3D NAND Flash，中国自主存储器突破点

随着全球物联网、大数据中心、智能家居、便携设备等应用带动的数据存储市场的快速增长，存储器产业迎来了全面的发展契机。中国是全球第二大经济体，也是最大的存储产品消费市场，改变我国存储产品严重依赖进口的局面，在该领域拥有自己的核心技术和产品，也符合国家的战略需求。

近几年，各类存储器中，NAND Flash是一个亮点。2015年全球NAND Flash市场规模达到267亿美元，预计到2020年将达到450亿美元。

然而2D NAND Flash面临发展瓶颈，接近物理极限，其单位面积存储容量难以继续提高，且可靠性降低，而3D NAND存储器将成为提高NAND Flash密度和降低成本的必然途径。

2D NAND Flash产品的出货量将从2015年开始以每年17.1%的速度快速下降，而3D NAND Flash产品的出货量将以200％的年均复合增长率递增，预计2020年达到NAND Flash总量的70%的水平。未来3D NAND Flash产品将逐渐取代传统的2D NAND Flash产品，成为NAND Flash的主流产品。

除了东芝和SanDisk之外，三星（Samsung）、海力士（Hynix）及美光（Micron）都已投入3D NAND Flash技术布局。3D NAND Flash每年成长将达到100%，这是一个巨大的市场机会。

在转向3D NAND方面，实力最强的三星跑得最快，东芝/SanDisk、SK Hynix次之，Intel和美光公司算是比较慢的了，不过一旦3D NAND Flash开始量产，由于容量先天性的优势，产能超过2D NAND Flash是迟早的事。

看好3D NAND Flash即将成为市场主流，2017年3D NAND Flash商机将喷发，三星、东芝、SK Hynix、美光与英特尔等大厂纷扩大3D NAND Flash投资力道，寻求技术与产能进一步突破。

为了不让三星在3D NAND Flash技术世代抢占先机，英特尔已拟定2017年3D NAND Flash战略，在制程技术与产能持续推进下，预计自2017年2月起针对资料中心、专业、消费性与嵌入式市场，将发布多款3D NAND TLC新品。

3D DAND Flash相比DRAM更有助于中国存储器战略实现超越，DRAM生态走向寡占市场，主要被三星、海力士、美光等韩美厂占据，中国在国际市场上可以合作的技术授权方很少，另外相比NAND领域，DRAM存在更高的技术壁垒和大厂折旧优势，不利于中国实现弯道超车。

不同于基于微缩技术的2D NAND Flash，3D NAND Flash的关键技术是薄膜和刻蚀工艺，技术工艺差别较大，而且除了三星，其他企业在3D NAND Flash布局方面走的并不远。

基于此， 中国企业通过技术合作，专利授权许可，快速切入该领域，避免了国际企业在传统技术研发中的设备折旧优势，并且在这个技术变革过程中我们又有望实现弯道超车。