0.13μm非易失性FRAM产品的增强的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
1.5V升压3.3V，1.5V升压5V1.5V升压3.3V芯片，1.5V升压5V芯片：PW5100 是一款高效率、10uA低功耗、低纹波、高工作频率1.2MHZ的 PFM 同步升压DC/DC 变换器
2020-09-21 19:25:05
概述：MAX5128非易失、单路、线性变化数字电位器，能够实现机械电位器的功能，用简单的2线数字接口取代机械调节。MAX5128具有与分立电位器或可变电阻器相同的功能，提供128抽头、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
起因:
玩nas+软路由，m2+无线网卡+板载各种芯片(网卡)等对3.3v需求大，估算需求约20a，nas用的是flex电源，flex电源3.3v基本都只有10-15a，目前用的电源3.3v只有
2023-08-26 06:45:26
`描述This reference design generates an isolated 2W dual output (+3.3V & -3.3V) from AC
2015-03-12 10:29:05
32抽头非易失I²C线性数字电位器MAX5432资料下载内容主要介绍了：MAX5432引脚功能MAX5432功能和特性MAX5432应用范围MAX5432内部方框图MAX5432极限参数MAX5432典型应用电路
2021-04-02 06:37:34
9个案例5V→3.3V
2021-03-08 07:29:53
满足一般的485芯片对电源稳定性的要求。此款5v转3.3v的模块电源一般可以分为两种：非稳压输出和稳压输出。先说稳压输出，稳压输出指的是，模块电源的输入电压或者输出负载不管如何变化，输出电压都能稳定
2018-08-04 14:05:01
5V转3.3V的技巧
2020-12-23 06:04:01
，效率高，且输出纹波噪声都非常小，可以满足一般的485芯片对电源稳定性的要求。此款5v转3.3v的dc/dc转换器一般可以分为两种：非稳压输出和稳压输出。先说稳压输出，稳压输出指的是，dc/dc转换器
2018-07-26 13:59:50
64794分析仪 D 256K跟踪深度仿真总线分析仪，128 KB
2019-01-21 10:53:04
`描述此 4W 参考设计产生 3.3V 和 12V 输出。3.3V 输出为稳压输出，而 12V 输出具有某种依赖于负载的变化因素。UCC28740 反激式控制器提供低成本但高效的解决方案。`
2015-04-10 15:37:15
描述 此 4W 参考设计产生 3.3V 和 12V 输出。3.3V 输出为稳压输出，而 12V 输出具有某种依赖于负载的变化因素。UCC28740 反激式控制器提供低成本但高效的解决方案。
2018-11-20 11:43:01
概述:FM1808是RAMTRON公司生产的一款256K位并行存储芯片。该FM1808是256千比特的非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取记忆体或FRAM是非易失性的，但在其他方面工作的RAM。
2021-04-21 07:52:40
单片机是STC15L104W,MOS管是HUF75307D,用3.6V的3节充电电池接上后MOS管一直导通,不受单片机控制,灯珠是3.3V 3W的大功率灯珠
2019-09-18 03:45:09
、看门狗定时器、上电复位、电池监视器和128k x 8非易失性静态RAM。用户对DS1556中所有寄存器的访问是通过一个字节宽的接口完成的，如图1所示。RTC寄存器包含24小时BCD格式的世纪、年、月
2020-09-16 17:17:42
•在引导闪存之间选择 •设置ASIC配置/配置文件 •服务器 •网络存储 •路由器 •电信设备 •PC外围设备 一般说明 DS4520是一个9位非易失性（NV）I/O扩展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
非易失可重复编程FPGA的应用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯电子本篇文章提供智能电表或智能电子式电表的概述，并且说明在智能电子式电表的设计中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的优势。图1显示的是智能电子式电表的简化框图。非易失性存储器是一个电表
2021-07-12 07:26:45
我们正在构建一个设备来测量消耗。电路 ACS712 读取那一刻的消耗量，所以，我需要做一个每秒累加的方法。问题：非易失性内存有写入限制，所以我需要使用易失性内存。写入易失性存储器是否有一些限制？我们的想法是每秒读取一次 ACS712 并写入易失性存储器，每 10 分钟写入一次非易失性存储器。
2023-05-30 08:48:06
深圳市三佛科技有限公司供应AC-DC非隔离3.3V 400MA小家电电源方案 LP2177AC-DC非隔离3.3V 400MA小家电电源方案 LP2177产品介绍：LP2177 是一款高效率
2020-04-24 11:41:47
易失性标准兼容架构。全局时钟网络中多达4条全局时钟线，驱动整个器件。提供可编程的快速传播延迟和时钟至输出时间。UFM支持高达256千位的非易失性存储。支持3.3、2.5、1.8和1.5逻辑电平可编程压
2022-08-10 09:47:44
等待区（ZW）使用，96K划给用户使用作为RAM使用256K的非零等待区里可以通过软件配置将其中的128K划出来给用户作为RAM使用，那么此时用户就有96+128K RAM可以使用，这224KB
2020-11-20 21:25:08
1.6-3.6V MCU 8-bit/16-bit Microcontrollers XMEGA AVR RISC 16KB Flash 1.8V/2.5V/3.3V 44-Pin TQFP封装 T/R卷带包装
2018-12-19 12:27:32
CC2541oad在生成ImageB.bin超过256k flash？那个大神用过cc2541的 oad功能吗？？？在生成ImageB.bin时，ImageB.bin文件过大 ，超过
2016-03-16 14:56:17
我用CH340K做一键下载电路，现在遇到的情况是给CH340K供电使用的是3.3V，芯片的10脚V3接了3.3v，能够与单片机通信，但是复位按钮按下之后会导致单片机进入错误的启动方式，检查发现
2022-07-13 06:32:39
bq4011是一个非易失性262144位静态RAM，按8位组织为32768字。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，与标准SRAM的无限写入周期相结合。控制电路持续监测单个5V电源是否超出公差条件。当
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失性技术。在正常操作下，nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 适配器来自达拉斯的流行的电池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往会忘记其宝贵的数据。通过这种引脚兼容的铁电 RAM 升级，您可以放心，因为在室温下，它的数据保留时间为 150 年，无需任何电池供电。
2022-07-14 07:51:06
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 内核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的应用程序中，我们需要将安全数据（例如密钥）存储在安全非易失性存储 (SNVS) 区域
2023-04-14 07:38:45
針腳 QFN 封裝和 3.5x3.8mm 64 球形直接晶片構裝之晶圓級封裝 (WLCSP)。nRF51822 提供 256k 或 128kB Flash 容量的不同版本。欢迎交流qq 1433511556
2016-07-03 11:18:34
我用的5V的电压 ，然后用了ME6219C将5V的电压转换成了3.3V的电压，3.3V的电压用来给NRF24L01供电，不接NRF，VCC的电压是3.3V，接上NRF后，VCC的电压就变成了4.4V了，接上其他的负载，比如LED灯，电压还是3.3。为什么？
2016-07-14 16:18:53
您好，我使用PIC18F47 K40带5V电源。在端口B，我选择了SPI接口。我打开了SDO和SCK PIN的集合。用一个3.3V的上拉电阻，我可以使用3.5V的奴隶，而不是5V容忍的接口
2019-05-10 12:45:24
PIC18F66K80系列datasheet开头提到有个新特性On-chip 3.3V Regulator(集成3.3V稳压器)，后面又有图片中这两段，意思我理解为本来用户可以通过ENVREG
2016-03-29 20:02:02
STC15W4K48S4使用ds1302 读取的时候显示85.请问是要加上拉电阻么。应该加多大的。（我的电源是3.3v）
2018-05-15 20:46:32
F407的规则同步ADC采集如何 实现256k采样+转换速度？
2024-03-07 07:51:02
我们正在尝试在STM32WB55RC上加载 stm32wb5x_Zigbee_FFD_fw.bin，但发行说明中的地址表显示 FFD 堆栈为 0x00，STMCube 程序员给出了错误地址错误。256K 闪存设备的 Zigbee 堆栈的实际地址是什么？
2022-12-23 09:03:11
按照 TPS61221的数据手册，其输入电压范围为0.7V-5.5V,当输入电压大于3.3V时，其输出电压不再稳压为3.3V，当输入电压为5V时，其输出为4.7V，这是什么原因呢？是因为其为升压芯片，只能进行升压，而不能降压吗？
2016-02-01 15:52:30
数据手册里的这句话如何理解？256K FLASH+64K SRAM 的产品支持用户选择字配置为（192K FLASH+128K SRAM）、（224K FLASH+96K SRAM）、（256K
2022-06-20 07:37:12
stm32f103rct6芯片的闪存是256K，但是当我存储数据的地址设到300K还是可以正常存储，不知道为什么？
2019-03-01 07:30:52
C8051F340ADS1230的芯片资料显示供电电压为2.7到5.3V，那当3.3V供电时，是否就可以直接和单片机连接，电平是匹配的？我的打算是：传感器的激励电压选用9V或10V，ADS1230的参考电压和电源电压
2012-08-21 08:49:01
本人是新人。使用3000公斤的称重传感器测量一个加载力，传感器信号接ADS1230，然后送入单片机C8051F340ADS1230的芯片资料显示供电电压为2.7到5.3V，那当3.3V供电时，是否
2012-08-20 11:12:14
DN72- 单个LTC1149在17W时提供3.3V和5V电压
2019-07-02 06:29:25
概述:DS3902是一款双路、非易失(NV)、低温度系数的可变数字电阻，提供256级用户选择。DS3902可以在2.4V至5.5V的宽电源范围内工作，通过I²C兼容的串行接口与该器件通信。内部地址设置功能通过编程使DS3902从地址置为128个可用地址之
2021-05-17 07:29:10
嗨， LSM6DS33的典型电源电压为1.8V，最大限制为3.6V。如果连续为设备提供3.3V的电源电压，这样可以吗？ 问候，Prachi＃lsm6ds33以上来自于谷歌翻译以下为原文 Hi
2018-09-14 09:54:59
亲爱;我有Spartan™-3AN非易失性FPGA入门套件，我编写了VHDL程序，用于地址分配到与FPGA芯片接口的两个外部ROM。程序有（16位输入端口）和（16位输出端口），问题是：如何使用该套件在FPGA芯片上下载程序？如何确定哪个输入引脚和哪个是输出引脚？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
我应该用什么API来存储非易失性数据？我使用CYW43907，手册上说它支持外部闪存。我想知道我是否应该使用WiDeDssFlash写来存储数据，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
(SPI-SRAM)64Kbit 8Kx8 IP12B064C-TU 3.3V 20MHz E Tube TSSOP-8128Kbit 16Kx8 IP12B128C-TU 3.3V 20MHz E Tube
2013-08-23 11:00:03
我想用非易失性密钥获取CMAC值（仅验证甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”项目。初始化 CSEc 模块后，我使用给定的指令加载密钥 ROM
2023-04-10 06:34:32
哪位哥们用个64K 8位、3.3v供电的RAM 帮提供两个型号呗！
2019-01-14 06:36:13
我想使用TI的电源模块PTR08060W（输入4.5V~14V转0.6V~5.5V6A电流能力）产生一个-3.3V（2A）。能否将Vin直接连接-5V使得Vout输出-3.3V还是将Vin连接+5V
2019-04-09 06:28:14
The DS90C3202 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colorreceiver is designed to be used in Liquid
2009-10-14 10:12:17
11 The DS90C3201 is a 3.3V single/dual FPD-Link 10-bit colortransmitter is designed to be used
2009-10-14 10:26:4711 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM为16,384位、全静态NV SRAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1230 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个完整的NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否
2023-07-21 16:58:16
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿尔特拉，即时开启非易失性CPLD,处理器
2023-10-24 15:38:16
描述AT28C256是一种高性能的电可擦可编程只读存储器。它的256K内存由8位的32，768个字组成。该器件采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间高达150 ns，功耗仅为440
2023-12-08 15:05:01
DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-21 09:03:59
888 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控
2010-10-21 09:06:321002 DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路
2010-11-24 09:47:28976 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控
2010-12-07 10:21:02966 
Features AS7C256 (5V version) AS7C3256 (3.3V version) Industrial and commercial temperature
2011-04-02 10:38:5152 DS1244,DS1244P具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟
2011-12-19 11:15:391685 
DESCRIPTION The DS1244 256K NV SRAM with a Phantom clock is a fully static nonvolatile RAM (NV SRAM
2011-12-19 11:33:0940 DS1086L EconOscillator™是一种3.3V、可编程时钟发生器，可产生频率在130kHz至66.6MHz、经过频谱扩展(抖动)的方波输出。
2012-03-22 15:45:06863 
3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍3.3V—5V连接技巧与诀窍
2015-12-14 14:11:200 he CY7C1353G is a 3.3 V， 256K × 18 synchronous flow-through burst SRAM designed specifically
2017-09-14 17:05:283 The AS7C34098A is a high-performance CMOS 4，194，304-bit Static Random Access Memory （SRAM） device organized as 262，144 words × 16 bits.
2017-09-19 16:59:144 The AS7C3256A is a 3.3V high-performance CMOS 262，144-bit Static Random-Access Memory （SRAM） device
2017-09-20 09:32:584 电子发烧友网站提供《Amiga 1000 A1050 256K芯片内存扩展带插座.zip》资料免费下载
2022-08-05 11:54:540 电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1230Y-70+相关产品参数、数据手册，更有DS1230Y-70+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1230Y-70+真值表，DS1230Y-70+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:37:17
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1230Y-100+相关产品参数、数据手册，更有DS1230Y-100+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1230Y-100+真值表，DS1230Y-100+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:37:37
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1230Y-70IND+相关产品参数、数据手册，更有DS1230Y-70IND+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1230Y-70IND+真值表，DS1230Y-70IND+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:38:05
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1230Y-150+相关产品参数、数据手册，更有DS1230Y-150+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1230Y-150+真值表，DS1230Y-150+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:38:26
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1230Y-120+相关产品参数、数据手册，更有DS1230Y-120+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1230Y-120+真值表，DS1230Y-120+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:38:44
电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1230YP-70+相关产品参数、数据手册，更有DS1230YP-70+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1230YP-70+真值表，DS1230YP-70+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2023-07-31 18:48:17
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