纳米制造DRAM已能创造充足的利润，因此相较于应用处理器（AP）和快闪存储器（NAND Flash），DRAM的微细制程技术发展较缓慢。
2014-04-04 09:08:42
1340 对中国大陆来说，今年可算是真正意义上的存储器元年。武汉存储器基地项目启动，与联电合作的晋华集成电路项目落户福建泉州晋江市，还有明确要做存储器的合肥市和紫光。三个地方加一个企业牵头的“3+1”存储器版图已初现端倪。
2016-05-25 09:08:44833 大陆DRAM和NAND Flash存储器大战全面引爆，近期包括长江存储、合肥长鑫等阵营陆续来台锁定IC设计和DRAM厂强力挖角，目前传出包括钰创员工、并入联发科的NOR Flash设计公司常忆，以及
2016-11-22 16:06:151561 据悉，紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设，主要产品为3D-NAND FLASH、DRAM存储芯片等，占地面积约1500亩。项目一期投资约100亿美元，月产芯片10万片。项目达产后，将有力地支撑我国在主流存储器领域的跨越式发展。
2017-02-13 09:20:16787 NAND Flash是一种非易失存储器，也就是掉电不丢失类型，现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash，比如U盘、固态硬盘，手机存储等等，电脑传统硬盘除外。
2022-11-10 17:08:321684 
DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36267 
Flash SSD/DOM业者导入十倍于MLC耐用品质等级的iSLC存储器技术，加上导入种种维护、监控SSD内部Flash在擦写均匀度（Wear Leveling）、品质与稳定性的关键技术，使得MLC可以导入轻量级工控应用，而iSLC存储器将成为工控应用的新宠。
2013-03-05 10:50:331544 （Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂
2012-08-15 17:11:45
DRAM存储器M12L1616lA资料分享
2021-05-12 08:06:46
才会停止DRAM的投资。从目前各新兴存储器的技术进展来看，读写速度都已纷纷进入10ns的目标区，而且不需要更新电流(refresh current)，对功耗问题大有好处。况且这些技术也都可以3D堆叠
2018-10-12 14:46:09
同于DRAM的存储技术。首先，FLASH存储器中的每个位都由单个晶体管组成，但是这些晶体管具有称为浮栅的特殊层。通过使用量子隧道将位存储在FLASH存储器中，以将电子捕获在浮栅层中，这使晶体管或多或少具有
2020-09-25 08:01:20
Flash存储器分为哪几类？Flash存储器有什么特点？Flash与DRAM有什么区别？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系统的海量存储器多采用Flash存储器实现扩展，由于Flash存储器具有有限写入次数的寿命限制，因此对于Flash存储器局部的频繁操作会缩短Flash存储器的使用寿命。如何设计出一个合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存储器是一种基于浮栅技术的非挥发性半导体存储器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等几种类型。作为一类非易失性存储器 ,Flash存储器具有自己独特的优点:不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
最近工作上需要对英飞凌XC886这款单片机的Flash进行读写，以下为简要的几点总结：一、Flash存储器结构：XC886共有32KFlash，地址映射如下图所示：共三块P-Flash用来存储程序
2022-01-26 06:46:26
存取速度分类)：1、随机存取存储器：SRAM、DRAM、FRAM；2、非随机存取存储器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory。差强人意的分类为(按易失性分类)：1、易
2012-01-06 22:58:43
。 存储器和储存的要求不同，具体取决于其特性，包括现在已??经过时的技术 (来源：Lauro Rizza) 为了实现随时间进展的存储器和储存而开发的技术，可说是人类聪明才智的典范。发明这些技术的人们利用
2017-07-20 15:18:57
技术的日趋成熟,存储器价格会回稳.然而就DRAM市场来说,谁也不知道DRAM的供货何时才会稳定下来.再来看市场需求状况,虽然有些存储器市场分段的市场需求正在增长,但是这些分段的增长幅度并不高,可见主要的问题是来自于供给侧.
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特点是只要有电源加于存储器，数据就能长期保存。 2、动态DRAM：写入的信息只能保存若干ms时间，因此，每隔一定时间必须重新写入一次，以保持原来的信息不变。 可现场改写的非易失性存储器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特点是只要有电源加于存储器，数据就能长期保存。 2、动态DRAM：写入的信息只能保存若干ms时间，因此，每隔一定时间必须重新写入一次，以保持原来的信息不变。 可现场改写的非易失性存储器
2017-12-21 17:10:53
目录【1】存储器的层次结构【2】存储器的分类【3】SRAM基本原理：结构：芯片参数与引脚解读：CPU与SRAM的连接方式【4】DRAM基本原理：结构芯片引脚解读：【5】存储器系统设计【6】存储器扩展
2021-07-29 06:21:48
存储器的理解存储器是由简单的电子器件例如PMOS管、NMOS管进行组合形成逻辑上的与非或门，之后在此基础上，形成组合逻辑用于存储信息，例如R-S锁存器和门控D锁存器，进而进一步组合复杂化，形成我们
2021-12-10 06:54:11
的应用就是应用程序存储在Flash/ROM中，初始这些存储器地址是从0开始的，但这些存储器的读时间比SRAM/DRAM长，造成其内部执行频率不高，故一般在前面一段程序将代码搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存储器空间，将相应SRAM/DRAM映射到地址0，重新执行程序可达到高速运行的目的。
2018-06-10 00:47:17
7月14日早间消息，据知情人士透露，紫光集团向美国芯片存储巨头美光发出收购邀约，预计收购价格230亿美元。 据悉，紫光集团提议以每股21美元，总代价230亿美元的价格全面收购美光。这是中国企业
2015-07-14 10:44:29
EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术
2020-12-21 07:04:49
各位大神好，我想用FPGA读写DRAM存储器，求大神指点哪位大佬有代码分析一份更是感激不尽，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns至20ns之间。它不需要闪存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。表1存储器的技术规格比较在性能方面，自旋注入MRAM的读取1擦写时间都很短，均在2ns~20ns之间。它不需要闪存所必需
2023-04-07 16:41:05
的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。举个例子，手机软件一般放在
2015-11-04 10:09:56
STM32_FSMC机制的NORFlash存储器扩展技术
2014-03-24 15:17:17
1 Flash类型与技术特点Flash主要分为NOR和NAND两类。下面对二者作较为详细的比较。1.1 性能比较Flash闪存是非易失存储器,可以对存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash器件
2011-04-23 09:22:47
是非易失存储器,可以对存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash器件进行写入操作前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作十分简单;而NOR则要求在进行擦除前,先要将目标块内所有的位都写为0。擦除
2012-12-25 19:29:41
，大数据存储需求持续增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增长率达40%-45%，而美光NAND技术从40nm到16nm，再到64层3D技术，一直为市场提供更好的产品和解决方案。就在几个月前美
2018-09-20 17:57:05
Molex推出下一代高性能超低功率存储器技术
2021-05-21 07:00:24
光存储技术是用激光照射介质，通过激光与介质的相互作用使介质发生物理、化学变化，将信息存储下来的技术。其基本物理原理是：存储介质受到激光照射后，介质的某种性质(如反射率、反射光极化方向等)发生改变，介质性质的不同状态映射为不同的存储数据，存储数据的读出则通过识别存储单元性质的变化来实现。
2019-10-11 09:11:06
flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
1.2 存储器RAM介绍
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
单片机的存储器——几个有关的概念：1、数据存储器——RAM(Random Access Memory)2、程序存储器——ROM(Read Only Memory)3、闪速存储器——Flash
2022-01-26 07:30:11
花旗银行的分析师在最新的报告中，维持了对美商存储器大厂美光股票的中性频等，但下调了美光在2019年的营收及获利预期，理由就是2019年的整体存储器市场将面临大降价的状况。在当前市场因为产能过剩、库存增加
2021-07-13 06:38:27
复杂可编程逻辑器件—FPGA技术在近几年的电子设计中应用越来越广泛。FPGA具有的硬件逻辑可编程性、大容量、高速、内嵌存储阵列等特点使其特别适合于高速数据采集、复杂控制逻辑、精确时序逻辑等场合的应用。而应用FPGA中的存储功能目前还是一个较新的技术。
2019-10-12 07:32:24
我正在学习如何在微控制器断电后使用 STM32L431CC FLASH 存储器存储数据。通过Keil编译，我得到：程序大小：Code=34316 RO-data=1228 RW-data=364
2023-01-12 07:47:33
存储器的基本测试技术有哪些？数字芯片测试的基本测试技术有哪些？
2021-05-13 06:36:41
Flash类型与技术特点有哪些？如何去选择uClinux的块驱动器？如何去设计Flash存储器？
2021-04-27 06:20:01
ROM/SRAM/FLASH组0和DRAM/SDRAM组0，暂未使用外扩接口器件。3基于S3C4510B的嵌入式系统Flash存储器接口电路的调试Flash存储器的调试主要包括Flash存储器的编程（烧
2019-06-10 05:00:01
TPMS技术及轮胎定位原理是什么？如何解决TPMS轮胎换位和调换轮胎时的重新定位问题？怎么实现外置编码存储器轮胎定位技术？
2021-05-14 06:13:50
数字电子技术--半导体存储器[hide][/hide]
2017-05-01 22:26:01
过去存储器与晶圆代工业大致上可以说是「楚河汉界，井水不犯河水」。但在即将来临的时代，存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场，而存储器技术从过去的DRAM、3D NAND，正逐渐走向磁阻式存储器
2018-12-24 14:28:00
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别？特点？小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分，片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM动态随机存储器（Dynamic RAM），“动态”二字指没隔一段时间就会刷新充电一次，不然内部的数据就会消失。这是因为DRAM的基本单元
2019-09-18 09:05:09
DRAM补全计划？此前曾传出紫光将斥资230亿美元收购美的消息，后因美国***的限制，使这笔交易暂时压后。美光就不需要给大家介绍，它的DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块
2016-07-29 15:42:37
目前高级应用要求新的存储器技术能力出现。随着电子系统需要更多的代码和数据，所导致的结果就是对存储器的需求永不停歇。相变存储器(PCM)以创新的关键技术特色满足了目前电子系统的需要。针对电子系统的重点
2018-05-17 09:45:35
网络附属存储技术被定义为一种特殊的专用数据存储服务器，包括存储器件（例如磁盘阵列、CD/DVD驱动器、磁带驱动器或可移动的存储介质）和内嵌系统软件，可提供跨平台文件共享功能。
2019-09-12 09:10:10
本文分别介绍了存储器的分类、组成、层次结构、常见存储器及存储器的选择，最后描述了计算机存储器的一些新技术。存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中全部信息，包括输入的原始数据
2021-09-09 07:47:39
有两个问题请教板上各位大牛，谢谢了。
1、6657芯片中是不是没有程序存储器，是不是必须要外接flash才能存入程序？
2、如果使用外接的flash程序存储器，如何从外部设备启动呢？有没有这样的例程或者手册可以供我参考？我想外接一个flash存储器（通过SPI或者EMIF外接）作为程序存储器，谢谢！
2018-06-21 18:24:08
怎样去设计DSP自动引导装载系统的硬件？对FLASH存储器进行烧写有哪些步骤？怎样使用FLASH存储器去设计引导装载系统？
2021-04-27 07:13:39
网络存储器技术是如何产生的？怎样去设计一种网络存储器？
2021-05-26 07:00:22
)、EEPROM和Flash。这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座
2011-11-21 10:49:57
给出一种以带有看门狗功能的新型单片机 AT89C55WD为核心、插拔式FLASH MEMORY为存储器的无纸记录仪的设计与实现；介绍该系统的硬件电路构成和基于 C51的系统软件设计与实现。
2009-04-06 10:03:11
37 较为详细地介绍嵌入式操作系统uClinux 平台下的Flash 存储技术，并给出基于三星S3C4510 系统下Flash 存储器的具体设计实例。
2009-05-15 15:47:2410 Flash 存储器的简介
在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统，该存储器系统可用作代码和数据
2010-11-11 18:25:094564 
FLASH存储器（也就是闪存）就 是非易失随机访问存储器（NVRAM），特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM两大类，其中常说的内存
2017-10-11 14:39:468295 Flash存储器技术趋于成熟，应用广泛，它结合了OTP存储器的成本优势和EEPROM的可再编程性能，是目前比较理想的存储器。Flash存储器具有电可擦除、无需后备电源来保护数据、可在线编程、存储密度
2017-10-11 18:57:413776 
FLASH存储器又称闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，由于其断电时仍能保存数据，FLASH存储器通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出
2017-10-13 16:34:3020879 日前，存储器芯片主要供应商之一美光公司（Micron）在香港举行了 2014 夏季分析师大会，会上美光的高层管理人员就 DRAM、NAND 和新型存储器的市场趋势、技术发展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 flash存储器，及闪速存储器，这一类型的存储器具有速度快、方便等特点，是人们使用电脑办公或者娱乐时必备的工具。
2017-10-30 08:54:3431401 FPGA中的存储块DRAM 某些FPGA终端，包含板载的、可以动态随机访问的存储块（DRAM），这些存储块可以在FPGA VI中直接访问，速率非常高。 DRAM可以用来缓存大批量的数据，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
将与合肥睿力12吋厂资源整合，全面对决紫光集团旗下长江存储及联电的晋华集成，借由掌握DRAM、NOR Flash、2D NAND等三大技术，争夺大陆存储器宝座。
2017-11-24 12:51:38431 紫光国芯26日在互动平台表示，公司西安子公司从事DRAM存储器晶元的设计，目前产品委托专业代工厂生产。 未来紫光集团下属长江存储如果具备DRAM存储器晶元的制造能力，公司会考虑与其合作。
2017-11-27 11:05:411848 紫光南京半导体产业基地主要将生产3D NAND FLASH存储芯片和DRAM存储器芯片，一期占地约700亩，二期占地约800亩;这也是紫光拟在武汉投资控制长江存储、在成都打造晶圆厂，另一个紫光大型的存储器生产南京基地也已经实质启动。
2017-11-28 12:54:401970 紫光国芯26日在互动平台表示，公司西安子公司从事DRAM存储器晶元的设计，目前产品委托专业代工厂生产。 未来紫光集团下属长江存储如果具备DRAM存储器晶元的制造能力，公司会考虑与其合作。
2017-12-01 15:44:5512720 目前存储器市况呈现两样情，DRAM持续稳健发展，价格平稳或小涨；NAND Flash则因供过于求，价格缓跌。外界预期DRAM市场第3季将可喜迎旺季，而NAND Flash市场价格也可稍有反弹。
2018-06-22 15:48:00733 中国存储器产业如何发展？本文从纯市场的角度，就DRAM、NAND Flash、封测技术和发展思路等方面提出几点思考。
2018-03-07 17:46:005860 
存储器芯片领域，主要分为两类：易失性和非易失性。易失性：断电以后，存储器内的信息就流失了，例如 DRAM，主要用来做PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR)，两者各占三成。非易失性：断电以后
2018-04-09 15:45:33109972 DRAM技术上取得的进步伴随着多内核处理器的出现、新的操作系统，以及跨多种不同运算平台和应用的越来越多的不同要求，包括服务器、工作站、海量存储系统、超级计算机、台式电脑和笔记本电脑和外设。存储器技术
2020-05-21 07:52:006238 
作为上市公司全资子公司，西安紫光国芯半导体有限公司为DRAM存储器芯片设计公司，属于紫光国微旗下存储器业务平台。e公司记者发现，本次紫光国微置出资产主要出于研发投入资金压力和间接控股股东紫光集团整体战略部署考虑。
2018-10-17 10:04:118061 尽管ㄧ些新存储器技术已经研发出来，但在这竞争激烈的市场，只有极少数能够成功。 图1是ㄧ些新存储器技术的列表。然而，无论哪一个技术胜出，这些新型非易失性技术系统的功耗肯定会低于现有的嵌入式 NOR 闪存和 SRAM，或是，离散 的 DRAM 和 NAND 闪存的系统。
2018-12-24 11:04:3410846 
过去存储器与晶圆代工可以说是“楚河汉界，井水不犯河水”。但在即将来临的时代，存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场，而存储器技术从过去的DRAM、3D NAND，正逐渐走向磁阻式存储器(MRAM)等完全不同模式的新技术。
2018-12-25 14:39:563068 随着福建晋华和合肥长鑫两大阵营投入研发 DRAM 技术，若两大厂研发成功且量产，西安紫光国芯的DRAM设计实力恐与这两家再度拉大，合并紫光国芯后的紫光存储要如何进行大整合，以发挥集团的存储战力，还待时间观察。
2019-02-25 10:22:499118 作为全球知名的存储器厂商，近日，美光召开了2019年投资者大会，在大会中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技术的发展以及规划。
2019-05-24 16:56:353984 近日，半导体综合性企业紫光集团在其官网宣布，公司已经成立一个新的事业群，专注于内存芯片动态随机存储器（DRAM）。DRAM是一种最为常见的系统内存，广泛应用于智能手机、笔记本电脑、数据中心服务器等设备中。
2019-08-07 10:59:171196 作为中国DRAM产业的领导者，长鑫存储正在加速从DRAM的技术追赶者向技术引领者转变，用自主研发的DRAM技术和专利，引领中国实现DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 8月27日，重庆市人民政府与紫光集团签署紫光存储芯片产业基地项目合作协议。紫光集团将在重庆建设包括DRAM总部研发中心在内的紫光DRAM事业群总部、DRAM存储芯片制造工厂，据悉，DRAM存储芯片制造工厂计划于2019年底开工建设，预计2021年建成投产。
2019-08-30 14:21:29603 据外媒报道，东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器（Storage Class Memory）解决方案：XL-Flash，该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC。
2019-09-04 16:41:321234 的网络开发和商业化，但首先让我们看一下当前存储器和新兴的非易失性存储器技术的特点，并了解为什么MRAM能够立足出来。 非易失性存储器技术的比较下表1比较了各种新兴的非存储器技术与已建立的存储器（SRAM，DRAM，NOR和NAND闪
2020-06-09 13:46:16847 
DRAM、SRAM和Flash都属于存储器，DRAM通常被称为内存，也有些朋友会把手机中的Flash闪存误会成内存。SRAM的存在感相对较弱，但他却是CPU性能发挥的关键。
2020-07-29 11:14:1611869 相信有很多人都对计算机里的各种存储器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就会存在，内存条是 dram 还是 nand？nand flash 和 nor flash 的区别又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810522 最近Techinsights举办了一场关于存储技术的网络研讨会，Jeongdong Choe博士介绍了他对最新的DRAM，NAND，新兴和嵌入式存储器技术的观察与分析。以下概述了讨论的相关主题。DRA
2020-12-24 13:13:46752 的统一组织下亮相第五届丝博会，展出了公司研发设计的包括第四代DRAM 存储器在内的全系列晶圆、颗粒及模组产品及全球首系列商用内嵌自检测修复（ECC）DRAM存储器产品。全面展示了西安紫光国芯在集成电路存储器领域的技术实力和创新成果。
2021-05-14 14:52:502843 在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器。先进的 DRAM 存储单元有两种，即深沟
2023-02-08 10:14:575004 Flash存储器是一种非易失性存储器，即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息。
2023-09-09 16:22:282620 随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 近日，三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器，这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性，有望引领未来内存技术的发展。
2024-01-12 14:42:03282
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