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电子发烧友网>存储技术>缓冲/存储技术>三星量产全球最快3D NAND闪存 64层速率高达1Gbps

三星量产全球最快3D NAND闪存 64层速率高达1Gbps

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3D NAND flash大战开打 三星独霸局面打破

记忆体的3D NAND flash大战即将开打!目前3D NAND三星电子独家量产,但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营,如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND,而且已经送样,三星一家独大的情况将划下句点。
2018-12-13 15:07:47991

长江存储计划量产643D NAND闪存芯片 闪存市场将迎来一波冲击

国产存储芯片再下一城,日前有产业链方面的消息称,中国长江存储将如期在今年年底量产643D NAND闪存芯片,这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。
2019-04-01 16:53:121582

基于Xtacking架构的643D NAND闪存已实现量产

现在,长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:002263

华为何刚亲测联通5G网络 下载速率1Gbps

工信部透露5G牌照发放在即,中国将进入5G商用元年,而5G有多快?4日,在华为上海研究所,华为手机产品线总裁何刚现身用5G折叠屏手机HUAWEI Mate X接入联通5G网络,亲测下载速率1Gbps
2019-06-08 18:00:005849

三星嵌入式存储芯片 全球量产速度最快

三星最新宣布,已开始量产行业首款eMMC 5.0存储产品。这是全球速度最快的嵌入式存储芯片,三星将提供16GB、32GB和64GB三种规格的产品。
2019-07-02 11:46:15747

长江存储推出了全球首款基于Xtacking架构的643D NAND闪存

长江存储643D NAND闪存全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产闪存产品,拥有同代产品②中最高的存储密度。Xtacking®可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元
2019-09-03 10:07:021051

我国首次实现64层3DNAND闪存芯片的量产 将大幅缩短与国际先进水平的差距

近日,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首次实现643D NAND闪存芯片的量产,将大幅拉近中国与全球一线存储厂商间的技术差距。
2019-09-17 11:45:193516

中国首次量产643D NAND闪存芯片会有什么市场影响

紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存
2019-09-19 11:10:09682

中国量产643D NAND闪存芯片会带来什么影响

紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存
2019-09-23 17:05:241028

中国首款64层的3DNAND闪存已经开始量产

紫光集团旗下长江存储正式宣布,公司已开始量产基于Xtacking?架构的中国首款64层256Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-10-08 11:29:181357

美光将推出最新的第四代3D NAND闪存

美光宣布,已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片,应用了全新的替换栅极(RG)架构,并计划在明年投入量产
2019-10-14 16:04:32791

三星正在研发160层及以上的3D闪存

据了解,136层第六代V-NAND闪存三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺,从现在的单堆栈(single-stack)升级到双堆栈(double-stack),以便制造更高层数的3D闪存
2020-04-20 09:06:01473

浅谈QLC闪存颗粒的固态硬盘的使用寿命

最近关于QLC闪存的消息不断,最劲爆的莫过于武汉长江存储成功研发全球首款128层QLC 3D NAND闪存,多项技术世界领先,最快年底量产
2020-07-30 11:40:1017363

美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存

IT之家11月12日消息 今日,美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存,刷新行业纪录,实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到,这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:571857

美光发布176层3D NAND闪存

的应用效能。 据了解,176层3D NAND闪存是美光第二代替换闸(Replacement Gate)架构,是目前全球技术最为先进的NAND节点,相较于前代3D NAND相比,美光176层3D NAND闪存
2020-11-12 16:02:552599

NAND闪存市场竞争愈发激烈

 在3D NAND技术赛跑中,三星长期处于领先地位,截至目前,其3D NAND闪存已经陆续演进至128层。
2022-06-14 15:21:152100

长江正式打破三星垄断,192层3D NAND闪存实现年底量产

长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32层NAND闪存,以及64层堆栈3D NAND闪存,成功进入了华为Mate40手机的供应链。
2022-06-17 10:56:216521

三星开始量产第8代V-NAND,存储密度高达1Tb

* 三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度,可更高效地为企业扩展存储空间 深圳2020年11月8日 /美通社/ --  作为全球化的半导体企业,正如在2022年度闪存峰会
2022-11-08 13:37:36577

什么是3D NAND闪存

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147

三星:2030年3D NAND将进入1000层以上

 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:291744

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53282

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