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电子发烧友网>存储技术>缓冲/存储技术>SK Hynix 确定2018年推出 DDR6 带宽比 HBM2 还要高

SK Hynix 确定2018年推出 DDR6 带宽比 HBM2 还要高

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传英伟达与SK海力士协调2025HBM供应

据可靠消息来源透露,英伟达与SK海力士已开始就2025第一季度的高带宽存储器(HBM)供应量进行协调。这一合作的背后,是双方对未来技术趋势的共同预见和市场需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:431497

HBMHBM2HBM3和HBM3e技术对比

AI服务器出货量增长催化HBM需求爆发,且伴随服务器平均HBM容量增加,经测算,预期25市场规模约150亿美元,增速超过50%。
2024-03-01 11:02:536003

三星重磅发布全新12层36GB HBM3e DRAM

12层HBM3e将每个堆栈可用的总带宽提高到惊人的1,280GB/s,这单个堆栈上RTX 4090可用的全部带宽还要高
2024-03-29 10:47:091352

SK海力士与台积电共同研发HBM4,预计2026投产

HBM3E(第五代 HBM 产品)起,SK海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产;然而,从 HMB4(第六代 HBM 产品)开始,该公司将转用台积电的先进逻辑工艺。
2024-04-19 10:32:071374

SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025

SK海力士宣布,计划于2025下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基础裸片合作协议,原本预计HBM4内存要等到2026才会问世。
2024-05-06 15:10:211338

SK海力士明年HBM产能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高带宽内存(HBM)芯片在2025的产能已经基本售罄。这一成绩主要归功于人工智能(AI)技术的蓬勃发展,极大地推动了市场对HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927

SK海力士加速HBM4E内存研发,预计2026面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 推出 HBM4E 内存在内存带宽 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09978

SK海力士提前一量产HBM4E第七代高带宽存储器

据业内人士预计,HBM4E的堆叠层数将增加到16~20层,而SK海力士原本计划在2026量产16层的HBM4产品。此外,该公司还暗示,有可能从HBM4开始采用“混合键合”技术以实现更高的堆叠层数。
2024-05-15 09:45:351030

SK海力士HBM4E存储器提前一量产

SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026开始,提前一量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明,SK海力士在HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484

三星和SK海力士下半年停产DDR3内存

近日,三星和SK海力士宣布,将于下半年停止生产并供应DDR3内存,转向利润更高的DDR5内存和HBM系列高带宽内存。此举标志着内存行业的一次重要转型。
2024-05-17 10:12:211563

SK海力士与台积电携手量产下一代HBM

近日,SK海力士与台积电宣布达成合作,计划量产下一代HBM(高带宽内存)。在这项合作中,台积电将主导基础芯片的前端工艺(FEOL)和后续布线工艺(BEOL),确保基础芯片的质量与性能。而SK海力士则负责晶圆测试和HBM的堆叠工作,确保产品的最终品质与可靠性。
2024-05-20 09:18:461055

SK海力士:HBM3E量产时间缩短50%,达到大约80%范围的目标良率

据报道,SK海力士宣布第五代高带宽存储(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888

SK海力士力挫三星,稳坐HBM行业领军地位

值得注意的是,早年对HBM技术表现出浓厚兴趣的三星,与英伟达共同研发了HBMHBM2系列产品,然而销售初期市场反应冷淡,导致持续亏损。
2024-05-29 15:50:00932

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞银集团最新报告指出,SK海力士的HBM4芯片预计从2026起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售罄,显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:221511

美光HBM市场雄心勃勃,SK海力士加速应对挑战

在存储芯片领域,美国巨头美光(Micron)近日释放了强烈的市场扩张信号,宣布其目标是在2025自然将高带宽内存(HBM)市场占有率提升至与DRAM市占率相当的水平,即约20%至25%。这一
2024-07-03 09:28:591061

DDR5内存面临涨价潮,存储巨头转向HBM生产

近日,存储芯片市场传来重大消息,SK海力士正式通知市场,其DDR5内存产品将涨价15%至20%,这一举动无疑给市场投下了一枚震撼弹。此次涨价的根源在于,SK海力士、美光、三星等存储芯片巨头纷纷调整
2024-08-15 10:19:212762

SK海力士携手Waymo提供第三代高带宽存储器(HBM2E)技术

据最新消息,SK海力士正携手Waymo,为其标志性的自动驾驶汽车项目“谷歌汽车”提供前沿的第三代高带宽存储器(HBM2E)技术。这一合作预示着随着自动驾驶技术的日益普及,HBM不仅将在人工智能(AI)服务器领域大放异彩,更将逐渐渗透至汽车芯片市场,成为未来五的热门选择。
2024-08-15 14:54:392040

英伟达加速推进HBM4需求,SK海力士等存储巨头竞争加剧

韩国大型财团SK集团的董事长崔泰源在周一的采访中透露,英伟达的首席执行官黄仁勋已向SK集团旗下的存储芯片制造巨头SK海力士提出要求,希望其能提前六个月推出下一代高带宽存储产品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:001707

英伟达向SK海力士提出提前供应HBM4芯片要求

近日,韩国SK集团会长透露了一项重要信息,即英伟达公司的首席执行官黄仁勋已向SK海力士提出了一项特殊的要求。黄仁勋希望SK海力士能够提前六个月供应其下一代高带宽内存芯片,这款芯片被命名为HBM
2024-11-05 10:52:481202

HBM4需求激增,英伟达与SK海力士携手加速高带宽内存技术革新

随着生成式AI技术的迅猛发展和大模型参数量的急剧增加,对高带宽、高容量存储的需求日益迫切,这直接推动了高带宽内存(HBM)市场的快速增长,并对HBM的性能提出了更为严苛的要求。近日,韩国SK集团
2024-11-05 14:13:031482

英伟达加速Rubin平台AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存储器

日,英伟达(NVIDIA)的主要高带宽存储器(HBM)供应商南韩SK集团会长崔泰源透露,英伟达执行长黄仁勋已要求SK海力士提前六个月交付用于英伟达下一代AI芯片平台Rubin的HBM4存储芯片。这一消息意味着英伟达下一代AI芯片平台的问世时间将提前半年。
2024-11-05 14:22:092108

SK海力士推出48GB 16层HBM3E产品

近日在一次科技展览上,SK海力士惊艳亮相,展出了全球首款48GB 16层HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)产品。这一突破性产品不仅展示了SK海力士在高端存储技术领域
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士发布HBM3e 16hi产品

在近日举办的SK AI Summit 2024活动中,SK hynixSK海力士)透露了一项令人瞩目的新产品计划。据悉,该公司正在积极开发HBM3e 16hi产品,这款产品的每颗HBM芯片容量高达48GB,将为用户带来前所未有的存储体验。
2024-11-14 18:20:201364

浅谈DDR6 RAM设计挑战

DDR6 RAM 是 目前DDR 迭代中的最新版本,最大的数据速率峰值超过 12000 MT/s。
2024-12-03 16:47:012067

SK海力士HBM技术的发展历史

SK海力士在巩固其面向AI的存储器领域领导地位方面,HBM1无疑发挥了决定性作用。无论是率先开发出全球首款最高性能的HBM,还是确立并保持其在面向AI的存储器市场的领先地位,这些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一个团队”协作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

英伟达、微软、亚马逊等排队求购SK海力士HBM芯片,这些国产设备厂迎机遇

AMD、微软和亚马逊等。   HBM(高带宽存储器),是由AMD和SK海力士发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场合。如今HBM已经发展出HBM2HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代产品,SK海力士目前是唯一能量产HBM3的厂商。   HBM 成为
2023-07-06 09:06:313695

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