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FE的分档标志。
表12 日本半导体器件型号命名法
|
第一部分 |
第二部分 |
第三部分 |
第四部分 |
第五部分 |
||||||
|
用数字表示类型
或有效电极数 |
用字母表示器件
的极性及类型 |
用数字表示在日本电子工业协会登记的顺序号 |
用字母表示
对原来型号
的改进产品 |
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符号 |
意义 |
符号 |
意义 |
符号 |
意义 |
符号 |
意义 |
符号 |
意义 |
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0 |
S |
A |
四位以上的数字 |
ABCDEFLL |
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B |
||||||||||
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C |
||||||||||
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D |
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1 |
F |
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2 |
G |
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H |
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J |
||||||||||
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K |
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3
LL |
M |
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n-1 |
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日本半导体器件型号命名法有如下特点：
1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。
2) 第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。
3) 第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。
4) 第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。
5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。
6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。
7) 在低频管（2SB和2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频率fT为100MHz，所以，它们也可当高频管用。
8) 日本通常把Pcm1W的管子，称做大功率管。
1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。
2) 第二部分均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。
3) 第三部分表示极性和类型。例如用A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。
4) 第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。
5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。
6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把2S省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A简化为C502A。
7) 在低频管（2SB和2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频率fT为100MHz，所以，它们也可当高频管用。
8) 日本通常把Pcm1W的管子，称做大功率管。
- 命名(9916)
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