新思科技公司(Synopsys)在过去五年多与行业领导者合作共同开发了对FinFET技术的支持,通过提供经生产验证的设计工具与IP来推进对FinFET技术的采用。
2013-02-19 10:42:54823 那么20纳米的平面型晶体管还有市场价值么?这是一个很好的问题,就在此时,在2013年初,20nm的平面型晶体管技术将会全面投入生产而16纳米/14纳米 FinFET器件的量产还需要一到两年,并且还有
2013-03-15 09:02:541989 大家都在谈论FinFET——可以说,这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜 (FDSOI)的人,都认为20 nm节点以后,FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言,其未来会怎样呢?
2013-12-09 13:49:542325 在近期内,从先进的芯片工艺路线图中看已经相当清楚。芯片会基于今天的FinFET工艺技术或者另一种FD SOI工艺的平面技术,有望可缩小到10nm节点。但是到7nm及以下时,目前的CMOS工艺路线图已经不十分清晰。大量的金钱和精力都花在探索FinFET工艺,它会持续多久和为什么要替代他们?
2014-02-25 10:16:565279 当今,英特尔在FinFET制程上仍属于佼佼者,其他半导体厂商正尝试开发3D FinFET与英特尔抗衡。IBM同样在FinFET制程上表现突出,这也是英特尔的主要竞争对手。
2014-10-22 10:17:591615 昨日台积电官方宣布,16nm FinFET Plus(简称16FF+)工艺已经开始风险性试产。16FF+是标准的16nm FinFET的增强版本,同样有立体晶体管技术在内,号称可比20nm SoC平面工艺性能提升最多40%,或者同频功耗降低最多50%。
2014-11-14 09:31:582127 打开这一年来半导体最热门的新闻,大概就属FinFET了,例如:iPhone 6s内新一代A9应用处理器采用新晶体管架构很可能为鳍式晶体管(FinFET),代表FinFET开始全面攻占手机处理器,三星
2015-09-19 16:48:004522 获得英 特尔(Intel)、三星、台积电(TSMC)等大厂采用的FinFET制程,号称能提供最高性能与最低功耗;但Jones指出,在约当14纳米节 点,FD-SOI每逻辑闸成本能比FinFET低16.8%,此外其设计成本也低25%左右,并降低了需要重新设计的风险。
2016-09-14 11:39:021835 FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor;FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。
2017-02-04 10:30:2214159 基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on),同时具有更少的栅极和和输出电荷,这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前
2017-08-25 14:36:2031083 MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分,一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内,半导体的另一个平面可以称为体端,所以在一些书籍和资料中,也将MOSFET
2022-09-06 10:53:004095 功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚,分别为栅极(Gate
2023-06-05 15:12:10671 当前量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类,是按照栅极沟道的形状来区分的,平面型和沟槽型。
2023-06-07 10:32:074310 功率 MOSFET 即金属氧化物半导体场效应晶体管( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )有三个管脚,分别为栅极( Gate
2023-06-28 08:39:353665 本文简述功率在转换器电路中的转换传输过程,针对开关器件MOSFET在导通和关断瞬间,产生电压和电流尖峰的问题,进而产生电磁干扰现象,通过对比传统平面MOSFET与超结MOSFET的结构和参数,寻找使用超结MOSFET产生更差电磁干扰的原因,进行分析和改善。
2023-08-29 14:14:25440 今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm process flow。
2023-11-28 10:45:514257 现在,随着FinFET存储器的出现,需要克服更多的挑战。这份白皮书涵盖:FinFET存储器带来的新的设计复杂性、缺陷覆盖和良率挑战;怎样综合测试算法以检测和诊断FinFET存储器具体缺陷;如何通过内建自测试(BIST)基础架构与高效测试和维修能力的结合来帮助保证FinFET存储器的高良率。
2016-09-30 13:48:242721 横向导电的MOSFET,如下图所示,这个结构及其工作原理以前的文章介绍过:功率MOSFET的结构及特点,其由三个电极:G栅极、D漏极和S源极组成。图1:平面横向导电MOSFET灰色Gate栅极的宽度
2017-01-06 14:46:20
Finfet技术(3D晶体管)详解
2012-08-19 10:46:17
MOSFET简介MOSFET的一些主要参数MOSFET的驱动技术
2021-03-04 06:43:10
1. MOSFET、MESFET、MODFET有何区别?MOSFET是MOS(金属-氧化物-半导体) 做栅极MODFET/MESFET 是用金属-半导体接触(肖特基二极管),用二极管做栅极,速度比
2022-01-25 06:48:08
2所示,公式1极适用于平面型MOSFET组件,但像超接面等更复杂结构的表征效果极差,在任何计算中都会导致较大误差。为了适应各种新组件架构的电容特性需求,可以使用更有效率的电容测量方法,而非建立
2014-10-08 12:00:39
MOSFET及MOSFET驱动电路基础
2021-02-25 06:05:27
在本文中,我们将探讨 MOSFET 和鳍式场效应晶体管的不同器件配置及其演变。我们还看到 3D 配置如何允许每个集成电路使用更多晶体管。 平面与三维 (3D) 平面MOSFET(图1)在Lg
2023-02-24 15:20:59
MOSFET是指的什么?MOSFET的特性是什么?MOSFET有哪些应用?
2021-07-09 07:45:34
MOSFET管的耐压在150左右,电流在80A左右,MOSFET管怎么选择?什么型号的MOSFET管子合适。主要用在逆变器上面的。谢谢??
2016-12-24 14:26:59
我一直以为mosfet内部有静电保护功能,因为从来都没有因手工焊接而击穿过,突然发现这可能不对,MOSFET有内部静电保护吗?
2011-10-21 11:52:40
mosfet没有上电时,mosfet驱动电压很正常,mosfet上电后,mosfet的驱动电压却变成了这个样子,请问这是为什么?
2019-03-05 09:53:17
了人们对于豆腐块充电器的印象。充电器要实现超薄设计,一个重要的先决条件,那就是平面变压器。传统的绕线变压器,初级和次级都有很大部分的空间浪费。而平面变压器在减小充电器厚度上,有非常神奇的效果。平面
2022-05-24 16:52:16
想请教一下,低频信号在板子第一层通过过孔传到第四层,其中第二层是电源第三层是参考地,那么信号在第三层平面切换时会引起地弹和平面振荡吗?
2019-01-05 12:19:21
需要采购MOSFET 测试设备, 满足手工测试MOSFET的电参数(IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等),ID电流最大100A,VDS电压高至1500V, 求推荐生产厂家和设备型号。谢谢。
2021-05-06 09:57:38
(转载一个QQ好友的文章) 很多人对于PCB走线的参考平面感到迷惑,经常有人问:对于内层走线,如果走线一侧是VCC,另一侧是GND,那么哪个是参考平面?要弄清楚这个问题,必须对了解传输线的概念。我们
2014-11-05 09:24:09
QY-JDYT02平面双轴运行控制实训装置有哪些特点?求解答
2021-07-11 08:14:53
号的MOSFET是平面结构,而SJ MOSFET仅仅是结构不同。当然,还有杂质浓度等细小差异。SJ MOSFET因结构不同,导通电阻RDS(ON)(ON)与栅极电荷量Qg显著降低。SJ MOSFET本身其他
2019-04-29 01:41:22
电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。与Si-MOSFET的区别:驱动电压SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比,由于漂移层
2018-11-30 11:34:24
这个地方做了一个电源平面和直接用一个比较粗的电源线有什么区别这样做个电源平面有什么好处
2019-09-24 09:01:40
转自http://www.eet-china.com/ART_8800697889_480201_NT_08124b24.HTM台积电借16nm FinFET Plus及InFO WLP 通吃英特尔
2014-05-07 15:30:16
前言 allegro的电源层平面分割与AD的原理相同,只不过是关于敷铜和分割线的操作有自己的一套方法。 AD的相关文章可以参考之前的这篇:四层PCB核心板制作8——内电层电源平面分割。绘制
2021-12-27 07:14:57
讲解人:鲁肃老师(张飞电子学院高级工程师)我们现在知道了,只要让MOSFET有一个导通的阈值电压,那么这个MOSFET就导通了。那么在我们当前的这个电路中,假设GS电容上有一个阈值电压,足可以让
2021-05-07 10:11:03
,高压器件的主要设计平台是基于平面技术。这个时候,有心急的网友就该问了,超级结究竟是何种技术,区别于平面技术,它的优势在哪里?各位客官莫急,看完这篇文章你就懂了!平面式高压MOSFET的结构图1显示了
2017-08-09 17:45:55
场效应晶体管(IGFET)。MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写,平面型器件结构,按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件
2012-01-06 22:55:02
场效应晶体管(IGFET)。MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写,平面型器件结构,按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件
2012-12-10 21:37:15
什么是MOSFET驱动器?MOSFET驱动器功耗包括哪些部分?如何计算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
`在之前的CAD入门学习教程中小编给大家介绍了强电平面的相关功能技巧,那么在电气CAD图纸的设计工程中,除了要掌握强电平面的设计技巧,弱电平面的相关设计技巧也要熟练掌握。接下来的CAD入门学习
2021-04-02 16:19:51
FinFET成为它们的替代品。鳍式场效应晶体管比平面 MOSFET 更好地阻断短通道效应,从而实现晶体管缩放。 平面设计不会超出 30 nm 的栅极长度。栅极氧化物停止密封源头上的栅极控制,漏极较弱
2023-02-24 15:25:29
无不积极研发经济型高性能碳化硅功率器件,例如Cascode结构、碳化硅MOSFET平面栅结构、碳化硅MOSFET沟槽栅结构等。这些不同的技术对于碳化硅功率器件应用到底有什么影响,该如何选择呢?首先
2022-03-29 10:58:06
PCB工程师layout一款产品,不仅仅是布局布线,内层的电源平面、地平面的设计也非常重要。处理内层不仅要考虑电源完整性、信号完整性、电磁兼容性,还需要考虑DFM可制造性。PCB内层与表层的区别
2022-12-08 11:49:11
功率MOSFET管的电流值有哪几种?如何去选取这些电流值呢?这些电流值又是如何影响系统的呢?
2021-09-08 08:00:58
1 横向双扩散型场效应晶体管的结构功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)有三个管脚,分别为
2016-10-10 10:58:30
工艺技术的演进遵循摩尔定律,这是这些产品得以上市的主要促成因素。对整个行业来说,从基于大体积平面晶体管向FinFET三维晶体管的过渡是一个重要里程碑。这一过渡促使工艺技术经过了几代的持续演进,并且减小
2019-07-17 06:21:02
本文将介绍多层通孔、跳接、接地走线的概念及其之间关系,与各种分离平面的布线技巧,并说明可隔离电源和接电平面的铁粉芯(ferrite)材质之效能特性。
2021-04-25 06:12:22
。由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简单公式作简单通俗的讲解。另外,这里的功率 MOSFET 应用选型为功率开关应用,对于功率放大应用不一定适用
2019-11-17 08:00:00
MOS管具有哪些特性?模块电源中常用的MOSFET驱动电路有哪些?
2021-11-01 06:45:05
求CAD 平面画图提高方法教程视屏都可以 ,有大虾 给点啊
2011-10-08 11:18:01
采用双沟槽结构的SiC-MOSFET,与正在量产中的第2代平面型(DMOS结构)SiC-MOSFET相比,导通电阻降低约50%,输入电容降低约35%。实际的SiC-MOSFET产品下面是可供
2018-12-05 10:04:41
两种原子存在,需要非常特殊的栅介质生长方法。其沟槽星结构的优势如下(图片来源网络):平面vs沟槽SiC-MOSFET采用沟槽结构可最大限度地发挥SiC的特性。相比GAN, 它的应用温度可以更高。
2019-09-17 09:05:05
SMPS的输入电压工作范围有限。或者,可以采用基于耗尽模式MOSFET的方法,如图4所示。耗尽型 MOSFET 提供 PWM IC 启动操作所需的初始电流。在启动阶段之后,辅助绕组将为PWM IC产生
2023-02-21 15:46:31
如何去仿真MOSFET噪声?MOSFET噪声有哪几种?
2021-06-22 07:26:47
大家都在谈论FinFET——可以说,这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人,都认为20 nm节点以后,FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言,其未来会怎样呢?
2019-09-27 06:59:21
finfet都用什么PR工具?现在后端工具inn成主流了吗?没用过Innovus想问一下也能跑skill吗?
2021-06-25 08:09:39
小弟是电子初学者,经常在设计电路时MOSFET管出现损坏,请问造成MOSFET管损坏有哪些原因?
2019-02-19 10:15:25
范围。因为接下来的几篇将谈超级结MOSFET相关的话题,因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基础上,根据其特征和特性对使用区分有个初步印象。下图表示处理各功率晶体管的功率与频率范围。可以看出
2018-11-28 14:28:53
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻,并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低
2018-10-17 16:43:26
AN系列是以“漏极-源极间导通电阻RDS(on)和栅极总电荷量Qg比平面MOSFET大幅降低”为目的,最先开发的SJ-MOSFET。与平面MOSFET相比,RDS(on)降低了50%,Qg降低了40
2018-12-03 14:27:05
力系的分类平面力系:各力的作用线都在同一平面内的力 系,否则为空间力系。平面力系的分
2009-03-15 22:48:0225 P沟MOSFET,P沟MOSFET是什么意思
MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文缩写,平面型器件结构,按照导电沟道的不同可以分为NMOS和PMOS器件。MOS
2010-03-05 14:50:554867 平行的电源平面和地平面提供了第三级的旁路电容。电源-地平面电容的引脚电感为零,没有ESR“
2010-06-12 16:05:233121 22nm以后的晶体管技术领域,靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的,为此,人们关注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶体管技术领域,靠现行BulkMOSFET的微细化会越来越困难的,为此,人们关注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件与基于立体通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品——F-CellTM系列高压MOSFET。这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品
2011-03-28 09:20:221537 在此对功率MOSFET的SEB效应的机理进行了简单分析,并针对600 V平面栅VDMOSFET,利用半导体器件模拟软件Medici研究了缓冲层对提高MOSFET抗SEB能力的影响,提出利用多缓冲层结构改善MOSFET抗
2012-03-07 10:28:061784 本文介绍设计人员如何采用针对FinFET工艺的IP而克服数据转换器设计的挑战。
2017-09-18 18:55:3317 半导体行业目前面临集成电路(IC)制造方法的巨大变革,这一变革旨在不断提高IC的性能和密度,可能会对设计方法产生影响。晶圆代工厂家目前正准备根据finFET概念加强使用三维晶体管结构的14nm
2017-11-28 09:59:080 在2011年初,英特尔公司推出了商业化的FinFET,使用在其22纳米节点的工艺上[3]。从IntelCorei7-3770之后的22纳米的处理器均使用了FinFET技术。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524 我们首先来了解一下什么是FinFET技术。
2017-12-26 16:44:2924211 Pads中无平面 cam平面 分割混合平面的区别 工程师的巨大福利,首款P_C_B分析软件,点击免费领取 PADS软件 层的选项中,分别有 无 平面( NO plane ) 、 CAM平面
2019-08-02 14:16:1714334 如果说在2019 年年中三星宣称将在2021年推出其“环绕式栅极(GAA)”技术取代FinFET晶体管技术,FinFET犹可淡定;而到如今,英特尔表示其5nm制程将放弃FinFET而转向GAA,就已有一个时代翻篇的迹象了。
2020-03-16 15:36:392616 MOSFET大致可以分为以下几类:平面型MOSFET;Trench (沟槽型)MOSFET,主要用于低压领域;SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽栅沟槽)MOSFET,主要用于中压和低压领域;SJ-(超结)MOSFET,主要在高压领域应用。
2021-01-22 08:41:429130 FinFET在22nm节点的首次商业化为晶体管——芯片“大脑”内的微型开关——制造带来了颠覆性变革。与此前的平面晶体管相比,与栅极三面接触的“鳍”所形成的通道更容易控制。但是,随着3nm和5nm技术节点面临的难题不断累积,FinFET的效用已经趋于极限。
2022-08-01 15:33:11952 最小 Lg 是沟道栅极控制的函数,例如从具有不受约束的沟道厚度的单栅极平面器件转移到具有 3 个栅极围绕薄沟道的 FinFET,从而实现更短的 Lg。FinFET 的栅极控制在鳍底部最弱,优化至关重要。
2023-01-04 15:54:511488 SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构,
2023-02-16 09:40:102938 SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道,尽管其工艺复杂,单元一致性比平面结构差。
2023-04-01 09:37:171329 沟槽栅结构是一种改进的技术,指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小,与平面栅相比,沟槽栅MOSFET消除了JFET区
2023-04-27 11:55:023037 两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部,挖出来的沟槽里面,叫做沟槽型MOSFET。针对两种不同的结构,对其导通电阻的构成进行简单的分析介绍。
2023-06-25 17:19:021458 上海雷卯电子有Trench工艺和平面工艺MOSFET,为什么有时候推荐平面工艺MOSFET呢,有时候推荐用Trench工艺MOSFET, 上海雷卯EMC小哥简单介绍如下。
2023-09-27 09:27:49935 KINDERGARTEN上海雷卯电子有Trench工艺和平面工艺MOSFET,为什么有时候推荐平面工艺MOSFET呢,有时候推荐用Trench工艺MOSFET,上海雷卯EMC小哥简单介绍如下。1.
2023-09-27 08:02:48858 ,这些差异对它们的雪崩耐量和性能产生一定影响。在选择哪种类型的MOSFET时需要仔细评估应用的需求和要求。在本篇文章中,我们将详细探讨平面型VDMOS和超结型VDMOS的差异并讨论如何选择适合的类型。 平面型VDMOS与超结型VDMOS的基本结构有所不同。平面型VDMOS的结构相对简单
2023-11-24 14:15:43549 当做到FinFET工艺时才了解到这个名词,在平面工艺时都没有接触SHE(self-heating effect)这个概念。为什么到FinFET下开始需要注意SHE的影响了呢?下面参考一些材料总结一下分享,如有不准确的地方请帮指正。
2023-12-07 09:25:09677
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