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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>工艺/制造>离子注入设备和方法

离子注入设备和方法

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简要描述离子注入的原理和优缺点

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离子注入工艺的损伤与热退火

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高温炉广泛用于进行注入后的热退火。高温炉的退火处理是一个批量过程,在850摄氏度至1000摄氏度情况下,通常约30min能处理100片晶圆。
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半导体制造之离子注入工艺简述

高压直流电源用于加速离子,大约为200kV的DC电源供应系统被装配在注入机内。为了通过离子源产生离子,需要用热灯丝或射频等离子体源。热灯丝需要大电流和几百伏的供电系统,然而一个射频离子源需要大约
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半导体工艺装备现状及发展趋势

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半导体行业之离子注入工艺(十)

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光刻机是芯片制造中最复杂、最昂贵的设备。芯片制造可以包括多个工艺,如初步氧化、涂光刻胶、曝光、显影、刻蚀、离子注入。这个过程需要用到的设备种类繁多,包括氧化炉、涂胶显影机、光刻机、薄膜沉积设备、刻蚀
2023-06-12 10:13:334453

如何降低污染粒子在每一道离子注入过程中的增加量?

对于许多仍在使用旋转轮的离子注入设备,大颗粒粒子可能掉落在晶圆表面,这如同一个高速导弹与建筑物的墙壁碰撞。
2023-06-30 10:11:24605

电科装备实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖

离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中,需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能,这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中,离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备
2023-06-30 16:41:19412

中国电科实现国产离子注入机28纳米工艺全覆盖!【附41份报告】

来源:芯智讯,谢谢 编辑:感知芯视界 6月29日,据中国电子科技集团有限公司(以下简称“中国电科”)官方消息,该集团旗下中电科电子装备集团有限公司(以下简称“电科装备”)已实现国产离子注入机28纳米
2023-07-03 09:16:46651

中国电科宣布已实现国产离子注入机28纳米工艺制程全覆盖

离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中,需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能,这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中,离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备
2023-07-03 15:05:55593

半导体离子注入工艺评估

掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定,掺杂物浓度由离子束电流与注入时间的乘积决定。四点探针是离子注入监测中最常使用的测量工具,可以测量
2023-07-07 09:51:172240

离子体浸置型离子注入及等离子体掺杂系统介绍

在常规离子注入中,三氟化硼常用于形成P型浅结的注入不是B,因为BF2+离子大且重。B10H14,B18H22和硼烷(C2B10&或CBH)是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571399

离子注入技术在晶硅太阳能电池中的应用优势

在晶硅太阳能电池的生产过程中,离子注入是一项非常重要的工艺,它可以大幅度提高光电转换率,实现在应用中的精益有效。「美能光伏」作为一家具有众多检测电池和组件性能设备的光伏企业,拥有的美能傅里叶红外光
2023-08-29 08:35:56376

华林科纳研究化合物半导体中离子注入引起的起泡和薄层分裂现象学

半导体的这些参数的最佳值。在广泛使用的绝缘体上硅晶片的制造过程中,对硅的起泡和分裂过程进行了详细的研究。因此,还对硅和化合物半导体的起泡过程进行了比较。这项比较研究在技术上是相关的,因为离子注入诱导的层分裂与直接晶片键合相结合,
2023-09-04 17:09:31317

探讨碲镉汞红外探测器工艺中注入温度的影响

本文从离子注入工艺的温度控制出发,研究了离子注入工艺中的束流、注入能量、接触面粗糙度等因素对温控的影响,并结合器件的I-V曲线,探究了碲镉汞红外探测器工艺中注入温度的影响。
2023-09-29 10:45:002367

什么是离子注入离子注入相对于扩散的优点?

想要使半导体导电,必须向纯净半导体中引入杂质,而离子注入是一种常用的方法,下面来具体介绍离子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764

离子注入仿真用什么模型

方法离子运动模型 离子运动模型是离子注入仿真中最基本的模型之一。它描述了离子在电场和磁场中的运动规律。根据离子注入的不同情况,可以采用不同的运动模型,如简单的牛顿运动模型、蒙特卡洛(Monte Carlo)模拟方法以及分
2023-12-21 16:38:19257

原位掺杂、扩散和离子注入的相关原理及其区别介绍

半导体改变电阻率的方式有三种,原位掺杂、扩散和离子注入,这三种方式分别过程如何,有何区别呢?
2024-01-05 18:21:111111

离子注入涉及到的隧道效应为什么需要7°角?

隧道效应,又称沟道效应,对晶圆进行离子注入时,当注入离子的方向与晶圆的某个晶向平行时,其运动轨迹将不再是无规则的碰撞,而是将沿沟道(原子之间的缝隙)运动并且很少受到原子核的碰撞
2024-01-08 10:25:42420

离子注入中的剂量和浓度之间有何关系呢?

对器件设计工程师来讲,离子注入的浓度往往是需要关心的参数,什么样的浓度对应什么样的方阻,器件仿真参数输入的是浓度,通过DSIMS测出来的也是浓度和深度的关系。
2024-01-26 13:37:02581

介绍离子注入在电容极板和湿法腐蚀自停止技术上的应用

在MEMS电容式压力传感器、平面硅电容器和RF MEMS开关中,离子注入均有应用。
2024-02-23 10:47:13181

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