可以通过降低接触面粗糙度、提高平整度、减小传热路径的厚度等、增加导热垫片的压力、选择热阻小的导热材料等。在不考虑加工成本的情况下，简单看下模块外壳材料对芯片温度的影响：光模块热源主要在PCB芯片
2019-04-03 16:38:56
来来来~~~~~~~~~~~~~~~~来瞧一瞧！看一看咯！下载不用钱！下载真的不用钱！谁下谁知道，用过的都说很好用！耶~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~图片添加文字.rar (26.58 KB )热阻计算器.rar (197.27 KB )
2019-08-16 04:35:45
技术，同时介绍一些典型的案例。 1 热分析技术 1.1 差示扫描量热仪 (DSC) 差示扫描量热法(Differential Scanning Calorimetry)是在程序控温下，测量输入到
2012-07-27 21:05:38
工程师都离不开的热回路问题，到底是什么？
2021-03-16 12:18:07
许多半导体器件在脉冲功率条件下工作，器件的温升与脉冲宽度及占空比有关，因此在许多场合下需要了解器件与施加功率时间相关的热特性；除了与功率持续时间外，半导体器件的瞬态热阻与器件材料的几何尺寸、比热容、热扩散系数有关，因此半导体器件的热瞬态特性可以反映出器件内部的很多特性
2019-05-31 07:36:41
热继电器工作原理热继电器选型
2021-01-21 07:02:48
本人有7年世界五百强热设计工作经验，熟悉热设计产品的设计标准。从事过大功率UPS、通讯电源、光伏产品、热交换器产品及汽车控制器产品的热设计。精通热设计，热仿真和热测试，熟练使用flotherm
2016-07-28 09:46:50
芯片热设计有什么注意事项？
2021-04-23 06:25:11
AD713作为AD7924的前级驱动并加入滤波，AD713发热，并产生较大温漂，请问是什么原因呢？
2023-12-18 07:41:52
我在进行AD8138ARM的热仿真，datasheet中只有结到环境的热阻JA的数据，我需要结到外壳的热阻Jc的数据，还有AD8138ARM放大器集成的晶体管数目是多少？
2023-11-21 06:54:43
IGBT作为电力电子领域的核心元件之一，其结温Tj高低，不仅影响IGBT选型与设计，还会影响IGBT可靠性和寿命。因此，如何计算IGBT的结温Tj，已成为大家普遍关注的焦点。由最基本的计算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，损耗Ploss和热阻Rth(j-a)是Tj计算的关键。
2019-08-13 08:04:18
·PAV Tjm为器件的最大允许最高工资结温，普通整流管为150℃，普通晶闸管为125℃，快速晶闸管为115℃ Rjc为器件的结壳热阻。 PAV为器件的耗散功率。其计算公式为： PAV
2012-06-20 14:33:52
进行了研究，并得到了不同状态下模块的退化特性。 图1 IGBT的传热结构 研究人员在不同工作条件下的IGBT模块进行老化实验时，在相同的老化时间下观察模块的热阻变化情况，通过对热网络模型
2020-12-10 15:06:03
普通的高亮度 (HB) LED 仅将约 45% 的应用能量转换给可见光子，其余的则产生热量。 如果产生的这些热量不能从 LED 充分散去，将会导致过热，并可能造成灾难性故障。 即使不出现灾难性故障，LED 结温升高也会造成光输出下降、颜色发生变化和/或预期寿命显著缩短。
2019-08-12 07:57:16
%的电能转换成光，其余的全部变成了热能，热能的存在促使我们金鉴必须要关注LED封装器件的热阻。一般，LED的功率越高，LED热效应越明显，因热效应而导致的问题也突显出来，例如，芯片高温的红移现象；结温
2015-07-29 16:05:13
20MHz 下读取 32Kbit EEPROM 的全部内容大约需要 2ms 左右，之后通常会以最大 5µA = 27.5µW 进入待机状态，然后产生的温度升高可以忽略不计。您是否有充分的理由证明有人提供了此类 EEPROM 的准确热阻？
2023-02-06 07:50:00
MMIC热阻Thermal resistance (qJC) values are supplied with eachMMIC in the Microwave
2009-06-13 00:04:49
MOS管瞬态热阻测试（DVDS）失效品分析如何判断是封装原因还是芯片原因，有什么好的建议和思路
2024-03-12 11:46:57
PADS 提供的独特功能可以实现在早期对印刷电路板进行热分析。完成元件布局后，您就可以立即对完成布局、部分完成布线或全部完成布线的 PCB 设计进行板级别热问题分析。利用温度分布图、梯度图和过温图，您可以在设计流程的早期解决板和元器件过热问题。
2019-09-16 08:58:39
”的概念类似于电阻的概念，在许多关于热管理的文献中都有描述。 数据表中最常见的两个MOSFET热阻值为： Rth（j-a）：从器件结（晶元）到环境的热阻。这是一个单一的热阻值，是所有可能的级数和从结到
2023-04-20 16:49:55
PCB热设计要求
2021-01-25 07:43:44
因素引起： 1、器件选型不合理电，气功耗过大 2、未安装散热片，导致热传导异常3、PCB局部不合理，造成局部或全局温升4、布线散热设计不合理，造成热集中。 02 热设计规划 针对上节我们提到的常见散热因素
2023-04-17 17:41:16
Thermal Shutdown Spec1）使用热电偶或红外测温仪测量恰好发生一次thermal shutdown时的壳温（Tcase），利用结温到壳温之间的特征热阻较小的特性，近似认为
2022-11-03 06:34:11
在哪里可以找到S70GL02GS（S70GL02GS11FHI010）的热阻值和最大结温？这些值不在数据表中。需要抗结到外壳（RJC），对板电阻结（RJB）、环境性结（RJA），和马克斯结温
2018-08-28 15:09:57
请教各位大虾一个问题，SMA，SMAJ与SMB封装除了尺寸不同之外，它们的热阻有没有什么区别?(例如SS14 SMAJ,SS14 SMA,SS14 SMB热阻的区别)
2013-08-25 22:47:42
T3Ster，按照JESD51-14测试其MOSFET器件的结壳热阻 （返回顶部↑）产品型号：SPP80N06S2L-11 TO封装 测试结果： 器件在两种不同的散热环境下结温随着时间的变化曲线
2013-01-08 15:29:44
可以测试下产品的热分布。测试条件和上次的负载情况一样。首先还是先给产品上电，看看静态下的温度情况。可以看出芯片壳温最大约42.1摄氏度，相比周边空气温度，温升约8摄氏度。这个是在室温下测量的，4个通道
2020-07-03 19:07:35
，这个在规格书里面有标注最大功率就是这样计算出来的。下面我们来看降额曲线图我们看降额曲线图，外壳温度在25℃以上功率就开始降额了，这个降额曲线图是根据最大结温150℃与Rjc与外壳表面温度Tc的关系
2021-09-08 08:42:59
大家上午好！该系列视频为开关电源免费教程，今天讲解MOS管的热阻。持续关注，我们会持续更新！大家有关于开关电源以及工作中遇到的关于电源相关的难题，都可以在帖子下面与我们交流讨论。
2021-09-22 09:57:47
【金鉴出品】深度解析LED灯具发展的巨大瓶颈——热阻发布时间：2015-07-13热阻即热量在热流路径上遇到的阻力，反映介质或介质间的传热能力的大小，表明了1W热量所引起的温升大小，单位为℃/W或K
2015-07-27 16:40:37
=(L+y)(W+y)表2计算了本项目热源器件的布局热距离及布局面积。器件的热工作可靠性分析任何一个热源器件能承受的最高结温是有限的，这个最高结温在厂家给出的datasheet内都能查到，如果热源器件
2011-09-06 09:58:12
的结温可靠性，硅管一般是150℃，只要结温不超过该值，三极管一般来说是正常使用的，而器件资料里面的PD其实也是根据结温计算出来的PD＝(TJ－TA)/RJATJ即结温，TA即环境温度，RJA即结到环境
2013-05-27 23:00:26
迅速增加，导致集电极电流增加，又使结温进一步升高，最终导致元件失效。 [hide]产品的热设计方法.rar[/hide][此贴子已经被作者于2009-12-5 16:46:34编辑过]
2009-12-05 16:45:53
与管壳到环境的热阻Rth(c-a)之间的重要关系。得到Rth(c-a)后，可以根据功耗计算出温度增量ΔTc。随后，再由图8中相应的转换因子就能计算出结温。假设在TO247封装中，给定的功耗为PD = 50
2018-12-05 09:45:16
，ILED是通过LED的电流。等式2是结温的通式： 其中：TJ 是结温，TA 是环境温度，θJAP是以摄氏度每瓦测量的LED结环热阻。将电功率等式代入结温方程可得到等式3： LED正向电压和热阻都是LED
2019-03-01 09:52:39
现在需要测IGBT的热阻，我的方案是直接让它导通然后用大电流加热到一定的程度后，突然切断大的电流源，看他在100ma下的vce变化（已知100ma工况下vce和节温的关系），然后将测试到的vce
2017-09-29 10:40:46
如一LDO热损耗为165℃/W，结温为150℃，最大输出电流为300mA。设输入为5V，输出为3.3V，请问如何计算最大输出电流。我是这么计算的：PD=（165-25）/165=0.76W电流I=0.76/（5-3.3）=445mA？？？请问正确在计算是，在线等高手解答。
2018-07-30 23:59:13
大佬们，电容在直流中和在交流中热耗存在哪些差异？最好有公式计算～谢谢
2019-04-03 20:21:30
等式1表示每个LED消耗的电功率： 其中：Vf 是LED的正向电压，ILED是通过LED的电流。等式2是结温的通式： 其中：TJ 是结温，TA 是环境温度，θJAP是以摄氏度每瓦测量的LED结环热阻
2022-11-14 07:31:53
功率型LED热阻测量的新方法摘 要： LED照明成为21世纪最引人注目的新技术领域之一，而功率型LED优异的散热特性和光学特性更能适应普通照明领域的需要。提出了一种电学法测量功率LED热阻的新方法
2009-10-19 15:16:09
嗨，我尝试使用XPE工具计算FPGA器件的功耗。我把结果提到的'Total On-Chip Power'。我注意到该值随着电路板热阻的变化而变化。功耗与电路板的热阻有什么关系？相反，它应该只影响IC
2019-03-21 16:18:59
请问怎么确定可控硅的结温？？？超过结温时会有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
直接测得的，只能再通过△T = Rj * Q计算得出。其中，△T是硅片上的PN结到壳体表面的温度差（Tj-Ts），Ts即是测得的壳体温度，单位℃Rj是从PN结到壳体表面的热阻，从器件
2012-02-12 12:14:27
基于Cotherm的自动化热流耦合计算及热设计优化
2021-01-07 06:06:32
计算大多数半导体器件结温的过程广为人知。通常情况下，外壳或引脚温度已知。测量裸片的功率耗散，并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示)，以计算外壳至结点的温升。这种方法适用于所有单裸片封裝，包括
2018-09-30 16:05:03
本帖最后由 偏偏要落脚 于 2015-5-5 12:49 编辑
求助，怎么做，非常急。 基于LabVIEW的两台污垢热阻上位机软件实现利用labview编程，设计计算机界面，在电脑屏幕上能够
2015-05-05 12:46:29
算例？多组仿真算例的数据对比和优化分析表明，兼顾仿真精度与计算效率的板级热仿真技术可以较精确地预测芯片的结温和壳温，为系统级热仿真提供更为准确的局部环境？ 引言 由于电子设备产品的小型化？轻量化
2018-09-26 16:22:17
我如何计算VIPER37HD / LD的结温 以及频率（60k，115k hz）如何影响结温？
2019-08-05 10:50:11
，ILED是通过LED的电流。等式2是结温的通式： 其中：TJ 是结温，TA 是环境温度，θJAP是以摄氏度每瓦测量的LED结环热阻。将电功率等式代入结温方程可得到等式3： LED正向电压和热阻都是LED
2017-04-01 15:14:54
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结温，是一个不可或缺的过程，功率器件的结温与其安全性、可靠性直接相关。测量功率器件的结温常用二种方法：
2021-03-11 07:53:26
求大佬分享一种针对射频设计热问题的处理方法
2021-04-13 06:48:37
微波热疗就是利用电磁能量在人体组织中所产生的热效应，使组织细胞温度升至41℃到45℃的有效治疗高温区，并且维持一定的时间，加速病变细胞的死亡，但不损伤正常细胞组织。因此合理设计辐射器天线的结构，精确计算辐射电场分布，是正确判断微波热疗过程温度热场分布的前提。那么，我们具体该怎么做呢？
2019-08-13 07:28:15
大家好， 我对M95256-WMN3TP /ABE²PROM的最高结温感兴趣。 3级器件的最高环境工作温度为125°C，因此结温必须更高。数据手册中没有提到最大结温。 我还在寻找SO-8封装中M95256-W的结至环境热阻。 最好的祝福， 托马斯
2019-08-13 11:08:08
的余量（保证最坏情况下的电压峰值不超过此值），电流耐量则得按器件的结温降额要求决定、它与外部散热条件和器件的通态电阻、通态压降、结电容、反向恢复、结到壳的热阻等密切相关，是功率器件热设计的内容，将在以后
2024-03-21 09:44:15
开关电源的热分析与计算，需要完整版的朋友可以下载附件保存~原价299元的张飞电子PFC开关电源视频课程，31小时精细讲解，全62集视频 。现在可以免费领取！注意！！！课程只送给真正有学习欲望的人
2022-01-08 10:16:53
探头式热继电器在控温及电机中的保护应用资料下载内容主要介绍了：恒温控制器电机热保护
2021-04-02 06:52:36
。在此工况下，热平衡条件是由所安装的散热器及晶闸管的瞬态热阻之和决定的。计算公式见图1。 【图1】几种常见的负载条件下等效结温的计算公式 (一)举例说明。 例一：某焊机采用六相半波带平衡电抗整流
2014-04-01 10:46:41
有什么方法可以降低IC封装的热阻吗？求解
2021-06-23 07:24:48
测量功率器件的结温常用二种方法
2021-03-17 07:00:20
的是结温；因此单靠摸的手感来判断器件值得做热测试是错误的。那到底该如何做呢？对MCU、驱动器件、电源转换器件、功率电阻、大功率的半导体分立元件、开关器件类的能量消耗和转换器件，热测试都是必须的。不论
2012-02-09 10:51:37
功率MOSFET来说，通常连续漏极电流是一个计算值。当器件的封装和芯片的大小一定时，如对于底部有裸露铜皮的封装TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的结到裸露铜皮的热阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
向温度较低的被加热体系传热。电伴热带的功率主要受控于传热过程，随被加热体系的温度自动调节输出功率。②电伴热的组成及安装A、组成一个项目的电伴热主要由以下四部分组成：a、自控温保温箱(对变送器进行保温
2018-11-17 16:48:26
T0-220封装的结-环境热阻是50°C/W。因此，假定45°C/W的差值是壳至环境的热阻值。在示例的电路中，这个值被指定为散热器热阻值。如果使用实际的散热器，则采用发布的热阻值。 如果提供了散热器的热容值
2018-10-17 11:43:12
，芯片功耗20W，芯片表面不能超过85℃，最高环境温度55℃，计算所需散热器的热阻R。计算：实际散热器与芯片之间的热阻近似为0.1℃/W，则(R+0.1)=(85-55) ℃/20W，则R=1.4℃/W
2018-01-13 19:44:10
电机热功率应该如何计算呢？
强制风冷的选型如何选择呢？和电机的热功率又有什么样的联系呢？
2023-11-24 06:54:24
前言这篇详细的介绍了电机中的热阻网络模型该怎么建立，虽然是以某一个特定的永磁同步电机为例子，但是把它的思路给领会到了，在刻画其他模型的时候就是举一反三的事。再次感谢《基于热阻网络法的电机温度场分析
2021-08-30 07:42:36
电机的冷态、热态是怎样定义的？两者如何判断？满负载时是热态否则就是冷态是这样吗？
2023-12-13 08:16:41
红外热成像的原理是什么？红外热成像技术有什么作用？
2021-06-26 07:26:34
我想找BISS0001热释电处理芯片的PROTEUS仿真元件，但是在网上找了很久都没找到。希望高手们能帮帮忙。
2014-09-12 11:31:37
红红外热释电处理芯片BISS0001及配套的热释电元件RE200B
2012-08-20 22:11:03
对热管理中结到管壳的热阻Rth(j-c)却没有影响。这样就可以为TO220和TO247指定相同的结到管壳的热阻Rth(j-c)。（2）封装类型和芯片面积与结温增量、管壳温度增量间的函数关系图6-（1-3
2018-12-03 13:46:13
芯片和封装、周围环境之间的温度差按以下公式进行计算。其中项目解说θｊａ结温（Ｔｊ）和周围温度（Ｔａ）之间的热阻ψｊｔ结温（Ｔｊ）和封装外壳表面温度（Ｔｃ 1）之间的热阻θｊｃ结温（Ｔｊ）和封装外壳背面
2019-09-20 09:05:08
Altera公司对芯片热设计有哪些资料和工具？
2019-09-04 05:55:12
PCB热设计的要点是什么，需要注意哪些内容啊？很多东西感觉都不知道如何下手
2019-05-30 05:35:31
=111.83℃/W ；计算方式2： θJA=42℃/wTJ=Ta+θJA*PD=26℃+0.826w*42℃/w=60.7℃。两者相差太大，方式2中结温60.7℃小于方式1中表面温度73℃，这个就很难理解
2019-03-25 10:54:06
称为冷结。为了得出测量结的温度(TMJ)，用户必须知道热电偶所产生的差分电压。用户还必须知道基准结温(TRJ)所产生的误差电压。补偿基准结温误差电压一般称为冷结补偿。为使输出电压精确地代表热结电子装置
2018-10-15 14:39:30
我使用 i.MX8QM。我检查了数据表，因为我的产品变热了。但是，数据表没有提到热关断。
芯片本身没有热关断功能，还是 i.MX8QM 只期望 Linux 热关断？
2023-05-17 07:46:52
在20世纪70年代就颁发了可靠性热设计手册；日本电器公司1985年推出的巨型计算机已采用水冷技术；国外多公司致力于各种电子设备冷却方法的计算机辅助热分析软件的开发，力求快速准确地计算出电子设备的温度
2020-07-07 17:14:14
大多数半导体组件结温的计算过程很多人都知道。通常情况下，外壳或接脚温度已知。量测裸片的功率耗散，并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示)，以计算外壳至结点的温升。这种方法适用于所有单裸片封装
2018-10-08 14:45:41
`计算大多数半导体器件结温的过程广为人知。通常情况下，外壳或引脚温度已知。测量裸片的功率耗散，并乘以裸片至封装的热阻(用theta或θ表示)，以计算外壳至结点的温升。这种方法适用于所有单裸片封裝
2014-08-19 15:40:52
，LED 结温升高也会造成光输出下降、颜色发生变化和/或预期寿命显著缩短。本文介绍了如何计算结温，并说明热阻的重要性。 文中探讨了较低热阻 LED 封装替代方法，如芯片级和板载 (COB) 设计，并介绍
2017-04-10 14:03:41
、科研、在线生产中的试验仪器。技术参数热封温度 室温+8℃～300℃热封压力 50~700Kpa（取决于热封面积）热封时间 0.1～999.9s控温精度 ±0.2℃温
2023-11-30 15:16:48
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