外延工艺是指在衬底上生长完全排列有序的单晶体层的工艺。一般来讲，外延工艺是在单晶衬底上生长一层与原衬底相同晶格取向的晶体层。外延工艺广泛用于半导体制造，如集成电路工业的外延硅片。MOS 晶体管
2023-02-13 14:35:47
10448 和高质量的晶体管，它们都需要用到外延晶片。在本文中，我们将介绍这种在晶圆之上由超纯硅构成的超高纯层(也被称为“外延层)的形成过程、用途和特征。
2023-06-26 10:05:29417 
近日有国外媒体报道，TCL集团将考虑收购半导体器材制造商ASMInternationalNV(以下简称“ASM国际”)旗下ASMPacificTechnologyLimited(以下简称“ASM
2018-10-10 10:55:154789 在microLED显示器和功率器件的驱动下，外延设备的出货量在未来五年将增长三倍以上。 外延在半导体产业链中的位置 化合物半导体外延片正大举进军超越摩尔领域 据麦姆斯咨询介绍，目前，外延生长用于
2020-01-30 09:58:584545 Asterion DC ASM系列电源可通过直观易用的触摸屏或数字通信接口进行控制，其标配LXI LAN，USB和RS232接口且可选配GPIB接口。
2021-11-23 09:57:363179 
就像我之前的线程一样，我不得不暂时离开图片编程，所以我的大脑对于我在项目中停止的地方有点模糊。在XC8中，我在以下标记的行中得到一个语法错误：void PICRTCC_unlockRTC(){asm
2020-04-24 13:46:50
本书主要内容包括：电源技术概述及通信电源系统组成、相位控制型电源、基准电源与程控电源、开关型稳压电源、物理电源与化学电源、不间断电源、通信电源集中监控系统以及开关电源的设计等。
2013-02-19 15:14:35
电源常用技术与算法是什么？
2021-09-27 06:40:27
扰动的来源是多个负载连接到同一网络，引起扰动穿越邻近设施和建筑物。为了克服电源质量挑战，有必要监控输入以及负载产生的扰动。电源质量监控可为设备提供适当的保护，并且帮助确定合适的管控技术来提高电源质量。如果利益相关方充分利用这些技术，其昂贵的基础设施将受益于干净的电源并获得更长的使用寿命。
2019-07-16 08:24:22
您好，在CCS6.0的开发环境中，想生成.asm文件，看看编译器的反馈信息。问题是：在工程属性中，设置了-mw，即把generate verbose software pipeline
2019-02-22 09:11:54
大家好，我正在研究PIC16F68上的一个旧的ASM软件。在某些情况下，会发生设备复位，我试图找出原因。我不能把ICD3作为调试器，因为程序内存已满（2个单词空闲）。我试过：-禁用配置位=>中
2020-03-31 09:55:07
嗨，我绕了一圈想弄清楚RN4871上如何启用不同的电源模式，以及它们对于设备行为的意义，所以我在下面列出了电源模式的参考资料。特别是，我试图进入最低功率模式，根据数据表绘制1至1.7uA。注意，在
2020-04-17 07:48:38
Verilog设计内外延时
2012-08-15 16:31:14
ch9328的USB端可以外延带屏蔽的标准USB线吗，有线长要求吗？
2022-07-07 06:08:49
我想了解关于LED关于外延片生长的结构，谢谢
2013-12-11 12:50:27
lrwxrwxrwx1 root root8 May1 03:01 asm -> asm-i386 问一下怎么修改asm的链接？？？？？asm -> asm-arm
2020-06-05 14:34:21
嗨，在研究谷歌之后，在XC32指南上，我放弃并问：ASM（“…”）和ASM易失性（“…”）之间的区别是什么？而且，ASM和γ-ASMY之间有什么区别吗？谢谢你，M.R. 以上来自于百度翻译 以下
2018-09-26 16:32:30
我正在 Linux 中开发 ASM330LH。在内核中启用 ASM 驱动程序、IIO 驱动程序并在设备树中添加 asm 节点条目后，设备就会被检测到。目标：/sys/bus/iio/devices
2023-01-13 08:14:53
在电子技术飞速发展的今天，电力电子技术越来越受到人们的重视，而其中电源技术的更新换代更加推动了相关电子设备及元器件的发展。不论是人们的日常生活还是现代电子战争，电源系统作为其动力源，其地位
2019-07-24 06:06:07
` 有谁用过SEMILAB的SRP-2000外延片厚度测试仪，关于测试仪的机构和控制部分，尤其是精度部分希望交流，资料可发g-optics@163.com，多谢！`
2018-11-20 20:25:37
说到电子设备通用技术，网上关于这方便的介绍少之又少，有的甚至联系到高中的通用技术这一门课，其实不然。首先来说一下通用技术，通用技术是指在运行过程中起到基本作用的，区分于专用技术的技术手段。其次来说
2021-01-19 07:30:02
线性可编程电源工作原理是什么？程控电源技术和应用指南是什么？
2021-05-08 06:55:32
组件可以通过创建和获取电源管理锁来控制功耗编译时可使用CONFIG_PM_ENABLE选项启用电源管理功能电源管理配置（摘自官网）启用电源管理功能将会增加中断延迟。额外延迟与多个因素有关，例如CPU频率
2021-12-27 06:11:35
通信电源设备的防雷技术要求和测试方法通信电源设备的防雷是个系统工程，必须从市电交流电力网超高压开始逐级采取措施.在对电力线入局前电力变压器的低压侧,电力网的配电系统,引入通信局(站)的电力电缆及其
2009-12-02 10:51:21
各位大神，目前国内卖铟镓砷红外探测器的有不少，知道铟镓砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生产的吗，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
通信电源新技术与新设备:本书为邮电部通信电源专业情报网组织编写的“通信电源新技术与新设备丛书”中的一种。全书共分七章：第一章论述了蓄电池的类型、基本性能、行业标
2009-03-19 17:23:10
46 和涡轮分子泵, 检漏仪 ASM 392 内置2台涡轮分子泵, 可以加速检漏流程, 降低生产设备的停机时间, ASM 390, ASM 392 对氦气的快速抽空能力
2022-07-28 09:19:53
如何导入ASM文件到工程(视频教程)
2009-07-25 09:54:1539 NPN 硅外延三极管型号
2009-11-12 14:28:4121 VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美国IR 公司推出VDMOS 结构，将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一个管芯包括几千个元胞
2009-12-21 10:52:2440 Marki Microwave 的 MEQ3-14ASM 是一款增益均衡器，频率为 DC 至 14 GHz，增益均衡为 3 dB。标签：表面贴装，正
2023-05-12 13:42:37
Marki Microwave 的 MEQ6-20ASM 是一款增益均衡器，频率为 DC 至 20 GHz，增益均衡为 6 dB。标签
2023-05-12 13:51:17
Marki Microwave 的 MEQ7-20ASM 是一款增益均衡器，频率为 DC 至 20 GHz，增益均衡为 7.5
2023-05-12 13:52:59
电气设备-电源设备技术和市场优势成就轨道交通电源行业强者
2010-11-10 23:55:4018 LED 外延片--衬底材料衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技
2010-12-21 16:39:290 硅单晶外延层的质量检测与分析
表征外延层片质量的主要参数是外延层电阻率、厚度、层错及位错密度、少数载流子寿命
2009-03-09 13:55:402682 
IR收购ATMI硅外延服务部
电源管理技术领先供应商国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)宣布收购ATMIInc.(纳斯达克：ATMI)的特殊硅外延服务部。目
2009-07-06 08:45:27934 ASM-51宏汇编使用手册
ASM-51 宏汇编主要用来开发Inter8051系列单片机，它具有宏处理，数据处理，列表处理和条件处理等多种功能。源程
2009-09-06 09:04:491460
外延型二极管 用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度
2009-11-07 08:43:34686 启用PowerFill外延硅工艺的电源设备
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PoweRFill是一个精
2010-01-23 08:35:54539 ASM启用功新的PowerFill外延技术的电源设备
ASM今天推出了其PowerFill(TM)的外延硅(Epi Si)沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PowerFill是一个精
2010-01-23 09:32:32796 采用PowerFill外延硅工艺的电源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）沟槽填充工艺。新工艺可使带有掺杂物的外延硅深沟无缝隙填充。 PoweRFill是一个精
2010-01-25 09:17:05525 利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移
2011-04-14 13:29:3429 外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张 外延片 随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。 半导体制造
2011-09-22 16:38:321188 本内容介绍了LED外延片基础知识，LED外延片--衬底材料，评价衬底材料必须综合考虑的因素
2012-01-06 15:29:542743 ASM固晶培训资料.关于固晶和焊线的相关知识介绍
2015-11-10 15:07:430 tms320f2x ASM GUIDE。
2016-01-19 11:27:4010 如何启用USB主机到主机设备的API支持Android_英版。
2016-10-12 16:05:100 AT&T_ASM资料，汇编语言。
2016-11-23 11:52:461 对于禁用和启用网卡，找到控制面板的网络设置里面就可以搞定的，但他们偏偏不，就要用批处理实现，好吧，微软的 DevCon 工具就可以命令行禁用或启用网卡，下面是两个批处理的例子。
2017-09-20 14:37:355 ARM Bootloader 的实现C 和 ASM 混合编程
2017-10-30 09:28:1615 人脸跟踪和特征提取是人脸识别和机器视觉的关键技术。主动形状模型（Active Shape Model，ASM）是由Cootes等人于1995年提出的一种基于点分布模型算法，已经被广泛应用于单幅人脸
2017-12-19 13:47:560 ASM绝对半导体后段工序设备同时也是苹果华为小米背后的隐形大佬，近年来，ASMPT的后段工序设备和SMT业务市占率均已位居全球第一，身家400亿，行业内大名鼎鼎却像个谜。近一年多来，ASMPT回购和大股东减持，ASMI却仍旧选择高位减持。
2018-02-07 11:08:2130313 
80386asm汇编集合
2018-03-02 11:47:202 这个应用笔记提供的例子展示了几个可以在DSP/BIOS启用的应用程序中使用的电源管理技术。正如大多数软件技术一样，没有一个适合所有人。你应该决定哪些技术对你的应用程序是有意义的。
2018-05-03 15:04:244 KEILC中.ASM文的导入和硬件仿真 第一大部分，如何把ASM格式文件导入KEIL中： 第1步,启动KEIL,新建工程 第2步,给新建工程起一个名字然后选择保存 第3步,选择要仿真的芯片种类
2018-09-21 14:38:011557 据媒体报道，TCL正考虑竞购ASMI公司所持有的半导体设备企业ASM Pacific Technology Ltd. （ASM太平洋科技有限公司，以下简称ASMPT）的25%的股权。
2018-09-30 17:20:004169 近日，据报道，中国电子巨头 TCL集团（ 000100）考虑收购半导体器材制造商ASM International NV(ASM国际00522，HK)旗下ASM Pacific Technology Limited(以下简称“ASM太平洋”)的25%股权。
2018-10-10 10:22:573182 LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料，因此，外延片材料作为LED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技术的发展及工艺非常重要。
2018-11-01 16:41:124525 ，且在采用国际业界严苛判据标准的情况下，聚能晶源研制的外延晶圆在材料、机械、电学、耐压、耐高温、寿命等方面具有性能优势，能够保障相关材料与技术在 5G 通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域得到安全可靠的应用。
2018-12-20 15:21:175525 重庆市大足区人民政府官网信息显示，近日，聚力成半导体（重庆）有限公司（以下简称“聚力成半导体”）一期厂房正式启用，计划10月开始外延片的量产，生产线达21条，年产能达12万片。
2019-06-10 16:43:314390 近几年，“LED”一词热得烫手，国内LED技术与市场发展迅速，取得了外延片、芯片核心技术的突破性进展。那么，关于LED外延片、芯片，你了解多少呢？
2019-11-25 14:06:4918633 ASM公司的引线框架事业部在全球引线框架领域排名前三，该事业部具有先进的制造技术与长远的产品路线规划。
2020-07-29 16:09:01840 本文档的主要内容详细介绍的是ASM源文件编译器软件免费下载。适用于32位计算机，asm编译器，将ASM51.exe放在同一目录，在dos状态编译 如； d:asm51.exe ***.ASM{注意要空格}直接生成hex烧录文件
2020-08-07 08:00:005 （ASM，architectedsoftmachine）。这个ASM将利用3D打印技术制造出真正的软体机器人。
2020-08-14 10:16:15969 在半导体科学技术的发展中，气相外延发挥了重要作用，该技术已广泛用于Si半导体器件和集成电路的工业化生产。
2020-08-28 14:24:314759 
据外媒1月30日报道，加拿大Micro LED技术开发商VueReal宣布与ASM太平洋（ASMPT）达成合作关系，双方将整合VueReal的墨盒Micro LED转移技术与ASMPT的Micro LED巨量转移接合技术。
2021-02-02 11:48:173304 ADP5135：三个1800 mA降压稳压器，带精确启用和电源良好输出数据表
2021-04-19 20:00:288 EE-32：语言扩展：内存存储类型、ASM和内联构造
2021-04-25 09:32:227 最近做芯片和外延的研究，发现同样的外延工艺和芯片工艺做出来的芯片性能差别很大，大到改变试验设计的“世界观”。基板衬底的质量好坏很关键。
2021-08-12 10:55:584302 
组件可以通过创建和获取电源管理锁来控制功耗编译时可使用CONFIG_PM_ENABLE选项启用电源管理功能电源管理配置（摘自官网）启用电源管理功能将会增加中断延迟。额外延迟与多个因素有关，例如CPU频率、单/双核模式、是否需要进行频率切换等（CPU 频率为 240 MHz 且未启用频率调节时，最小额外延迟
2022-01-05 14:38:443 完成接线并数据闪存之后，便可在特定软件环境中对温度信号进行调。通过环境界面中的标定变量 “ASM_Temp_facTGain_C” 和 “ASM_Temp_tOfst_C” 增大或减小ECU读到的温度值，达到终端客户要求。
2022-07-14 16:07:45792 重组ASM存储空间，从底层解析ASM磁盘，导出数据库文件。从底层解析这些数据库文件，按用户将数据导入到新的数据库中。
2022-09-26 11:15:231928 
固相外延，是指固体源在衬底上生长一层单晶层，如离子注入后的热退火实际上就是一种固相外延过程。离于注入加工时，硅片的硅原子受到高能注入离子的轰击
2022-11-09 09:33:5210252 该外延片专为新能源汽车电驱系统开发，以适用目前更高效的800V电压架构。并且该外延片基于国产设备开发，完全自主可控。
2022-11-18 10:08:54901 氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。
2023-02-05 14:50:004345 氮化镓外延片指采用外延方法，使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。近年来，在国家政策支持下，我国氮化镓外延片行业规模不断扩大。
2023-02-06 17:14:353012 通常是指的在蓝宝石衬底上用外延的方法（MOCVD）生长的GaN。外延片上面一般都已经做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:252103 碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20 年来随着外延设备和工艺技术水平不断 提升,外延膜生长速率和品质逐步提高,碳化硅在新能源汽车、光伏产业、高压输配线和智能电站
2023-02-16 10:50:096936 晶体管 ( HEMT) 的性能，不同材料特征的表征需要不同的测量工具和 技术，进而呈现器件性能的优劣。综述了 GaN HEMT 外延材料的表征技术，详细介绍了几种表 征技术的应用场景和近年来国内外的相关
2023-02-20 11:47:22876 氮化镓外延片工艺是一种用于制备氮化镓外延片的工艺，主要包括表面清洗、氮化处理、清洗处理、干燥处理和检测处理等步骤。
2023-02-20 15:50:3210570 数据库故障：
Oracle数据库的ASM磁盘组掉线，ASM实例不能挂载。管理员尝试修复数据库但是没有成功。
数据库数据恢复方案：
数据库数据恢复工程师通过分析组成ASM磁盘组的磁盘
2023-03-03 13:42:50571 
在半导体科学技术的发展中，气相外延发挥了重要作用，该技术已广泛用于Si半导体器件和集成电路的工业化生产。
2023-05-19 09:06:462467 
外延层是在晶圆的基础上，经过外延工艺生长出特定单晶薄膜，衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片，可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。
2023-05-31 09:27:092828 
如何计算启用4个内核的T4241的功率？ 要计算T4241启用4个内核的功率，需要知道以下信息： 1. T4241的额定电源电压和电流 2. T4241启用一个内核的功耗 3. T4241启用四个
2023-06-01 15:12:47278 对于掺杂的SiC外延片，红外光谱测量膜厚为通用的行业标准。碳化硅衬底与外延层因掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率，因此试样的反射光谱会出现反映外延层厚度信息的连续干涉条纹。
2023-08-05 10:31:47914 
数据库数据恢复环境：
Oracle数据库ASM磁盘组有4块成员盘。
数据库故障&分析：
Oracle数据库ASM磁盘组掉线 ，ASM实例无法挂载，用户联系我们要求恢复oracle数据库。
2023-08-11 15:27:24851 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。
2023-08-15 14:43:341002 
asm预计两年内销售额将从28亿至34亿欧元增加到30亿至36亿欧元。asm还重申了2023至2025年的总利润率为46%至50%，营业利润率为26至31%的目标。他还表示，将2026年至2027年设定了同样的目标，此后营业利润率将呈现上升趋势。
2023-09-27 09:45:53450 此外，研磨技术的缺点还有统一性不高，多片加工时对外延片的厚度的组合比较苛刻，并且加工效率较低。如果将研磨后的外延片再进行CMP处理，则需要较长的时间才能去除掉损伤层。并且由于衬底的厚度不同，外延的厚度也不同，因此每一片外延片的减薄要求也不同，整体加工效率较低。
2023-09-27 16:35:43433 
外延工艺的介绍，单晶和多晶以及外延生长的方法介绍。
2023-11-30 18:18:16878 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一种在超高真空状态下，进行材料外延技术，下图为分子束外延的核心组成，包括受热的衬底和释放到衬底上的多种元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10967 
只有体单晶材料难以满足日益发展的各种半导体器件制作的需要。因此，1959年末开发了薄层单晶材料生长技外延生长。那外延技术到底对材料的进步有了什么具体的帮助呢？
2024-02-23 11:43:59304 
证监会近日公告显示，深圳市纳设智能装备股份有限公司（简称“纳设智能”）已正式开启首次公开发行股票并上市的辅导备案程序。该公司专注于第三代半导体碳化硅（SiC）外延设备以及石墨烯等先进材料的研发、生产、销售和应用推广，是国产碳化硅外延设备的领军企业。
2024-02-26 17:28:02487 预计该项目投资总额3.5亿元人民币，将引进碳化硅外延设备及辅助设备共计116套。其中包括一条具备24万片年产量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料产线。
2024-02-29 16:24:01218 聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺，量产晶片的核心位错达到行业领先水平。
2024-03-22 09:39:2973
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