半导体二极管的型号命名方法
国产二极管的型号命名规定由五部分组成,即:
2009-08-22 15:23:06
2066 半导体二极管型号命名方法
国际电子联合会半导体器件的型号命名分四部分组成,各部分的含义见下表。 第一
2009-11-12 10:15:39
2094 电子元器件基础知识——半导体器件
一、 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件
2009-11-28 09:40:59
1887 、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号 例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管触日本半导体分立器件型号命名方法 二、日本生产的半导体分立器件
2021-05-25 07:46:36
半导体器件与工艺
2012-08-20 08:39:08
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
2011-10-23 22:05:11
半导体器件热谱分析方法
2016-04-18 16:38:19
半导体器件物理(胡正明)
2020-09-22 19:57:16
半导体器件相关超级群94046358,欢迎加入!涉及半导体器件及其制造工艺及原料,有兴趣的兄弟姐妹们加入了,500人的大家庭等着你...
2011-05-01 07:57:09
请问半导体分立器件怎么分类?
2011-10-26 10:29:14
半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件,当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时,在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量,可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术,其特点是无运动部件,可靠性也比较高。半导体制冷片的工作原理是什么?半导体制冷片有哪些优缺点?
2021-02-24 09:24:02
摘要 : 导读:ASEMI半导体这个品牌自打建立以来,就一直不间断在研发半导体各类元器件,在半导体的制程和原理上可谓已经是精益求精,今天ASEMI半导体要和大家一起分享的,就是这个半导体的制程导读
2018-11-08 11:10:34
在制造半导体器件时,为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体,使之导电性极差,然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电性?
2012-07-11 20:23:15
近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类(吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体
2021-07-12 07:49:57
本人小白,最近公司想上半导体器件的塑封生产线,主要是小型贴片器件封装,例如sot系列。设备也不需要面面俱到,能进行小规模正常生产就行。哪位大神能告知所需设备的信息,以及这些设备的国内外生产厂家,在此先行感谢!
2022-01-22 12:26:47
半导体存储元器件工作原理
2017-02-05 13:25:23
半导体材料半导体的功能分类集成电路的四大类
2021-02-24 07:52:52
的状态,因此5月份美洲地区半导体销售额有望继续回升。 亚太地区营收为133.1亿美元,同比下滑0.97%,降幅较3月份大幅收窄6.73个百分点;日本地区销售额为33.8亿美元,同比下滑0.88
2012-06-12 15:23:39
请教下以前的[半导体技术天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半导体材料从发现到发展,从使用到创新,拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初,就曾出现过点接触矿石检波器。1930年,氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用,是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成,成为半导体的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半导体气敏器件相关资料分享
2021-04-01 06:01:54
国际半导体芯片巨头垄断加剧半导体芯片产业呈现三大趋势
2021-02-04 07:26:49
日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管
2021-05-28 07:23:05
这次日本的地震对对家日本半导体和元器件的厂商多有些影响。比如Memeory, 被动元器件电容,电阻,本来趋向稳定的市场,在短时间里,可能又会有缺货发生。可能影响到电脑,手机 和一些消费类电子产品。
2011-03-14 22:48:08
材料。与目前绝大多数的半导体材料相比,GaN 具有独特的优势:禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高,使其成为最令人瞩目的新型半导体材料之一。目前,GaN 基发光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
赶上甚至超过了成本昂贵的硅上氮化镓产品的替代技术。我们期待这项合作让这些GaN创新在硅供应链内结出硕果,最终服务于要求最高的客户和应用。”意法半导体汽车与分立器件产品部总裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
智能电表芯片单片集成开发智能电表所需的全部重要功能,能够满足多个智能电网市场的需求。这些电表连接消费者和供电公司,提供实时电能计量和用电数据分析功能。意法半导体亚太区功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
ST意法半导体意法半导体拥有48,000名半导体技术的创造者和创新者,掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM),意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发
2022-12-12 10:02:34
功率半导体器件概述功率半导体器件基本概念功率半导体器件(Power Semiconductor Device)又称电力电子器件(Power Electronic Device)。1940年贝尔实验室
2019-02-26 17:04:37
韩国《每日经济新闻》3月15日消息,三星电子已在日本建立一个新的半导体研发中心,将现有的两个研发机构合二为一,旨在推进其芯片技术并雇佣更多优秀研发人员。据报道,三星电子于去年年底重组在日本横滨和大阪
2023-03-15 14:04:55
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管
2021-05-25 08:01:53
`<div>在***主导、企业奋进、民间关注的当下,中国半导体产业正一片火热,进而吸引了一大批国际企业的目光。2018年11月14日外媒消息称,日本半导体商社
2018-11-16 13:59:37
1,半导体基础2,PN节二极管3,BJT和其他结型器件4,场效应器件
2020-11-27 10:09:56
元件来适应略微增加的开关频率,但由于无功能量循环而增加传导损耗[2]。因此,开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件
2018-10-30 16:46:03
点击: 功率半导体器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半导体器件应用手册功率半导体器件应用手册——弯脚及焊接应注意的问题本文将向您介绍大家最关心的有关TSE功率半导体器件封装的两个问题:一、 怎样弯脚才能不影响器件的可靠性?二、 怎样确保焊接
2008-08-12 08:46:34
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件
2021-09-09 06:29:58
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET,常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC,常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
根据不同的诱因,常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体,机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时,设备由于放电而发生充电,设备接地,放电电流将立即流过电路,导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
常用半导体器件本章要求:一、理解PN结的单向导电性,三极管的电流分配和 &
2009-09-30 18:12:20
;第五部分表示规格。具体规定见表 3.1 所示。2.日本常用半导体器件的型号命名标准 3.美国常用半导体器件的型号命名标准 4.常用的整流二极管型号及性能 5.硅高频小功率三极管参数 6.部分国外硅高频
2017-11-06 14:03:02
半导体元器件是用半导体材料制成的电子元器件,随着电子技术的飞速发展,各种新型半导体元器件层出不穷。半导体元器件是组成各种电子电路的核心元件,学习电子技术必须首先了解半导体元器件的基本结构和工作原理
2008-05-24 10:29:38
常用的功率半导体器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
手机日本电波法MIC认证,平板电脑日本电波法MIC认证,蓝牙耳机日本电波法MIC认证日本TELEC认证所需资料1.电路原理图Schematics2.电路走线图PCB Layout3.电路元器件位号图
2019-11-08 14:43:06
中国,2018年2月26日 – 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)今天宣布与远创达科技公司签署一份
2018-02-28 11:44:56
总裁Georges Penalver• 法律顾问部总裁Steven Rose• 模拟器件、MEMS和传感器产品部总裁Benedetto Vigna。意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc
2018-06-04 16:24:42
• 意法半导体嵌入式软件包集成Sigfox网络软件,适用于各种产品,按照物联网应用开发人员的需求专门设计 • 使用STM32微控制器、超低功耗射频收发器、安全单元、传感器和功率管理器件,加快
2018-03-12 17:17:45
▌峰会简介第五届意法半导体工业峰会即将启程,现我们敬邀您莅临现场,直击智能热点,共享前沿资讯,通过意法半导体核心技术,推动加快可持续发展计划,实现突破性创新~报名链接:https
2023-09-11 15:43:36
的硬件和(免费)注册中国,2018年2月9日 —— 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)今天宣布,包括学生
2018-02-09 14:08:48
半导体最初计划在云中为每个STM10器件提供32块电路板,后续还会有更多电路板(来源:意法半导体)优化代码STM32Cube工具箱中的工具.AI包括图形优化器,它可以转换微控制器的TensorFlow
2023-02-14 11:55:49
`中国,5月28日—— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供货商意法半导体( STMicroelectronics ,简称 ST ;纽约证券交易所代码: STM )发布 了2018 年可持续发展
2018-05-29 10:32:58
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;)发布一款创新的显示屏背光LED控制器芯片。新产品可简化手机与其它便携电子产品的电路设计,为
2011-11-24 14:57:16
新冠病毒对世界半导体影响全球疫情还在蔓延,根据2020年2月27日的疫情统计数据,韩国累计确诊感染者达到1595人,日本感染者达894人。一衣带水的日韩疫情凶猛,也牵动着全球半导体产业的脉搏,因为
2020-02-27 10:45:14
求购ML7345C日本蓝碧石半导体,量大价格是多少,这么联系
2016-06-28 08:11:30
、日本等国家和组织启动了至少12项研发计划,总计投入研究经费达到6亿美元。借助各国***的大力支持,自从1965年第一支GaAs晶体管诞生以来,化合物半导体器件的制造技术取得了快速的进步,为化合物半导体
2019-06-13 04:20:24
大家好,首次发帖。本人为意法半导体工程师,因为下面一个molding工程师要辞职,继续补充新鲜血液。要求:一.熟悉molding制程,需特别熟悉molding compound的性能为佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
意法半导体拥有最先进的平面工艺,并且会随着G4不断改进:• 导通电阻约比G3低15%• 工作频率接近1 MHz• 成熟且稳健的工艺• 吞吐量、设计简单性、可靠性、经验…• 适用于汽车的高生产率
2023-09-08 06:33:00
电力半导体器件的分类
2019-09-19 09:01:01
意法半导体官方的库怎么搞?求解答
2021-12-15 07:31:43
半导体材料是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类
2019-06-27 06:18:41
本人半导体行业多年,因长期开会员,故建一高级群:94046358半导体器件,欢迎各位加入!
2009-11-18 15:43:56
半导体器件型号的命名方法一.国产半导体器件型号命名1. 型号由五个部分组成第一部分;用阿拉伯数字表示器件的电极数目第二部分;用汉语拼音字母表示器件的材
2008-09-30 19:16:50
0 半导体器件试验⽅法l IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevicesl GB/T29332半
2024-01-29 22:00:42
一、 中国半导体器件型号命名方法
2006-04-17 20:47:46
911 一、 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分
2006-06-30 13:01:22
1256 半导体集成电路型号命名法
半导体集成电路的型号由5部分组成,各部分的符号及意义见附表1-16。
附表1-16 半导体集成电路型号
2007-12-19 15:45:08
9087 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A4/47/wKgZomUMM3mAThJzAAATrIq3c2k391.gif)
国产半导体器件命名
1. 国产半导体器件型号由五个部分组成第一部分;用阿拉伯数字表示器件的电极数目
2008-09-30 19:19:50
1718 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A4/68/wKgZomUMNBKAILTjAACgTTaPZOw253.jpg)
常用进口半导体器件型号命名
表 2 进口
2008-09-30 20:05:41
858 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A4/68/wKgZomUMNBKATFULAAC4kl-mMM4533.jpg)
半导体分立器件的命名方法
表9 国产半导体分立器件型号命名法
2008-12-19 01:17:30
1505 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A4/81/wKgZomUMNH2AVwIDAAAjIAA3ZK8143.jpg)
我国半导体分立器件的命名法
表9 国产半导体分立器件型号命名法
2008-12-19 01:18:21
1410 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A4/81/wKgZomUMNH2AMf7aAACV43gKEW4199.jpg)
国际电子联合会半导体器件命名法
表10 国际电子联合会半导体器件型号命名法
2008-12-19 01:19:04
986 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A4/81/wKgZomUMNH2AK4ONAAAvVmA29BY008.jpg)
美国半导体器件型号命名方法
表11 美国电子工业协会半导体器件型号命名法
2008-12-19 01:19:49
1062 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A4/81/wKgZomUMNH2AKNMYAABBkFPIFjE988.jpg)
电子元器件基础知识(1)——半导体器件
一、 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管
2009-11-12 17:21:55
2171 各国半导体器件型号命名方法介绍
一、 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、
2009-11-28 09:42:37
683 欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家,如德国、荷兰采用如下命名方法。第一部分:O-表示半导体器件
2009-12-03 13:47:29
802 中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五
2010-01-15 14:52:17
2289 美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:
&nbs
2010-01-16 10:11:14
1137 中国半导体分立器件型号的命名方法
中国晶体管和其他半导体器件的型号,通常由以下五部分组成:第一部分:用阿拉伯数字表示器件的有效电极数
2010-02-05 09:54:26
1848 日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:
&nbs
2010-02-06 14:36:46
1462 半导体器件,半导体器件的种类
半导体器件从肯有2个管脚的二极管到最新的系统LSI、超大功率器件均有广泛的研究,且被广泛地运用于手机、数码家电产品
2010-03-01 17:25:02
5985 半导体三极管的型号和命名方法
国家标准对半导体三极管的命名如下
2010-03-06 10:11:47
11118 一.中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件.半导体特殊器件.复合管.PIN型管.激光器件的型号命名只有第三.四.五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数
2011-10-31 16:19:39
31 日本京都大学工学院须田淳准教授和木本恒畅教授的研究组近日利用碳化硅(SiC)材料成功开发出可耐2万伏超高压的半导体器件。10月23日该研究组宣布了这一消息。该研究小组于今年
2012-11-15 11:42:52
3653 常用半导体器件常用半导体器件常用半导体器件常用半导体器件常用半导体器件
2015-11-13 15:47:24
0 本文首先介绍了美国半导体分立器件型号命名方法,其次介绍了如何辨别军用半导体器件型号和标志,具体的跟随小编一起来了解一下。
2018-05-31 13:03:25
11754 半导体光电器件是指把光和电这两种物理量联系起来,使光和电互相转化的新型半导体器件。即利用半导体的光电效应(或热电效应)制成的器件。光电器件主要有,利用半导体光敏特性工作的光电导器件,利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。
2019-01-09 15:06:16
24699 到了2018年,世界前10大半导体企业中,已看不到日本企业的身影。
2019-02-23 10:42:38
3257 日本《钻石》周刊6月8日刊登了日本早稻田大学商务金融研究中心顾问野口悠纪雄的一篇文章,题为《日本半导体产业衰退的根本原因是什么?》。普遍认为,日本半导体产业衰退的原因在于技术流出和投资决策失误,但作者则认为关键不在于此。现将文章摘编如下:
2019-06-14 16:42:13
3219 日本半导体制裁韩国事件刷屏半导体圈!(全球恐慌!日本半导体 封杀韩国!)
2019-07-08 14:38:56
7502 一、 中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:
第一部分:用数字
2019-10-04 09:25:00
15806 以史为鉴,看看日本跌下了半导体的神坛,就明白为何现在米国制裁中国的半导体芯片
2023-03-02 11:17:46
1217 功率半导体器件与普通半导体器件的区别在于,其在设计的时候,需要多一块区域,来承担外加的电压,如图5所示,300V器件[1]的“N-drift”区域就是额外承担高压的部分。与没有“N-drift”区的普通半导体器件[2]相比,明显尺寸更大,这也是功率半导体器件的有点之一。
2023-10-18 11:16:21
882 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A9/01/wKgaomUvTuuATqZQAAA5wb6lMBA940.png)
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