IC工艺技术问题

IC工艺技术问题
    集成电路芯片偏置和驱动的电源电压Vcc是选择IC时要注意的重要问题。从IC电源管脚吸纳的电流主要取决于该电压值以及该IC芯片输出级驱动的传输线(PCB线和地返回路径)阻抗。5V电源电压的IC芯片驱动50Ω传输线时，吸纳的电流为100mA；3.3V电源电压的IC芯片驱动同样的50Ω传输线时，吸纳电流将减小到66mA；1.8V电源电压的IC芯片驱动同样的50Ω传输线时，吸纳电流将减小到36mA。由此可见，在公式V=Ldi/dt中，驱动电流从100mA减少到36mA可以有效地降低电压的瞬变V，因而也就降低了EMI。低压差分信号器件(LVDS)的信号电压摆幅仅有几百毫伏，可以想象这样的器件技术对EMI的改善将非常明显。
    电源系统的去耦也是一个值得特别关注的问题。IC输出级通过IC的电源管脚吸纳的电流都是由电路板上的去耦网络提供的。降低电源总线上电压下降的一种可行的办法是缩短去耦电容到IC输出级之间的分布路径。这样将降低“Ldi/dt”表达式中的“L”项。由于IC器件的上升时间越来越快，在设计PCB板时唯一可以实施的办法是尽可能地缩短去耦电容到IC输出级之间的分布路径。一种最直接的解决方法是将所有的电源去耦都放在IC内部。最理想的情况是直接放在硅基芯片上，并紧邻被驱动的输出级。对于IC厂商来说，这不仅昂贵而且很难实现。然而如果将去耦电容直接放在IC封装内的PCB板上，并且直接连接到硅基芯片的管脚，这样的设计成本增加得最少，对EMI控制和提高信号完整性的贡献最大。目前仅有少数高端微处理器采用了这种技术，但是IC厂商们对这项技术的兴趣正与日俱增，可以预见这样的设计技术必将在未来大规模、高功耗的IC设计中普遍应用。
    在IC封装内部设计的电容通常数值都很小(小于几百皮法)，所以系统设计工程师仍然需要在PCB板上安装数值在0.001uF到0.1uF之间的去耦电容，然而IC封装内部的小电容可以抑制输出波形中的高频成分，这些高频成分是EMI的最主要来源。
    传输线终端匹配也是影响EMI的重要问题。通过实现网络线的终端匹配可以降低或者消除信号反射。信号反射也是影响信号完整性的一个重要因素。从减小EMI的角度来看，串行终端匹配效果最明显，因为这种方式的终端匹配将入射波(在传输线上传播的原始波形)降低到了Vcc的一半，因而减小了驱动传输线所需的瞬时吸纳电流。这种技术通过减少“Ldi/dt”中的“di”项来达到降低EMI的目的。
    某些IC厂商将终端匹配电阻放在IC封装内部，这样除了能够降低EMI和提高信号完整性，还减少了PCB板上的电阻数目。检查IC芯片是否采用了这样的技术可以更加清楚IC的输出阻抗。当IC的输出阻抗同传输线的阻抗匹配时，就可以认为这样的传输线实现了“串联终端匹配”。值得注意的是串联终端匹配的IC采用了信号转换的反射模型。而在实际应用中如果沿传输线方向分布有多个负载，并且有非常严格的时序要求，这时串联终端匹配就可能不起作用。
    最后，某些IC芯片输出信号的斜率也受到控制。对大多数的TTL和CMOS器件来说，当它们的输出级信号发生切换时，输出晶体管完全导通，这样就会产生很大的瞬间电流来驱动传输线。电源总线上如此大的浪涌电流势必产生非常大的电压瞬变(V=Ldi/dt)。而许多ECL、MECL和PECL器件通过在输出晶体管线性区的高低电平之间的转换来驱动输出级，通常称之为非饱和逻辑，其结果是输出波形的波峰和波谷会被削平，因而减小了高频谐波分量的幅度。这种技术通过提升表达式“Ldi/dt”中的信号上升时间“dt”项来减小EMI。