ASML在IEDM 2019大会上披露，截至2019年，总共已经使用EUV设备处理了450万片晶圆。该公司最新的NXE：3400C系统每小时可生产170个晶圆。 从2011年到2018年末，通过
2019-12-17 13:58:48
5331 TSV技术应用即将遍地开花。随着各大半导体厂商陆续将TSV立体堆叠纳入技术蓝图，TSV应用市场正加速起飞，包括影像感应器、功率放大器和处理器等元件，皆已开始采用；2013年以后，3D TSV技术更将由8寸晶圆逐渐迈向12寸晶圆应用。
2013-01-27 10:25:003306 全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天披露说，他们将按计划在2015年提供450毫米晶圆制造设备的原型，Intel、三星电子、台积电等预计将在2018年实现450毫米晶圆的商业性量产，与此同时，极紫外（EUV）光刻设备也进展顺利，将在今年交付两套新的系统。
2013-04-21 09:42:141285 庞大的财务与技术障碍继续困扰18吋（450mm）晶圆发展，IC制造商纷纷将原本充满雄心壮志的18吋晶圆相关计划延后，转向将12吋与8吋晶圆生产效益最大化──市场研究机构IC Insights 的最新报告显示，全球晶圆产能到2020年都将延续以12吋晶圆称霸的态势。
2016-10-13 16:21:081531 
本文报道了TSV过程的细节。还显示了可以在8-in上均匀地形成许多小的tsv(直径:6 m，深度:22 m)。通过这种TSV工艺的晶片。我们华林科纳研究了TSV的电学特性，结果表明TSV具有低电阻和低电容；小的TSV-硅漏电流和大约83%的高TSV产率。
2022-06-16 14:02:432749 
来源：半导体风向标 从HBM存储器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市场上有许多芯片是用英文称为TSV构建的，TSV是首字母缩写，意为“通过硅通孔”并翻译为via硅的事实，它们垂直地穿过
2023-07-26 10:06:15619 硅通孔技术（TSV，Through Silicon Via）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术，是2.5D/3D 封装的关键工艺之一。通过垂直互连减小互连长度、信号延迟，降低电容、电感，实现芯片间低功耗、高速通讯，增加带宽和实现小型化。
2024-01-09 09:44:131902 
L-3型卧式车床，其最大加工直径为450mm，最长加工长度为1500mm。是生产型企业常用普通车床之一。
2024-01-22 14:09:48436 
具有代表性的技术包括晶圆级封装（WLP）及采用TSV（硅通孔）的硅转接板等，潜藏着新的商机。
2011-08-28 12:17:464024 
新美光 CEO 夏秋良介绍，450mm 半导体单晶硅棒采用国际最先进 MCZ 技术，代表国际先进水平，改变国内无自主 450mm 半导体级单晶硅棒的局面。将在 28nm 以下晶圆厂实现国产替代。在半导体晶圆厂自主化方面，发挥重要作用。
2020-07-02 09:45:526796 日前，据韩国媒体报道，三星电子和SK海力士都将在DRAM生产中导入EUV技术，以建立更高的技术壁垒。对此，美光（Micron）企业副总裁、中国台湾美光董事长徐国晋表示，美光不打算跟进，目前并无采用 EUV 计划。
2020-10-09 10:34:452136 PICOBLADE 6 CIRCUIT 450MM
2024-03-14 23:13:30
CLICKMATE 6 CIRCUIT 450MM
2024-03-14 23:13:30
2140 MHz和100 MHz的有用带宽。该滤波器用于射频信号的时间对准，并提供450纳秒的绝对延迟。该设备的插入损耗为29分贝，它被封装在一个密封的表面贴装封装。产品型号: 856717产品名称
2018-07-16 10:18:00
ofweek电子工程网讯 国际半导体制造龙头三星、台积电先后宣布将于2018年量产7纳米晶圆制造工艺。这一消息使得业界对半导体制造的关键设备之一极紫外光刻机（EUV）的关注度大幅提升。此后又有媒体
2017-11-14 16:24:44
TSV911AIDCKR
2023-03-28 13:13:59
FreeRTOS笔记（十一）延迟中断
2019-07-23 08:39:30
[table][tr][td] 问题描述： 系统调试过程中发现硬件中断经常得不到及时响应，根据现象推断中断会被延迟达150us以上。 问题分析：中断信号是连到CPLD的，DSP的GPIO6也
2018-08-15 04:17:39
Interface NAMURaE+H液位计FTL51-MBG2BB6E5AL=450MM E+H液位计FTL51-MBG2BB6E5AL=300MME+H 分析仪CPF81－NN11A2恩德斯豪斯CPS11D-7BA21
2021-09-08 13:39:20
MAX1614EUV - High-Side, n-Channel MOSFET Switch Driver Internal On/Off Latch - Maxim Integrated Products
2022-11-04 17:22:44
MICROFJ-30035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03
MICROFJ-60035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03
MICROFJ-60035-TSV-TR1
2023-04-06 23:35:33
：0.5mm/s 和0.1mm/s可调●硬件结构：测针：标准型(高度小于8mm)1支，触针半径2μm，静态测力0.75mN；大理石平台：尺寸≥800×450mm；电动立柱：高度≥450mm；●测量软件依照
2017-02-23 18:12:50
IONIZER BAR 450MM LENGTH
2023-03-23 05:03:39
印刷机上，然后由人工或印刷机把锡膏涂敷于印版上有文字和图像的地方，再直接或间接地转印到电路板上，从而复制出与印版相同的PCB板。参数 •最大板尺寸 (X x Y)：450mm x 320mm •最小板尺寸
2015-01-13 10:12:12
：353mm(宽)×177mm(高)×450mm(长)重量：22kg(通常情况下)————————————————————————————————————————- 以上仪器皆是我们的存货。此推广
2017-06-20 16:40:15
的火花,即450mm及EUV 光刻 机。在LinkedIn半导体制造小组中近期从一家成员公司偶然提出一个问题让我产生了思考。当经济处于复苏的好时机时会改涠杂诖50mm硅片的看法吗？WWK的总裁David Jimenez回答了它的问题。设备制造商会愿意更多的投资来发展450mm设备？传感技术
2010-02-26 14:52:33
仪; 信号发生器; 数字源表; 数字万用表; 单位注册资金单位注册资金人民币200万元以下。 我们公司主要供应二手仪器二手仪器回收|二手仪器维修|二手仪器租赁|二手网络分析仪、频谱分析仪、示波器等产品，我们的产品货真价实，性能可靠，欢迎电话咨询！收购Ti450、回收福禄克/Fluke Ti450
2020-03-24 10:38:19
，其生产线测试必然有全新的需求，此外，EUV也提上了日程，需要全新的测试方案进行验证，这部分2012年会有大量厂商投入研发，还有一个热点是450mm晶圆设备测试验证也进入研发关键阶段。
2012-02-03 09:43:19
硅通孔（TSV）电镀的高可靠性是高密度集成电路封装应用中的一个有吸引力的热点。本文介绍了通过优化溅射和电镀条件对完全填充TSV的改进。特别注意具有不同种子层结构的样品。这些样品是通过不同的溅射和处理
2021-01-09 10:19:52
这个要根据die的大小和wafer的大小以及良率来决定的。目前业界所谓的6寸，12寸还是18寸晶圆其实就是晶圆直径的简称，只不过这个吋是估算值。实际上的晶圆直径是分为150mm，300mm以及450mm这三种，而12吋约等于305mm，为了称呼方便所以称之为12吋晶圆。
2018-06-13 14:30:58
你有TSV6390AIDT和/或TSV6290AIDT的SPICE型号吗？ 谢谢， 何鲁丽 ＃运算放大器，香料宏模型
2019-08-06 14:07:54
你好，热分析要求CY7C2663KV18-450BZI元件高度公差来自PCB。我需要知道最小，典型和最大高度值毫米。图中给出了下面的绘图。给出了马克斯值，但用下图不能从PCB到IC顶部获得Min
2018-10-18 15:24:25
STMicroelectronics 运算放大器 TSV912AIDT 双 高速、精密, 8MHz增益带宽积
2022-05-31 10:04:31
Frequency: 450MHzImpedance: 50 OhmsVSWR: <1.5Gain: 5.0 dBi EA450TGain: 3.0 dBi EB450
2009-03-16 09:32:51
7 本文从延迟锁定环路(DLL)的线性模型出发，运用信号统计分析的方法，详细研究了延迟锁定环路的同步性能与相关区间、环路带宽与信噪比之间的关系，得出了采用窄相关可以显
2009-08-07 10:03:3024 生产450 mm（18 英寸）硅晶圆的经济可行性——来自硅晶圆材料供应厂商的呼声钟 信1． 前言根据历史数据分析，晶圆尺寸的倍增转换周期大约为11 年。第一条 200 mm 生产线投
2009-12-15 15:07:0924 荷兰ISTEQ公司TEUS系列EUV光源产品介绍：ISTEQ公司开发了一种基于激光产生等离子体（LPP）的EUV光源。该光源具有极高的亮度和极高的稳定性。它采用可自刷新的材料，无需中断和更换燃料盒
2023-07-05 16:06:24
荷兰ISTEQ公司TEUS系列EUV光源产品介绍：ISTEQ公司开发了一种基于激光产生等离子体（LPP）的EUV光源。该光源具有极高的亮度和极高的稳定性。它采用可自刷新的材料，无需中断和更换燃料盒
2023-07-05 16:16:48
三项半导体新技术投入使用的时间将后延至2015-2016年
半导体技术市场权威分析公司IC Insights近日发布的报告显示，按照他们的估计，450mm技术以及极紫外光刻
2010-01-26 11:34:36411 三项半导体新技术投入使用的时间将后延
半导体技术市场权威分析公司ICInsights近日发布的报告显示，按照他们的估计，450mm
2010-01-28 09:21:39491 美纽约州匿名团体反对州政府资助450mm项目
日前，一个匿名群体就美国纽约州对CNSE/Sematech在Albany N.Y.的450mm晶圆研发中心进行资助表示反对。这个群体告诉纽约州的政
2010-02-10 10:31:20542 随着半导体业逐渐地走出2008/2009年低谷，450mm硅片的可行性再次提上议事日程。目前450mm最大问题集中在研发成本及未来投资的回报率。
2010-06-09 15:11:38729 
3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV)，从而设计出更小尺寸的通孔，以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间，最终改进信号的完整性。事实上，当前传统的TSV生产供应链已落后于ITRS对其的预测。
2011-01-14 16:10:401719 
近日英特尔公布22nm的3D(三维)技术开发成功，表明一直前景不明的16nm技术可能会提前导入市场。
2011-08-18 10:03:451239 一片18寸(450mm)晶圆产出的芯片数是12寸(300mm)的两倍以上,虽然晶圆尺寸愈大，愈能降低芯片制造成本，但推升晶圆尺寸所需的技术和复杂度高，需要设备、元件等产业链的搭配，建厂成本
2011-12-14 09:07:10697 TSV3DIC技术虽早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技术水准皆尚未成熟情况下，TSV3DIC技术发展速度可说是相当缓慢，DIGITIMESResearch分析师柴焕欣分析，直至2007年东芝（Toshiba）将
2012-02-21 08:45:371435 你最近有看到关于过孔硅（TSV）的新闻吗？
2012-04-16 08:54:465346 台大土木系「高科技厂房设施研究中心」研发人员将于5月中旬进驻竹北分部校区台湾半导体产业及相关产业，预期将在3至5年内进入18寸（450mm）晶圆之量产及14奈米之制程。
2012-05-09 08:40:09722 Crossing Automation, Inc.近日宣布成立新业务部，拓展并研发450mm 晶片自动化平台的发展与产能。
2012-05-11 09:21:13589 台积电先进制程布局火力全开。除20奈米（nm）已先行导入试产外，台积电2013～2015年还将进一步采用鳍式场效应晶体（FinFET）技术，打造16、10奈米制程；同时亦可望推出18寸（450mm）晶圆
2012-09-07 09:05:21766 2012年国际半导体展昨闭幕，450mm（18寸）供应链论坛邀请到台积电（2330）、全球450mm联盟、应用材料、KLA-Tencor、Lam Research等深度探讨450mm未来发展蓝图，并率先预告世界第1座450mm晶圆厂
2012-09-08 09:39:552184 围绕450mm晶圆和EUV（Extreme Ultraviolet，超紫外线）曝光等新一代半导体制造技术的动向日趋活跃。2012年7月，全球最大的曝光设备厂商——荷兰阿斯麦（ASML）宣布，将从半导体厂商获得
2012-09-10 09:31:171087 
在9月初SemiconTaiwan举办的“450mm供应链”研讨会中，台积电和G450C(全球450联盟)明确揭示了18寸晶圆预计于2018年投入量产的发展时程。
2012-09-24 09:13:001007 全球五大半导体业者在2011年共同成立全球450mm联盟，并于美国纽约州Albany设立450mm晶圆技术研发中心。
2012-12-12 09:18:471322 精密真空产品和尾气处理系统领先制造商及相关增值服务全球供应商Edwards 集团有限公司（纳斯达克代码：EVAC）最近加入了一个由全球十家半导体设备公司组成、旨在组建450mm晶圆制造设备联盟（F450C）的工作组。
2013-07-09 11:54:56985 最新行业观察：英特尔14nm将推迟一个季度甚至两个季度！450mm晶圆工艺预期也挪后了。IC Insights数据显示，中国市场已经成为PC、汽车、手机和数字电视的No. 1！关注电子发烧友网，关注最新市场动态！
2013-08-27 12:33:332914 硅通孔技术（Through Silicon Via， TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质
2016-10-12 18:30:2714721 
TSV互连结构传输性能分析及故障建模研究_尚玉玲
2017-01-07 19:00:393 在短短几年前还在半导体产业界被热烈讨论的18寸（450mm）晶圆，似乎失去了背后的推动力，至少在目前看来如此。
2017-01-17 15:32:581140 The TSV99x and TSV99xA family of single， dual， and quad operational amplifiers offers low voltage
2017-09-04 14:51:1812 The TSV358， TSV358A， TSV324， and TSV324A （dual and quad） devices are low voltage versions of the LM358 and LM324 commodity operational amplifiers.
2017-09-05 09:12:306 The TSV6390， TSV6391， and their “A” versions are single operational amplifiers （op amps） offering
2017-09-05 09:34:144 The TSV52x and TSV52xA series of operational amplifiers offer low voltage operation and rail-torail
2017-09-05 09:52:585 The TSV630 and TSV631 devices are single operational amplifiers offering low voltage， low power operation， and rail-to-rail input and output.
2017-09-05 10:04:3216 The TSV622， TSV622A， TSV623， TSV623A， TSV624， TSV624A， TSV625， and TSV625A dual and quad operational amplifiers offer low voltage
2017-09-05 10:58:254 The TSV620， TSV620A， TSV621， and TSV621A are single operational amplifiers offering low voltage， low power operation
2017-09-05 11:01:536 The TSV85x， TSV85xA series of single， dual， and quad operational amplifiers offer low voltage operation with a rail-to-rail output swing.
2017-09-25 10:42:0911 沙子转变为半导体级硅的制备，再将其转变成晶体和晶圆，以及生产抛光晶圆要求的工艺步骤。这其中包括了用于制造操作晶圆的不同类型的描述。生长450mm直径的晶体和450mm晶圆的制备存在的挑战性。
2018-07-19 10:09:3113334 的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。基于TSV技术的3D封装主要有以下几个方面优势：
2018-08-14 15:39:1089027 电子发烧友网为你提供TI(ti)TSV914相关产品参数、数据手册，更有TSV914的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，TSV914真值表，TSV914管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2018-11-02 18:33:05
本文档的主要内容详细介绍的是SU450B写频器驱动和华为SU450写频软件及华为SU450写频方法资料概述。
2018-10-22 08:00:0061 磁带延迟效果与单块的作用原理不同，磁带延迟使用的是通过录音的方式然后通过磁带的循环播放来实现。磁带延迟相当受欢迎，因为它能够提供多种延迟时间和速度调节，并且声音相当自然。
2019-06-17 14:15:165622 格芯首席技术官Gary Patton表示，如果在5nm的时候没有使用EUV光刻机，那么光刻的步骤将会超过100步，这会让人疯狂。所以所EUV光刻机无疑是未来5nm和3nm芯片的最重要生产工具，未来围绕EUV光刻机的争夺战将会变得异常激烈。因为这是决定这些厂商未来在先进工艺市场竞争的关键。
2019-09-03 17:18:1812845 
从产品层面而言，如今市场的推动力已经由PC转向智能手机、平板电脑，但是2013年中国智能手机增幅首次下降以及诸多移动产品增长高潮已过，而价格竞争日趋激烈，逐渐向PC市场低毛利率靠拢，加上关键性技术如EUV光刻和450mm硅片量产等尚未完全攻克，让下一轮的集成电路增长添加了不确定性。
2019-09-23 11:07:221295 与此同时， 他指出，EUV继续为ASML的客户提高产量，迄今为止，他们的客户已经使用EUV光刻机曝光了超过1100万个EUV晶圆，并交付了57个3400x EUV系统（3400平台是EUV生产平台）。
2020-08-14 11:20:552048 
今天分析了另外一个关于数据库延迟跳动的问题，也算是比较典型，这个过程中也有一些分析问题的方法和技巧工参考。
2020-08-20 14:18:041679 
TSL2584TSV Block Diagram
2021-01-22 09:39:411 RoHS Certificate TSL2584TSV
2021-01-25 07:17:067 以单机25×104kW的发电机为例，以其推力油槽尺寸选择量程为450mm（即磁翻板液位计法兰口1与法兰口2之间的中心距为450mm）的磁翻板液位计2套。每个磁翻板液位计均应配备1个液位变送器
2021-05-06 09:21:251317 就必须对风泂试验段进行整体结构强度、刚度分析以校核其运营的安全性。以有限元模拟仿真分析软件TSV-Sσ utions对δm×6m试验段进行结构强度分析和模态分析，根据结果提出优化改进风洞试验段的结构，并对优仳后的结果进行分析，优化后的
2021-05-07 16:23:587 电子发烧友网为你提供ADI(ti)DC450A相关产品参数、数据手册，更有DC450A的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DC450A真值表，DC450A管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-07-30 22:00:04
直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封装的关键推动者，可提高封装密度和器件性能。要实现3DIC对下一代器件的优势，TSV缩放至关重要。
2022-04-12 15:32:46942 
芯片和封装基板的互连，以及芯片和芯片的互连。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等填充，实现垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，降低信号延迟，降低寄生电容/电感，实现芯片间的低功耗、高速、宽带通信和实现器件集成的小型化。
2022-05-31 15:24:392053 本文介绍了采用芯和半导体ViaExpert软件进行TSV阵列的建模和仿真分析流程。TSV结构复杂，存在建模繁琐、分析不便等问题。
2022-06-03 09:03:001363 
HVM中的EUV光刻
•背景和历史
•使用NXE的EUV光刻：3400B
•EUV生成原理
•EUV来源：架构
•现场EUV源
•电源展望
•总结
2022-06-13 14:45:450 蒋尚义认为450mm会占用台积电太多的研发人员，削弱其在其他领域追求技术进步的能力。然而，研发预算更大的英特尔受到的影响较小。因此，选择较大的硅片的主要原因是“大家伙可以把小家伙挤出去”，蒋尚义表示。
2022-08-08 15:17:481711 电子发烧友网为你提供Maxim(Maxim)DS1110S-450+相关产品参数、数据手册，更有DS1110S-450+的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，DS1110S-450+真值表，DS1110S-450+管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2022-11-29 20:52:45
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2022-11-30 19:33:49
TSV 是目前半导体制造业中最为先进的技术之一，已经应用于很多产品生产。实现其制程的关键设备选择与工艺选择息息相关， 在某种程度上直接决定了 TSV 的性能优劣。本文笔者在综述 TSV 的工艺流程
2023-02-17 10:23:531010 编者注：TSV是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联，这项技术是目前唯一的垂直电互连技术，是实现3D先进封装的关键技术之一。
2023-07-03 09:45:342003 
TSV不仅赋予了芯片纵向维度的集成能力，而且它具有最短的电传输路径以及优异的抗干扰性能。随着摩尔定律慢慢走到尽头，半导体器件的微型化也越来越依赖于集成TSV的先进封装。
2023-07-25 10:09:36470 
硅通孔（TSV）有望成为电子器件三维芯片堆叠技术的未来。TSV互连的结构是通过首先在晶片表面蚀刻深过孔，然后用所需金属填充这些过孔来形成的。目前，铜基TSV是最具成本效益的大规模生产TSV。一旦过孔
2023-08-30 17:19:11326 
近20年来，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻胶一直是EUV光刻的三大技术挑战。
2023-09-14 09:45:12563 
3D-IC 中 硅通孔TSV 的设计与制造
2023-11-30 15:27:28212 
三星电子和sk海力士用于tsv蚀刻的设备都是Syndion。synthion是典型的深硅蚀刻设备，深度蚀刻到晶片内部，用于tsv和沟槽等的高度和宽度比的形成。泛林集团 sabre 3d将用于用铜填充蚀刻的晶圆孔来制作线路的tsv线路。
2023-11-30 10:15:57333 在讨论ASML以及为何复制其技术如此具有挑战性时，分析通常集中在EUV机器的极端复杂性上，这归因于竞争对手复制它的难度。
2024-01-17 10:46:13116 
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