0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
1.5V升压3.3V，1.5V升压5V1.5V升压3.3V芯片，1.5V升压5V芯片：PW5100 是一款高效率、10uA低功耗、低纹波、高工作频率1.2MHZ的 PFM 同步升压DC/DC 变换器
2020-09-21 19:25:05
概述：MAX5128非易失、单路、线性变化数字电位器，能够实现机械电位器的功能，用简单的2线数字接口取代机械调节。MAX5128具有与分立电位器或可变电阻器相同的功能，提供128抽头、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
起因:
玩nas+软路由，m2+无线网卡+板载各种芯片(网卡)等对3.3v需求大，估算需求约20a，nas用的是flex电源，flex电源3.3v基本都只有10-15a，目前用的电源3.3v只有
2023-08-26 06:45:26
`描述This reference design generates an isolated 2W dual output (+3.3V & -3.3V) from AC
2015-03-12 10:29:05
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5432资料下载内容主要介绍了：MAX5432引脚功能MAX5432功能和特性MAX5432应用范围MAX5432内部方框图MAX5432极限参数MAX5432典型应用电路
2021-04-02 06:37:34
9个案例5V→3.3V
2021-03-08 07:29:53
满足一般的485芯片对电源稳定性的要求。此款5v转3.3v的模块电源一般可以分为两种：非稳压输出和稳压输出。先说稳压输出，稳压输出指的是，模块电源的输入电压或者输出负载不管如何变化，输出电压都能稳定
2018-08-04 14:05:01
5V转3.3V的技巧
2020-12-23 06:04:01
，效率高，且输出纹波噪声都非常小，可以满足一般的485芯片对电源稳定性的要求。此款5v转3.3v的dc/dc转换器一般可以分为两种：非稳压输出和稳压输出。先说稳压输出，稳压输出指的是，dc/dc转换器
2018-07-26 13:59:50
`描述此 4W 参考设计产生 3.3V 和 12V 输出。3.3V 输出为稳压输出，而 12V 输出具有某种依赖于负载的变化因素。UCC28740 反激式控制器提供低成本但高效的解决方案。`
2015-04-10 15:37:15
描述 此 4W 参考设计产生 3.3V 和 12V 输出。3.3V 输出为稳压输出，而 12V 输出具有某种依赖于负载的变化因素。UCC28740 反激式控制器提供低成本但高效的解决方案。
2018-11-20 11:43:01
单片机是STC15L104W,MOS管是HUF75307D,用3.6V的3节充电电池接上后MOS管一直导通,不受单片机控制,灯珠是3.3V 3W的大功率灯珠
2019-09-18 03:45:09
电子产品要想工作都离不开电源，电源是必须的电路。现在的单片机工作电压一般为DC5V或者DC3.3V，对于压差不太大的情况，一般使用降压芯片来实现电压的转化。下面介绍3.3V和5V常用的转换芯片
2021-11-10 08:32:48
3.3V转5V技巧
2012-08-06 15:29:43
小弟急需一款3.3V供电，通讯时逻辑电平也为3.3V的，最好带中文字库，或者字符型的也可以，尺寸要求小于12864那个！！！！！！有没有啊 求帮助对了我看到有12232型，可是资料上写着可以3V供电，但是逻辑电平为什么还在4.5V左右？不是3.3V的吗？有木有用过的大神帮帮我！！！！
2013-12-30 11:31:32
保持新鲜一般说明DS1553是一个全功能、符合2000年（Y2KC）标准的实时时钟/日历（RTC），带有RTC警报、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和8k x 8非易失性静态RAM。用户对DS
2020-09-17 17:24:23
、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和128k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1556中所有寄存器的访问是通过一个字节宽的接口完成的，如图1所示。RTC寄存器包含24小时BCD格式的世纪、年、月
2020-09-16 17:17:42
•在引导闪存之间选择 •设置ASIC配置/配置文件 •服务器 •网络存储 •路由器 •电信设备 •PC外围设备 一般说明 DS4520是一个9位非易失性（NV）I/O扩展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
深圳市三佛科技有限公司供应AC-DC非隔离3.3V 400MA小家电电源方案 LP2177AC-DC非隔离3.3V 400MA小家电电源方案 LP2177产品介绍：LP2177 是一款高效率
2020-04-24 11:41:47
1.6-3.6V MCU 8-bit/16-bit Microcontrollers XMEGA AVR RISC 16KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 44-Pin TQFP封装 T/R卷带包装
2018-12-19 12:27:32
我用CH340K做一键下载电路，现在遇到的情况是给CH340K供电使用的是3.3V，芯片的10脚V3接了3.3v，能够与单片机通信，但是复位按钮按下之后会导致单片机进入错误的启动方式，检查发现
2022-07-13 06:32:39
uart电平是5V还是3.3V标准？
2022-07-08 07:14:27
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失性技术。在正常操作下，nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
我用的5V的电压 ，然后用了ME6219C将5V的电压转换成了3.3V的电压，3.3V的电压用来给NRF24L01供电，不接NRF，VCC的电压是3.3V，接上NRF后，VCC的电压就变成了4.4V了，接上其他的负载，比如LED灯，电压还是3.3。为什么？
2016-07-14 16:18:53
您好，我使用PIC18F47 K40带5V电源。在端口B，我选择了SPI接口。我打开了SDO和SCK PIN的集合。用一个3.3V的上拉电阻，我可以使用3.5V的奴隶，而不是5V容忍的接口
2019-05-10 12:45:24
PIC18F66K80系列datasheet开头提到有个新特性On-chip 3.3V Regulator(集成3.3V稳压器)，后面又有图片中这两段，意思我理解为本来用户可以通过ENVREG
2016-03-29 20:02:02
STC15W4K48S4使用ds1302 读取的时候显示85.请问是要加上拉电阻么。应该加多大的。（我的电源是3.3v）
2018-05-15 20:46:32
1外观说明2板载资源ALIENTEK探索者STM32F4开发板板载资源如下：◆CPU：STM32F407ZGT6，LQFP144，FLASH：1024K，SRAM：192K；◆外扩SRAM
2021-08-20 06:11:08
按照 TPS61221的数据手册，其输入电压范围为0.7V-5.5V,当输入电压大于3.3V时，其输出电压不再稳压为3.3V，当输入电压为5V时，其输出为4.7V，这是什么原因呢？是因为其为升压芯片，只能进行升压，而不能降压吗？
2016-02-01 15:52:30
描述此参考设计在非隔离式反向拓扑中使用 UCC28C42 生成 3.3V、1.2V 和 22V 电压，由 US line AC 输入供电。输出功率合计 4W。3.3V 输出受 UCC28C42 规范
2018-07-13 01:17:42
DN72- 单个LTC1149在17W时提供3.3V和5V电压
2019-07-02 06:29:25
概述:DS3902是一款双路、非易失(NV)、低温度系数的可变数字电阻，提供256级用户选择。DS3902可以在2.4V至5.5V的宽电源范围内工作，通过I²C兼容的串行接口与该器件通信。内部地址设置功能通过编程使DS3902从地址置为128个可用地址之
2021-05-17 07:29:10
嗨， LSM6DS33的典型电源电压为1.8V，最大限制为3.6V。如果连续为设备提供3.3V的电源电压，这样可以吗？ 问候，Prachi＃lsm6ds33以上来自于谷歌翻译以下为原文 Hi
2018-09-14 09:54:59
你好，请您建议我评估最佳连接方式美国国家半导体的DS90CR288 Camera Link接收器采用V5。问题是DS90CR288具有3.3 V LVTTL输出，我显然需要连接它们的终端 - 线路
2020-05-28 06:16:57
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
。基于 DS，相应的引脚（PA11-14、PB3、NRST）都是 FT，这意味着它们可以承受 5V 电压。那么，我假设我可以使用 3.3V JTAG/USB-DFU 而无需电平转换器将它们降至 1.8V 是否正确？
2022-12-26 10:52:54
如何使用2.7V控制3.3V的通断？希望大神可以附上图。
2019-04-09 09:36:05
1内核，32位，168M FPU（浮点数处理单元）一般会选用DSP 做浮点数处理。2.IO口，输入输出端口。144个IO引脚(大部分5V）3.内存。 1024K flash, 192k SRAM
2021-07-23 08:02:43
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
哪位哥们用个64K 8位、3.3v供电的RAM 帮提供两个型号呗！
2019-01-14 06:36:13
我想使用TI的电源模块PTR08060W（输入4.5V~14V转0.6V~5.5V6A电流能力）产生一个-3.3V（2A）。能否将Vin直接连接-5V使得Vout输出-3.3V还是将Vin连接+5V
2019-04-09 06:28:14
The DS90C3202 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colorreceiver is designed to be used in Liquid
2009-10-14 10:12:17
11 The DS90C3201 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colortransmitter is designed to be used
2009-10-14 10:26:4711 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦
2023-07-24 09:29:49
DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-21 09:03:59
888 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控
2010-10-21 09:06:321002 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控
2010-12-07 10:21:02966 
具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列)，内置实时时钟。
2012-01-04 10:49:181184 
The DS1248 1024K NV SRAM with phantom clock is a fully static, nonvolatile RAM (organized as 128K
2012-01-04 11:29:1924 DS1086L EconOscillator™是一种3.3V、可编程时钟发生器，可产生频率在130kHz至66.6MHz、经过频谱扩展(抖动)的方波输出。
2012-03-22 15:45:06863 
3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍
2015-12-14 14:11:200 The AS7C316098B is a 16M-bit high speed CMOS static random access memory organized as 1024K words
2017-09-19 17:32:524 The AS7C3256A is a 3.3V high-performance CMOS 262，144-bit Static Random-Access Memory （SRAM） device
2017-09-20 09:32:584 SRAM 8 Mbit (1024K x 8/512K x 16) nvSRAM带实时时钟
2017-10-10 08:56:325 电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1245AB-70+相关产品参数、数据手册，更有DS1245AB-70+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1245AB-70+真值表，DS1245AB-70+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:39:00
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2023-07-31 18:39:16
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2023-07-31 18:48:55
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