在我们的项目中，时常会有参数或数据需要保存。铁电存储器的优良性能和操作方便常常被我们选用。FM25xxx FRAM存储器就是我们经常使用到的一系列铁电存储器，这一篇我们将讨论FM25xxx FRAM存储器的驱动设计、实现及使用。
2022-12-08 14:56:55
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虽然说使用EEPROM保存参数很有效，但操作及使用次数均有一下限制。当我们的一些参数需要不定时修改或存储时，使用FRAM就更为方便一点。这一节我们就来设计并实现FM24xxx系列FRAM的驱动。
2022-12-08 15:09:11855 
对于做快速存储采集数据类产品的用户来说，在处理突发掉电情况时需要保存现有数据并避免数据丢失，这种情况下有很多种解决方案，铁电存储器(FRAM)就是个很好的选择。FRAM是一种具有快速写入速度
2023-09-22 08:01:59496 
“今天的发布会上，我将给大家介绍最新一颗铁电（FRAM）MSP430产品。截至目前为止，TI是唯一一家在市场上提供FRAM MCU的公司”，德州仪器半导体事业部嵌入式产品业务拓展经理吴健鸿（Paul
2014-07-03 10:15:012882 中来工作。闪存或EEPROM存储器使用电荷泵在芯片上产生高电压（10 V或更高），并迫使电荷载流子通过栅极氧化物。这产生长的写入延迟并且需要高的写入功率，这对存储单元具有破坏性。相比之下，FRAM
2020-08-12 17:41:09
FRAM器件提供非易失性存储，用10年的数据保存时间，在与熟悉的闪存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用现有的基于FRAM存储器和MCU器件，工程师们可以放心地在他们尽管间歇性的断电操作
2021-12-09 08:28:44
以及改进整个系统。而这正是我们采用 FRAM 的微控制器超越业界其他解决方案的优势所在。 FRAM 是一种非易失性 RAM，相较于其他非易失性存储器技术，可实现更快速的数据存储和几乎无限的寿命。 这
2018-09-10 11:57:26
DEMO演示FRAM 特性——“多、快、省”宽泛的FRAM产品线——涵盖SPI、IIC、并行接口，容量向16Mb迈进技术优势解决系列应用瓶颈创新的FRAM 认证芯片促进应用创新
2021-03-04 07:54:14
聚焦AIoT智能新应用
2020-12-02 06:06:54
和配置信息。如果应用中所有存储器的最大访问速度是70ns，那么可以使用1片FRAM完成这个系统，使系统结构更加简单。（3）FRAM与DRAMDRAM适用于那些密度和价格比速度更重要的场合。例如DRAM
2014-04-25 13:46:28
概述：FM25640是RAMTRON公司生产的一款64Kb的 FRAM 串行存储器。它具有100亿次的读写次数，掉电数据可保持10年。该器件支持SPI的模式0&3，最大可达到5 MHz的总线速度，结构容量为8192×8位。它采用8脚DIP封装。
2021-05-18 07:15:49
操作是通过在MTJ两端施加非常低的电压来完成的，从而在部件使用寿命内支持无限的操作。图3：MRAM读写周期FRAM技术FRAM或铁电随机存取存储器使用1个晶体管–1个铁电电容器（1T-1FC）架构，该
2022-11-17 15:05:44
和 SPI）提供的 FRAM 内容在系统即便未加电的情况下用于读取日志消息（例如，通过温度或压力发送器读取）。此外，在系统完成安装并加电之前（或之后），也可在试运行时对配置参数进行编程。通过此类功能，无需为
2015-05-05 15:13:56
SRAM和FRAM之间的相似之处 SRAM和FRAM在许多设计中表现出许多相似的特性。串行SRAM和FRAM具有相似的存储密度，可以支持完全随机的读写访问，并且可以获得所有结果而没有额外的延迟
2020-12-17 16:18:54
本帖最后由 chxiangdan 于 2017-10-10 15:41 编辑
亲爱的电子发烧友小伙伴们！富士通将举办在线研讨会，介绍全新FRAM（铁电随机存储器）解决方案，该器件可在高达摄氏
2017-08-18 17:56:43
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在较慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上运行，但还允许系统设计人员利用MRAM的四倍随机存取周期时间。Everspin
2023-04-07 16:26:28
电源范围内工作。此外，与存储电荷的存储器设备，FRAM装置具有耐α粒子和通常表现出软错误率(SER)检测极限以下。FRAM的优势的影响涟漪通过的系统，例如无线传感器节点，需要高速写入和低功耗工作的组合
2016-02-25 16:25:49
本文以星载测控系统为背景，提出了一种基于 Actel Flash FPGA的高可靠设计方案。采用不易发生单粒子翻转的 flash FPGA芯片，结合 FPGA内部的改进型三模冗余、分区设计和降级重构，实现了高实时、高可靠的系统。
2021-05-10 06:58:47
单芯片FRAM存储解决方案成为嵌入式设计的理想选择
2021-03-04 07:37:38
低功耗应用提高安全性。此外，它们还采用非易失性 FRAM 替代 EEPROM 或闪存提供稳健统一的存储器架构，从而可简化安全系统设计。
2019-07-08 06:03:16
评估闪存系统可靠性，是因为闪存的耐用性规范反映的是平均故障率，每个具体块的耐用性有高有低。此外，保留的可靠性会随耐用性极限的接近而下降，因为保留是根据每个存储器元素的磨损进行统计的。 图1：FRAM
2014-09-01 17:44:09
功耗要求。”在类似如上所述的系统中，FRAM 可带来多种优势。 结合我们 FRAM MCU 的非易失性、写入速度和低功耗以及与 AES 模块及存储器保护单元的集成，使得诸如 MSP430FR5969
2018-09-10 11:57:29
《多媒体电教室的基本构成设备》由会员分享，可在线阅读，更多相关《多媒体电教室的基本构成设备(27页珍藏版)》请在人人文库网上搜索。1、多媒体组合教学应用系统 多媒体电教室 一、多媒体概述 多媒体
2021-09-08 08:13:53
对于做快速存储采集数据类产品的用户来说，在处理突发掉电情况时需要保存现有数据并避免数据丢失，这种情况下有很多种解决方案，铁电存储器(FRAM) 就是个很好的选择。FRAM是一种具有快速写入速度
2023-10-19 09:28:15
非易失性写入性能优于EEPROM。 EEPROM支持不同的页面大小，在这种情况下的EEPROM中的较低页面大小需要更多页面写操作和更多写周期时间。因此造成额外的写延迟。因为FRAM不是分页的存储
2020-09-28 14:42:50
富士通FRAM存储器有哪些特点？富士通FRAM存储器在智能电表中有什么应用？
2021-07-11 06:09:49
量级GB/TB/PB/EB/ZB)！在存储技术领域，低容量密度的嵌入式系统关键数据存储一直似乎风平浪静，其中利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储的FRAM技术波澜不惊的从一个小众产品变成覆盖几乎绝大部分
2020-10-30 06:42:47
如今，有多种存储技术均具备改变嵌入式处理领域格局的潜力。然而，迄今为止还没有哪一种技术脱颖而出成为取代微控制器（MCU）中闪存技术的强劲竞争者，直到FRAM的出现这种情况才得以改变。铁电
2019-08-22 06:16:14
在高温环境下的表现如何？ FRAM 是一项非常强大可靠的存储技术，即使在高温环境下也是如此。 在温度为 85 摄氏度时，FRAM 的数据保持时间超过 10 年。这远远超过***的身份识别 (ID)卡
2018-08-20 09:11:18
可从全新的地点获得更多的有用数据北京2011年5月4日电 /美通社亚洲/ -- 日前，德州仪器(TI)宣布推出业界首款超低功耗铁电随机存取存储器(FRAM)16位微控制器，从而宣告可靠数据录入和射频
2011-05-04 16:37:37
无线流媒体监控系统的相关技术有哪些？无线流媒体监控系统组网特点是什么？无线流媒体监控系统是有哪些部分组成的？无线流媒体监控系统主要应用于哪些领域？
2021-05-25 06:52:23
、火车站、大型商场、商业区、商业小区、体育场、广场等人流量大、商业价值高的区域，媒体发布中心则在各广告运营商的企业中心。在2.5G的网络环境下，各媒体广告运营商主要采用有线网络的形式和人工更换广告存储设备
2015-11-18 09:05:41
MSP430FR2311这个单片机的fram存储地址是什么还有如何设置
2021-06-06 18:21:25
汽车系统的设计变得越来越复杂，因为要不断的加入新的功能，如高级驾驶辅助，图形仪表，车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作，每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器，以便在复位操作和电源
2019-07-23 06:15:10
最近抽空参加了2013富士通半导体的MCU/FRAM铁电存储器技术研讨会，演讲的是一个华裔日本人，赶脚讲的还是比较中肯滴，他说：“由于FRAM产品采用并行接口，I2C和SPI，采用8引脚SOP封装
2013-07-15 10:19:16
便携式和无线传感应用的电池寿命。FRAM是一种新型非易失性存储器，集SRAM的速度、灵活性与耐用度和闪存的稳定性和可靠性于一身，但总功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-11-03 07:28:04
、9uA就可以把数据写完。通过比较可以看到，如果要写很多数据到Flash等传统存储器里，FRAM速度会更快而所需功耗却最低。从擦写数据次数来看，一般存储器写一万来次就到了极限，可FRAM可以在写了10
2021-11-24 07:19:40
铁电存储器FRAM是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器DRAM的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储
2020-05-07 15:56:37
电子工程师的关注，在数据采集系统中用FRAM实时保存数据的方法可使税控机的数据更可靠，软件编程更容易用性。 2.3 铁电存储器在电子道路收费中的应用 2.3.1 概述 电子道路收费系统
2014-04-25 11:05:59
针对媒体分发网络(MDN)系统中现有媒体分发存储策略所存在的问题，为进一步提高系统的性能和满足更多用户的点播请求，提出一种基于分块的存储策略，该策略通过对每部影片
2009-03-30 10:12:19
28 铁电存储器FRAM 是具有低功耗、高写入速度、高耐久力的新型非易失性存储器，应用范围广泛。本文介绍FRAM 及其应用， 并给出FRAM 与MCS-51 单片机的接口电路和软件设计。
2009-05-13 16:25:4525 本文介绍了基于DSP 的硬盘存储式数字媒体系统的特点、应用和实现方案，重点介绍了系统的各个功能单元、数字媒体芯片的选择和使用，并介绍了该系统的发展前景。DSP 既是数
2009-08-07 08:33:0517 提供可靠服务的P2P 流媒体点播系统:针对P2P 流媒体点播的稳定性和可靠性问题，该文提出一种基于节点可靠度和服务质量评价的点播系统结构RP2MoD。节点根据父节点的失效概率计算
2009-10-28 23:10:1222 铁电存储器FRAM详解:
铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写
2008-01-30 09:13:504172 
什么是闪存卡/U盘/SD卡/FIFO/FRAM
闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机
2010-03-24 16:49:501649 铁电随机存储器(FRAM) RFID由于存储容量大、擦写速度快一直被用作数据载体标签。内置的串行接口可将传感
2010-12-10 10:36:05822 :针对当前网络存储技术存在的存储服务瓶颐问题，介绍了一种高可靠可扩展PC集群存储系统的设计方案，并提出了对各个存储结.点所挂磁盘的分组方案，对大小数据对象分别采用不同的
2011-09-21 16:50:000 铁电随机存取存储器（FRAM）是一种非易失性的独立型存储技术，本文将论述FRAM的主要技术属性，同时探讨可充分展现FRAM优势的具体用例。
2012-10-08 15:34:551835 
近几年，FRAM（铁电存储器）比较火，特别是在三表的应用中。网上也有不少对FRAM技术的讨论。这不，小编看到了一篇分享，是某网友总结的FRAM应用的心得，发布在这里供正在使用和将来要使用FRAM的筒子们参考~
2017-03-24 18:27:171915 的人经常会看到，配置有电子标签的注射器具。手术器具要用伽玛射线进行消毒，能够抵抗照射剂量高达50kGy伽玛射线消毒的只有内置FRAM（非易失性随机存储器）的电子标签。我们可以肯定高可靠性的FRAM是适用于高端医疗领域的为数不多的电子产品。
2017-03-28 15:26:181564 
今天，像EEPROM和SRAM这些标准存储器器件已经被广泛应用于医疗设备。而使用FRAM将可能改变普通最终用户和医疗专家对助听器噪声，或是需要更换所用设备中的备用电池而频频抱怨的情况。FRAM产品
2017-03-28 18:11:581494 
遇到的缩写还是以FeRAM居多）作为一种新的存储方式来报道，而现在，越来越多的应用借FRAM的特性实现了自身在可靠性、性能等方面的突破。
2017-03-28 18:41:571055 与传统非易失性存储器相比，FRAM的功耗要低很多，而且写入速度更快。对于类似的写入，FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的写入时间是EEPROM的1/40000，达到SRAM
2017-03-29 11:46:291659 
随着物联网 (IoT) 的扩张，新连接的设备数有望到 2020 年达到数十亿。连接这些设备的主要原因之一是要通过数据处理实现更智能的自动化系统。这些设备收集的数据越多，越有利于作出更明智的决策以及改进整个系统。而这正是我们采用 FRAM 的微控制器超越业界其他解决方案的优势所在。
2017-04-26 17:19:17775 FRAM是集合了ROM和RAM两种存储器的优势。擅于进行高速写入、具有长的耐久力和低功耗。富士通半导体可提供采用串行（I2C和SPI）和并行外设的FRAM产品。 不同接口的产品各自都有哪些特点呢？
2017-09-17 16:34:229447 
富士通在开发高质量、高可靠性存储器FRAM的方面，具有17年以上的丰富量产经验，并在智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域，已取得卓越的应用成果。与时俱进，富士通正积极投入
2017-09-20 12:43:0815 次)和抗辐射特性，非常适合许多工业类和医疗类应用。 在前不久的工业计算机与嵌入式系统展上，富士通半导体公司(Fujitsu)市场部高级产品工程师伍宏杰告诉记者，FRAM是嵌入式领域一个比较有优势的产品，对设计有帮助，很多工程师都有兴趣使用这样一款存储器。
2018-06-02 02:46:0014464 FRAM是ferroelectric random access memor}r（铁电随机存取存储器）的首字母缩写，它是非易失性存储器，即便在断电后也能保留数据。尽管从名称上说，FRAM是铁电存储器，但它不受磁场的影响，因为芯片中不含铁基材料（铁）。铁电材料可在电场中切换极性，但是它们不受磁场的影响。
2018-04-04 09:07:309 关键词：FRAM , 存储器 引言： FRAM存储器可为可穿戴电子产品带来低功耗、小尺寸、高耐用性与低成本。 正文： 铁电RAM(FRAM)存储器广泛应用于工业控制系统、工业自动化、关键任务空间
2018-09-28 15:56:01270 本文档的主要内容详细介绍的是PIC18F87K90单片机读写FRAM铁电存储器的方法存储器免费下载。
2019-01-23 16:41:2532 媒体聚焦丨瑞萨电子两大科技令嵌入式系统实现边缘智能和摆脱电池束缚
2019-07-02 14:11:521784 FM24CL FRAM 存储模块
I2C接口 可排针或排座接入目标板 FRAM外扩存储
型号 FM24CLXX FRAM Board
2019-12-30 09:45:531331 
和FLASH非易失性内存相比，FRAM在EDR应用上有三大关键优势。对于那些有精确时间要求的应用来说，FRAM会立即具备非易失性。这些应用在系统发生故障时，最重要的数据，如数据记录器通常会面临风险。FRAM擦写周期为10E+14，而EEROM为10E+6，FLASH为10E+5，。因此FRAM是数据记录
2020-05-26 11:03:431080 
SPI-FRAM之前，有几个参数需要进行一些系统级分析，包括输出负载，启动时间以及加电和断电斜坡。 比较的可靠性考虑 CY15B104QN FRAM架构采用铁电材料作为存储设备。这些材料的固有电偶极子
2020-09-19 10:07:311628 FRAM器件提供非易失性存储，用10年的数据保存时间，在与熟悉的闪存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用现有的基于FRAM存储器和MCU器件，工程师们可以放心地在他们尽管间歇性的断电操作
2020-09-19 11:56:481727 FRAM是一种铁电存储器，它使用铁电膜作为电容来存储数据，即使数据没有电源也可以保存。采用铁电薄膜作为电容器来存储数据。具有ROM和RAM特性的FRAM在高速读写，高读写耐久性，低功耗，防篡改等方面
2020-09-27 14:32:311634 “永久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能，可字节寻址的非易失性存储设备。MRAM（磁性只读存储器）和 FRAM（铁电 RAM）都具有相似的性能优势：低电压运行，长寿命和极高的速度。它们
2020-12-14 11:30:0038 铁电存储器（FRAM，ferroelectric RAM）是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。
2020-12-03 11:53:166108 独特性能成就技术“硬核”，FRAM 是存储界的实力派。除非易失性以外， FRAM 还具备三大主要优势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。
2021-03-11 09:23:313503 富士通FRAM是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个特长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据保持，不仅不需要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储
2021-04-08 15:42:02824 
FRAM铁电存储器。它是一种采用铁电材料（PZT等）的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势
2021-05-04 10:17:001850 
监控，记录和分析处理。因此需要提高存储器性能和耐久性设计。只有非易失性・高速・高读写耐久性的车规级的存储器FRAM才可以满足所要求的可靠性和无迟延的要求。 FRAM在电池管理系统BMS应用 高烧写耐久性，高速写入操作： •系统每0.1或1秒，
2021-05-04 10:18:00377 
FRAM铁电存储器是一种采用铁电材料（PZT等）的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM和RAM的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。那么
2021-04-26 14:31:28544 富士通半导体主要提供高质量、高可靠性的非易失性铁电存储器FRAM， 富士通半导体早在1995年已开始研发FRAM存储器，FRAM应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等产业领域，以及医疗
2021-04-26 15:49:16689 
开发和量产及组装程序。富士通代理商宇芯电子本篇文章简单介绍一下为何可以说FRAM车规级是满足汽车电子可靠性和无延迟要求的优先存储器选择。 为什么这么说？这就要从FRAM的产品特性开始说起。FRAM的学术名字叫做FERAM，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，
2021-05-11 17:17:09704 
FRAM是一种新型存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点，与EEPROM、FLASH相比，FRAM的读写更快、寿命更长，FRAM已经应用于IC卡和MCU中，预计未来具有广阔的市场前景。FRAM产品具有明显的高新技术特点，符合科创板属性，目前上市公司中尚没有从事该产品的开发。
2021-05-11 17:32:202107 FRAM是电力计量系统中使用的主要存储器，由于具有高耐用性、快速写入和低能耗等优点，FRAM在此领域迅速占领了市场；随着电子设备和存储数据需求的增多使得FRAM受到广泛应用，FRAM能用于如智能电表、水表和煤气表等的常见的计量系统中。
2021-05-12 16:52:49616 赛普拉斯型号CY15B104Q-LHXI主要采用先进铁电工艺的4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。
2021-05-16 16:59:521643 
器。铁电存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行
2021-06-08 16:35:041683 富士通FRAM是新一代非易失性存储器，其性能优于E2PROM和闪存等现有存储器，功耗更低，提供更高的速度和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的，但在RAM等其他方面运行。这种突破性的存储介质用于各种
2021-06-28 15:50:412599 
富士通FRAM（铁电RAM）是新一代非易失性存储器，性能优于 E2PROM 和闪存等现有存储器，功耗更低，速度更快和耐多次读写操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面运行。这种突破性的存储
2021-06-28 15:52:461394 
FRAM是一种非易失性存储器，因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。英尚微存储芯片供应商可提供产品测试及技术支持。
2021-07-27 10:29:281158 FRAM是一种写入速度快的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器（如EEPROM、闪存）相比，FRAM不需要用于数据保存的备用电池，具有更高的读/写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091055 操作和更低的功耗。加贺富仪艾电子旗下代理品富士通半导体的FRAM器件从开始交付给工业市场已超过21年。因此，富士通FRAM是具有成熟量产制造经验的高性能和高度可靠的存储器。 这么优质的存储器都用在了哪里呢？今天小编就为大家梳理一下FRAM的应该领域。 物联
2021-10-28 10:26:562565 便携式和无线传感应用的电池寿命。FRAM是一种新型非易失性存储器，集SRAM的速度、灵活性与耐用度和闪存的稳定性和可靠性于一身，但总功耗更低。M24C16-WMN6TP FRAM MCU是世界上首款具...
2021-10-28 19:21:046 本篇文章宇芯电子主要介绍用FRAM替换闪存或EEPROM的情况，以及如果将FRAM器件成功集成到新的汽车EDR设计中将需要满足的要求。
2022-01-26 18:30:086 什么是FRAM？ FRAM（铁电随机存取存储器）是一种非易失性存储器，它使用铁电薄膜作为电容器来存储数据。FRAM兼具ROM（只读存储器）和RAM（随机存取存储器）的特性，具有写入速度更快
2022-03-02 17:18:36766 铁电存储器FRAM是一种具有快速写入速度的非易失性存储器。与传统的非易失性存储器相比，FRAM不需要备用电池来保留数据，并且具有更高的读/写耐久性，更快的写入速度操作和更低的功耗。今天进行并口
2022-03-15 15:43:44741 铁电存储器称FRAM或FeRAM，FRAM采用铁电晶体材料作为存储介质，利用铁电晶体材料电压与电流关系具有特征滞后回路的特点来实现信息存储。 FRAM结构图 FRAM技术特点： 非易失性：断电
2022-11-10 17:00:141785 
FRAM存储器提供即时写入功能，无限的耐用性和接近零的软错误率，以支持对功能安全标准的遵守。引起人们对用于汽车EDR的FRAM非易失性存储技术的兴趣，因为其使用解决了这些缺点。
2022-11-25 14:19:41327 
FRAM是一种非易失性存储器，因为它结合了ram和非易失性存储器的优点。相对于闪存/EEPROM的写入优势和非易失性使其非常适合在断电情况下存储数据。具有高读写耐久性和快速写入速度。
2021-07-15 16:46:56697 
舞台音响是一种用于舞台演出的音响设备，舞台音响通常会采用外挂小容量的器件来存储数据，因此就要求存储器具有安全、可靠的特性。下图为舞台音响的原理框图，在本方案中，存储采用拍字节的铁电存储器(FRAM
2022-11-25 09:27:52474 
FRAM具有其他传统内存产品所不具备的四个突出特性。特点是：“非易失性”、“高读写耐久性”、“写入速度快”和“低功耗”。
2023-12-15 11:35:46417
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