程是怎样的？
2023-04-19 16:32:31
from 2k x 8 to 512k x 8 with package sizes from 26 pins to 32 pins. When a socket is mated with a CMOS
2012-01-04 12:09:15
保持新鲜一般说明DS1553是一个全功能、符合2000年（Y2KC）标准的实时时钟/日历（RTC），带有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和8k x 8非易失性静态RAM。用户对DS
2020-09-17 17:24:23
、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和128k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1556中所有寄存器的访问是通过一个字节宽的接口完成的，如图1所示。RTC寄存器包含24小时BCD格式的世纪、年、月
2020-09-16 17:17:42
•在引导闪存之间选择 •设置ASIC配置/配置文件 •服务器 •网络存储 •路由器 •电信设备 •PC外围设备 一般说明 DS4520是一个9位非易失性（NV）I/O扩展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯电子要介绍的是关于非易失性MRAM的单元结构
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的读取速度，非常高的数据保留能力和耐久性，适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米，读取速度为10ns，读取功率为0.8mA/MHz/b，在低功耗待机模式
2020-07-02 16:33:58
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
AT87F51是一个低功耗，高性能CMOS 8位微控制器，带有4K字节的快速闪存可编程只读存储器。该设备是采用Atmel的高密度非易失性内存技术和行业标准MCS - 51（TM）的指令集和引脚兼容
2013-09-03 11:39:03
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失性技术。在正常操作下，nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
第一代非易失性GW1N系列FPGA芯片小步快走，GW1N-6和GW1N-9在继承了GW1N-1/2/4的众多优点的基础上，加入了多项创新的特性，使得高云半导体在非易失性FPGA领域逐步建立了领先优势
2017-08-30 10:18:00
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
Maxim推出带有非易失存储器(EEPROM)的±0.5℃精度数字温度传感器和温度调节器DS7505。集成的非易失EEPROM使器件在上电时能够运行用户设定的配置和温度调节门限，而其他类似的器件
2018-10-29 10:51:29
我们使用的PIC32 MZEFH2018超过512K限制使用一个皮卡3’程序员去特色。关于如何更新这个领域的程序有什么想法？ 以上来自于百度翻译 以下为原文 We are using a
2018-12-20 16:31:28
我使用的是MPLAB X IDE v3.35、PicKit3和PIC32MX360F512L。我还在为应用程序的非易失性存储保存这个内存的一个块。考虑到一个512K的存储设备，这个值是有意义
2019-11-05 15:39:52
我有 2 个 esp01 512k，我想从抽屉里拿出来与 RPi Pico 一起使用。
我用 2 个版本的“固件 AT COMmand”将它们全部刷写。
我将
工具与这两个固件一起
2023-05-25 06:59:55
采用的是安信可的模块，sram 512k程序主要实现了softAP 配网，蓝牙gatt server和gatt client，及wifi tcp socket通信一般运行12小时左右，就会持续报错
2023-03-03 09:10:46
stm32H750速度能不能支持24BIT,512k的ADC工作？如果判断某款ARM芯片速率对于某款ADC来说够不够，要怎么判断？
2020-10-30 22:00:27
为什么stm32f103vgt6的flash我只能检测到512k？（原本应该是1mb的），好像检测不到它的flash大小
2023-08-08 08:16:53
为什么stm32f103vgt6的flash我只能检测到512k？（原本应该是1mb的），好像检测不到它的flash大小
2024-03-20 06:27:03
的，这个程序用的FLASH一PAGE是4K，而我用的 一PAGE 是8K .我的程序在512K内读写没有任何问题.我用oflash去烧写这个FLASH可以写512K的后都没问题，然后我的程序去读也没问题，可以读到512K以后的内容，只是不能把数据写不进去512K以后的内容。
2019-08-01 23:05:58
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM产品之第二款并口器件FM28V020。
2019-09-16 10:31:20
概述:DS3902是一款双路、非易失(NV)、低温度系数的可变数字电阻，提供256级用户选择。DS3902可以在2.4V至5.5V的宽电源范围内工作，通过I²C兼容的串行接口与该器件通信。内部地址设置功能通过编程使DS3902从地址置为128个可用地址之
2021-05-17 07:29:10
芯片的FLASH的起始地址为0x08000000,SIZE = 0x80000共512K字节；RAM的起始
2022-02-24 06:58:39
我工程中使用静态方法进行线程创建，本来13个，今天增加一个后，立即就死机，进入hard fault,如果拿到一个，保留新增的，不会死机；感觉是创建线程个数有数量限制似的；使用N32G452 512K Flash/125k RAM,编译后显示资源其实只是用了约一半左右；不知道为啥会死机
2023-02-02 14:29:27
MIKROE-2768，FRAM 2 CLICK Board带有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。铁电随机存取存储器或F-RAM是非易失性的，并且执行类似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
KB 闪存 ROM（eZ80 内部）板载 520 KB 总 RAM（512K 外部加 8K 内部）4MB非易失性存储（可选，可通过更换IC升级）实时时钟SSD1963 供电的 7.0 英寸 TFT
2022-08-23 07:08:31
1 NAND Flash和NOR Flash闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点，被广泛地应用于手机、MP3、数码相机、笔记本电脑等数据
2019-07-19 07:15:07
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
本文就如何充分利用mcu的非易失性存储提供了一些想法。一定有工程师经常需要8位微控制器提供的16、32、甚至64 KB的程序内存的很大一部分。那么如何充分利用MCU的非易失性存储呢？本文将会介绍
2021-12-20 06:42:35
你好！所以我有一个外部EEPROM，512k通过I2C连接到我的PIC32MX。现在，我想建立一个引导加载程序，它读取EEPROM并闪烁PIC的程序内存。简单！在和谐1.081中，您可以选择I2C
2019-07-22 06:05:46
易失性FPGA的电源特性是什么？如何在进行板级设计时，降低系统的静态与动态功耗？
2021-04-08 06:47:53
保护您的嵌入式软件免受内存损坏本文的目的是提供一种软件方法，解释如何处理存储在非易失性设备（如小型 EEPROM 或闪存）中的内存数据集损坏。在微型嵌入式系统中看到这些数据集是很常见的，这些系统存储
2021-12-24 07:27:45
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
预编程设备的引导加载，我们有一个困难，显然制造商没有对NVLS编程，因此引导加载程序拒绝重新编程闪存。有一个问题出现（对于PSoC 3和PSoC 5LP，我们使用在其他板上）：如何读取PSoC处理器的非易失性锁存器？安德烈亚斯
2019-08-15 06:46:55
所谓的寄存器、内存等用于存储信息的复杂结构。存储器的分类存储器分为易失性存储器和非易失性存储器；所谓易失性存储器是指设备掉电，存储的信息自动清除，而非易失性存储器具有存储时间长的功能。易失性存储器主要指
2021-12-10 06:54:11
大家好，芯片是PIC18F46K22。我在16位计数器模式中使用Time1。下面的函数在代码中定期调用。每次调用上述函数后，Timer1应该重置为零。有时它不是这样发生的，但有时它像预期的那样工作。我必须将“T1Value”声明为易失性变量还是其他可能出现的问题？任何帮助都是值得赞赏的。
2020-04-08 06:36:57
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
用VISA 读u***2.0 的数据 VISA缓冲不够， 超过512K字节数据 会有丢失，如何把缓冲区扩大至1310720（1280*1024）个字节，我是想用labview VISA显示图像
2014-12-18 16:25:23
请教24L01怎么设置传输速率为512K？？
2013-09-12 22:34:47
TMS320C6701外部RAM由两片512K×16位SRAM组成32位的系统，链接到DSP的CE3地址空间，编写程序对RAM区进行读写测试，写入数据格式为（i|（i
2018-07-25 06:03:50
题目：某计算机字长16位，主存容量128KW，请用16K 8 的静态RAM存储芯片和32K 16的ROM芯片，为该机设计一个主存储器。要求18000H1FFFFH为ROM区，其余为RAM区。画出存储器结构及其与CPU连接的框图。答案：...
2021-07-28 06:33:04
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-7 14:22 编辑
CC3200的flash可以用512K的吗？因为产品尺寸问题，需要选用小封装（2*3mm）的512K的flash。CC3200应该可以用512K的吧？
2018-06-07 02:53:47
1.stm32f103ze，FSMC初始化已经正确，而且单字节读写没有问题。在使用IAR编译器的情况，内存只能设置一个范围,如下图（1）。现在我想使用扩展的512k内存，像使用内部内存一样使用。如
2018-11-12 08:50:56
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD为65,536位、全静态非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
该DS1557是一个全功能实时时钟/日历(RTC的同一个RTC报警，看门狗定时器，上电复位，电池监控)，以及512K的× 8非易失性静态RAM。用户访问DS1557内部所有寄存器完成了一个字节宽
2010-09-15 09:51:32
731 
具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:41:50905 
The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K
2012-01-04 11:30:52
18 The CY62157E is a high performance CMOS static RAM organized as 512K words by 16 bits. This device
2017-09-14 10:58:172 The CY62148E is a high performance CMOS static RAM organized as 512K words by 8-bits. This device
2017-09-14 15:00:058 The CY62148E is a high performance CMOS static RAM organized as 512K words by 8-bits. This device
2017-09-14 15:00:050 The CY62148E is a high performance CMOS static RAM organized as 512K words by 8-bits. This device
2017-09-14 15:04:0721 TheISSI IS61WV51232Axx/Bxx and IS64WV51232Bxx are high-speed， 16M-bit static RAMs organized as 512K
2017-09-20 11:07:467 电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1647P-120相关产品参数、数据手册，更有DS1647P-120的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1647P-120真值表，DS1647P-120管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2022-11-21 22:05:45
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1647-120相关产品参数、数据手册，更有DS1647-120的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1647-120真值表，DS1647-120管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2022-11-21 22:06:51
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2022-11-22 19:09:46
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1647P-120+相关产品参数、数据手册，更有DS1647P-120+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1647P-120+真值表，DS1647P-120+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2022-11-22 19:10:21
2SA1647、2SA1647-Z 数据表 (D14839EJ5V0DS00)
2023-05-06 19:10:370 2SA1647、2SA1647-Z 数据表 (D14839EJ5V0DS00)
2023-06-26 20:56:540
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