嵌入式闪存中,然而,嵌入式闪存的小型化已近乎突破极限,无法跟上CMOS逻辑的小型化。 据称嵌入式闪存的小型化极限是在CMOS逻辑技术节点40nm至28nm上产生。嵌入式非易失性存储器有望在28nm及更高版本的CMOS逻辑上扮演嵌入式闪存的角色。 嵌入式闪
2019-03-13 15:25:55
10487 联华电子携手智原已经完成并交付3亿逻辑门(300-million gate count)系统单芯片解决方案。此款3亿逻辑门SoC是采用联华电子40nm工艺。SRAM容量高达100MB,可为高级通讯产品提供优异的网路频宽,满足高速而稳定的传输需求,以因应新一代通讯产品需求。
2013-01-25 10:13:09
1286 Altera公司与台积公司今日共同宣布在55纳米嵌入式闪存 (EmbFlash) 工艺技术上展开合作,Altera公司将采用台积公司的55纳米前沿嵌入式闪存工艺技术生产可程序器件,广泛支持汽车及工业等各类市场的多种低功耗、大批量应用。
2013-04-16 09:05:09
925 三星电子近日宣布,正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash,并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺,为量产和商用打下了坚实基础。
2013-05-23 09:05:16
1636 锁定汽车应用市场的晶片业者都清楚知道,下一代微控制器(MCU)的战场是内建 40奈米高速存取快闪记忆体的高性能产品;而到目前为止,有两家主要关键厂商正面临战火──瑞萨电子(Renesas)的40奈米快闪记忆体技术,以及同样为40奈米的Spansion嵌入式电荷撷取(Charge Trap,eCT)技术。
2013-12-17 09:21:34
1579 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A6/69/wKgZomUMPY-AaqSnAAAUI8FWp9M931.jpg)
GlobalFoundries在7月份宣布量产14nm FinFET(LPE),总算是迈入了1Xnm的大关。
2015-09-21 08:54:46
838 针对混合动力汽车(HEVs)和电动汽车(EVs)系统控制应用,Renesas(瑞萨电子)推出了32位汽车级微控制器,型号为RH850/C1x。RH850/C1x采用Renesas先进的40nm
2015-10-13 18:18:12
1355 今年底明年初TSMC、三星的10nm工艺就会量产了,Intel的真·10nm处理器也会在明年下半年发布,而GlobalFoundries已经确定跳过10nm节点,他们下一个高性能工艺直接杀向了7nm,也不再选择三星授权,是自己研发的。
2016-11-08 11:57:17
1073 在经过2016的一系列扩张之后,近日,Crossbar与中芯国际合作的40nm ReRAM芯片正式出样,再次为芯片国产化发展提振士气。另有数据显示,中芯国际去年销售额增至29.2亿美元,比2015年大增31%,市占率提升1个百分点至6%。
2017-01-18 10:46:16
1220 90纳米嵌入式闪存 (90nm G2 eFlash) 工艺平台已成功实现量产,技术实力和竞争力再度加强。 华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存 (90nm G1 eFlash) 工艺技术积累的基础上
2017-12-27 17:59:31
9666 瑞萨电子株式会社宣布,推出基于65nm SOTB((薄氧化埋层上覆硅)工艺的新型嵌入式闪存低功耗技术,可提供1.5MB容量,是业界首款基于65nm SOTB技术的嵌入式2T-MONOS(双晶体管-金属氧化氮氧化硅)闪存.
2019-06-15 10:01:07
1853 中,该提案正在荷兰政府进行审查。 2. 28nm 改40nm ?印度要求鸿海Vedanta 合资晶圆厂重提申请 据报道,鸿海集团
2023-06-30 11:08:59
934 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8B/BF/wKgZomSeR7mAXmyQAAsgl7uF_2Y629.png)
日前,LSI 公司宣布推出业界首款 40nm 读取信道芯片 TrueStore® RC9500,旨在支持各种尺寸和容量的从笔记本到企业级的 HDD。RC9500 现已开始向硬盘驱动器 (HDD
2019-08-21 06:26:20
对出现故障的器件进行分析。另一方面,采用并列技术需要对定制压焊垫进行定位,以有效地在两个芯片之间进行绑定。绝大部分应用所采用的首选方案均需要一个具有嵌入式闪存的标准微控制器,这种内部绑定的应用具有重大
2019-04-30 07:00:16
无法突破 90nm 以下节点,理由是存储单元扩展面临诸多困难和挑战。可如今嵌入式闪存已发展到 28nm 级,因此证明上述看法是错误的。现在面临的挑战是将嵌入式闪存迈入 FinFet 工艺时代。不过
2020-08-14 09:31:37
之外,具有高压能力的嵌入式闪存技术的一个更大的优势在于元件的长期供应。例如,在汽车与工业应用中,产品的寿命周期能达10年或更多。将闪存嵌入IC可以防止出现技术生命终结的风险,并且由于逐步淘汰当前工艺而采用新的工艺,需要对设计进行定期检验,这是采用分立式NVM或闪存微控制器时经常会出现的问题。
2019-04-08 09:36:15
嵌入式最小硬件系统是由哪些部分组成的?嵌入式系统使用的存储器是如何进行划分的?可分为哪几类?
2021-10-22 07:18:56
和实时系统的关键特性,并探讨在选择或开发硬件和软件组件的基础上开发高效嵌入式系统的解决方案,同时详细说明嵌入式系统和实时系统开发所特有的关键工艺技术。
2019-07-11 07:53:14
和实时系统的关键特性,并探讨在选择或开发硬件和软件组件的基础上开发高效嵌入式系统的解决方案,同时详细说明嵌入式系统和实时系统开发所特有的关键工艺技术。
2019-08-23 06:45:41
使用的65nm工艺升级到40nm,Cortex-A9高性能版本将在使用双核心的 同时,把频率拉高到2GHz以上,同时依然保持超低功耗,预计高性能Smartbook将是它的主要战场。 低功耗版本方面,主要
2015-11-24 09:50:20
使用的65nm工艺升级到40nm,Cortex-A9高性能版本将在使用双核心的 同时,把频率拉高到2GHz以上,同时依然保持超低功耗,预计高性能Smartbook将是它的主要战场。 低功耗版本方面,主要
2014-06-25 18:04:03
使用的65nm工艺升级到40nm,Cortex-A9高性能版本将在使用双核心的 同时,把频率拉高到2GHz以上,同时依然保持超低功耗,预计高性能Smartbook将是它的主要战场。 低功耗版本方面,主要
2015-11-25 16:06:53
使用的65nm工艺升级到40nm,Cortex-A9高性能版本将在使用双核心的 同时,把频率拉高到2GHz以上,同时依然保持超低功耗,预计高性能Smartbook将是它的主要战场。 低功耗版本方面,主要
2014-06-30 11:27:50
什么是嵌入式系统?怎样去搭建一种嵌入式开发环境呢?
2021-10-19 07:46:35
随着嵌入式系统硬件体系结构的变化,嵌入式系统的发展趋势向嵌入式系统高端,即嵌入式软件系统转移,具体体现在嵌入式操作系统趋于多样和应用软件日渐复杂。由于嵌入式系统软硬件功能界限模糊,研究如何进行系统测试和进行质量评估来保证嵌入式系统的产品质量具有重要意义。
2019-09-18 07:12:10
本人长期从事嵌入式系统产品软件规划、设计、开发及管理相关工作,熟悉vxworks\linux\android\qnx等常用嵌入式系统驱动、应用等开发,涉及到工控、军用、民用等多个行业,希望寻求合作,联系QQ:283744221
2016-10-19 17:07:44
GD32E5高性能微控制器,采用台积电低功耗40纳米(40nm)嵌入式闪存工艺构建,具备业界领先的处理能力、功耗效率、连接特性和经济的开发成本。推动嵌入式开发向高精度工业控制领域扩展,解决数字电源
2021-12-16 08:13:14
的普及应用将大致分为两个阶段。第一阶段,它将取代车载MCU中应用的嵌入式存储器,其后在第二阶段,它将取代手机中的MCP以及独立DRAM和独立NOR闪存等。图1 65nm产品会取代嵌入式存储器,45nm
2023-04-07 16:41:05
嵌入式系统是计算设备硬件中嵌入软件作为其核心组件的应用。我们身边现在已经被嵌入式系统包围了,这些产品能为我们的生活带来各种方便乃至奢华的功能,包括移动手持设备、洗衣机、微波炉、ATM 机、空调等等。由于某些特定的应用要求,工程师必须以不同于其它设计类型的特定方法进行嵌入式设计。
2020-04-13 07:04:24
这是一mt6169 40nm CMOS多模多频段收发器。射频收发器功能是完全集成的。本文描述了射频宏被嵌入到整个产品中的性能目标。MT6169主要特征区别MT6169是第一个M联ATEK射频收发器1
2018-08-28 19:00:04
东芝近日宣布推出多款最大容量为 32GB的嵌入式NAND闪存模块,这些嵌入式产品应用于移动数码消费产品,包括手机和数码相机,样品将于2008年9月出厂,从第四季度开始量产
2008-08-14 11:31:20
为何要进行嵌入式软件架构设计?如何进行嵌入式软件架构设计?
2021-11-01 06:31:26
什么是嵌入式?嵌入式设备有哪些呢?
2021-12-24 07:47:47
大多数汽车] 差异化的多晶硅浮栅嵌入式闪存多年来,大多数]
2020-01-12 08:00:00
东芝推出全球最小嵌入式NAND闪存产品,可用于各种广泛的数字消费产品【转】东芝公司宣布推出全球最小级别嵌入式NAND闪存产品,这些产品整合了采用尖端的15纳米工艺技术制造的NAND芯片。新产品符合
2018-09-13 14:36:33
输出);实时时钟和看门狗,112个通用I/O 口(可承受5V 电压);2 个低功耗模式:空闲和掉电。 片上集成高速闪存 LPC2000系列的片上闪存专为嵌入式应用而设计。采用0.18微米的工艺
2008-06-17 11:56:19
基于全新Arm® Cortex®-M33内核的GD32E5系列高性能微控制器。这系列MCU采用台积电低功耗40纳米(40nm)嵌入式闪存工艺构建,具备业界领先的处理能力、功耗效率、连接特性和更经济
2021-11-04 08:38:32
如何使用 GDB 进行嵌入式远程调试?
2021-12-24 07:01:07
嵌入式flash的特性有哪些?嵌入式flash的操作流程有哪些?
2021-10-08 08:51:35
如何对嵌入式应用程序进行调试
2021-12-24 07:36:55
嵌入式软件的覆盖测试原理是什么?嵌入式实时操作系统的覆盖测试工具是什么?Logiscope在嵌入式操作系统DeltaCORE测试中的应用是什么?
2021-05-13 07:30:16
嵌入式闪存技术认知误区
2021-01-12 06:30:12
怎样在嵌入式A40i开发板上配置sftp用于文件传输呢?请问嵌入式A40i开发板是如何控制LED闪烁的?
2021-12-27 07:21:34
【来源】:《电子设计工程》2010年02期【摘要】:<正>赛灵思公司与联华电子共同宣布,采用联华电子高性能40nm工艺的Virtex-6FPGA,已经完全通过生产前的验证
2010-04-24 09:06:05
40nm等工艺节点推出蓝牙IP解决方案,并已进入量产。此次推出的22nm双模蓝牙射频IP将使得公司的智能物联网IP平台更具特色。结合锐成芯微丰富的模拟IP、存储IP、接口IP、IP整合及芯片定制服务、专业及时的技术支持,锐成芯微期待为广大物联网应用市场提供更完善的技术解决方案。
2023-02-15 17:09:56
40 nm 工艺的电路技术40-nm 工艺要比以前包括65-nm 节点和最近的45-nm 节点在内的工艺技术有明显优势。最引人注目的优势之一是其更高的集成度,半导体生产商可以在更小的物理空
2010-03-03 08:42:13
14 安华高科技首次在40nm硅芯上取得20 Gbps的SerDes性能表现
Avago Technologies(安华高科技)日前宣布,已经在40nm CMOS工艺技术上取得20 Gbps的SerDes性能表现。延续嵌入式SerDes应用长久以
2008-08-27 00:34:23
701 英飞凌、TSMC扩大合作,携手65纳米嵌入式闪存工艺
英飞凌科技股份公司与台湾积体电路制造股份有限公司近日共同宣布,双方将在研发和生产领域扩大合作,携手开发
2009-11-10 09:02:38
1977 传40nm制程代工厂良率普遍低于70%
据业者透露,包括台积电在内的各家芯片生产公司目前的40nm制程良率均无法突破70%大关。这种局面恐将对下一代显卡和FPGA芯片等产品
2010-01-15 09:32:55
1000 台积电称其已解决造成40nm制程良率不佳的工艺问题
据台积电公司高级副总裁刘德音最近在一次公司会议上表示,台积电40nm制程工艺的良率已经提升至与现有65nm制程
2010-01-21 12:22:43
893 赛灵思高性能40nm Virtex-6 FPGA系列即将转入量产
赛灵思公司(Xilinx, Inc.)与联华电子(UMC)今天共同宣布,采用联华电子高性能40nm工艺的Virtex-6 FPGA,已经完全通过生产前的验
2010-01-26 08:49:17
851 Intel、美光宣布投产25nm NAND闪存
由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布,已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片,并相信足以
2010-02-01 11:15:12
771 华邦电子宣布将于年内开始40nm制程技术研发
华邦电子公司的总裁詹东义近日宣布,华邦公司将于年内开始40nm制程工艺的开发,不过华邦拒绝就其将于尔必达合作进
2010-02-02 18:00:12
783 三星首家量产40nm级工艺4Gb DDR3绿色内存芯片
三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。
这种内存芯片支
2010-02-26 11:33:42
779 台积电无奈出B计划:AMD下代显卡40nm工艺+混合架构
AMD曾在多个场合确认将在今年下半年发布全系列新显卡,我们也都期待着全新的
2010-04-01 09:17:50
712 灿芯半导体(上海)有限公司与中芯国际今天共同宣布灿芯半导体第一颗 40nm 芯片在中芯国际一次性流片验证成功。
2011-06-22 09:16:33
1258 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出首款面向芯片卡和安全应用的65纳米嵌入式闪存(eFlash)微控制器(MCU)样品。这是英飞凌和台积电(TSMC)于2009年开始共同开发及生产65 纳米
2011-11-19 00:13:18
543 英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布推出第一代65 奈米(nm)嵌入式快闪 (eFlash)安全芯片样本,主要用于芯片卡与安全防护应用。
2011-11-30 10:07:06
1176 瑞萨电子宣布开发出业界首款适用于汽车实时应用领域的40nm工艺嵌入式闪存技术。瑞萨电子也将是首先使用上述40nm工艺闪存技术,针对汽车应用领域推出40nm嵌入式闪存微控制器(MCU)的厂
2012-01-05 19:44:13
797 意法·爱立信今天发布了业界首个采用40nm制造工艺的整合GPS、GLONASS、蓝牙和FM收音的平台CG2905。这款开创性产品将提高定位导航的速度和精度,推动市场对扩增实境应用和先进定位服务
2012-03-01 09:04:38
783 8月14日消息,ARM和芯片工厂Globalfoundries日前宣布,双方将联手研发20nm工艺节点和FinFET技术。 ARM之前和台积电进行了紧密合作,在最近发布了若干使用台积电28nm工艺节点制作的硬宏处理
2012-08-14 08:48:11
636 联华电子与闪存解决方案领导厂商Spansion 4日共同宣布,将展开40纳米工艺研发合作,此份非专属授权协议包含了授权联华电子采用此技术为Spansion制造产品。
2013-03-06 10:17:34
922 益华电脑宣布,晶圆代工业者GLOBALFOUNDRIES已经认证Cadence实体验证系统适用于65nm至14nm FinFET制程技术的客制/类比、数位与混合讯号设计实体signoff。同时
2014-03-25 09:33:50
862 Storage Technology(SST)与先进半导体制造技术的领先供应商GLOBALFOUNDRIES共同宣布,基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗强化型(LPx)/RF平台的SST 55nm嵌入式SuperFlash® 非易失性存储器(NVM)产品已通过全面认证并开始投放市场。
2015-05-18 14:48:30
1429 Mentor Graphics公司(纳斯达克代码:MENT)今天宣布,正与 GLOBALFOUNDRIES 展开合作,认证 Mentor® RTL 到 GDS 平台(包括 RealTime
2015-11-16 17:16:23
1078 全球领先的嵌入式解决方案供应商赛普拉斯半导体公司和全球领先的半导体代工厂联华电子公司(以下简称“UMC”)于今日宣布,赛普拉斯由UMC代工的专有40nm嵌入式 电荷捕获 (eCT™) 闪存微控制器(MCU),现已开始大单出货。
2016-12-29 15:46:58
2253 作为中国本土半导体制造的龙头企业,中芯国际(SMIC)的新闻及其取得的成绩一直是行业关注的焦点。2017新年伊始,其一如既往地吸引着人们的眼球。前几天,该公司宣布正式出样采用40nm工艺的ReRAM(非易失性阻变式存储器)芯片,并称更先进的28nm工艺版很快也会到来。
2017-01-17 09:40:00
3747 目前在下一代存储芯片的研发当中,除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片(非易失性阻变式存储器)。2016年3月,Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作,发力中国市场。其中,中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。
2017-01-17 16:28:55
3396 近日华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存工艺平台已经宣布量产,是在第一代的基础上实现了多方面的技术提升。目前,90nm G2 eFlash已实现了高良率的稳定量产,标志着华虹半导体在特色化嵌入式闪存技术上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:46
1205 联华电子宣布,推出的40nm纳米SST嵌入式快闪记忆,在以往55纳米单元尺寸减少20%以上,整体缩小了20~30%。东芝电子元件&存储产品公司赈灾评估这个微处理器芯片。
2018-01-04 10:34:36
1757 出样40nm ReRAM存储芯片,更先进的28nm工艺版很快也会到来,这种新型存储芯片比NAND闪存快一千倍,耐用一千倍。
2018-11-01 16:07:16
2811 的2G 、3G 和4G无线通信终端的核心芯片供应商之一,今日宣布其首款集成了无线连接的手机基带平台-SC6531正式商用。展讯单芯片40nm GSM/GPRS手机基带平台SC6531集成了FM与蓝牙,更高
2018-11-14 20:39:01
419 “芯启源”)共同合作,集成USB3.0物理层设计(PHY)与控制器 (Controller)并应用于中芯国际40nm和55nm的工艺技术,推出完整的USB 3.0 IP解决方案。
2018-12-05 14:06:56
6394 东京日前宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块(e·MMC),该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58
660 华虹半导体有限公司(“华虹半导体”)宣布其第三代90纳米嵌入式闪存(90nm eFlash)工艺平台已成功实现量产。
2019-06-27 16:22:38
3721 继于2015年2月28nm嵌入式闪存的工艺开发公布后,瑞萨电子于2016年9月宣布与台积电合作生产28nm MCU。今日向市场推出全球第一款28nm嵌入式闪存MCU,将成为瑞萨电子的另一个重要里程碑。瑞萨电子已经验证了在16/14nm及下一代MCU产品上应用鳍状MONOS闪存技术。
2019-08-02 10:25:03
2715 瑞萨电子与台积电共同宣布,双方合作开发28纳米嵌入式闪存(eFlash)制程技术,以生产支持新一代环保汽车与自动驾驶汽车的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:16
2164 GlobalFoundries、Everspin联合宣布,双方已经达成新的合作,将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存),包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:53
2162 GlobalFoundries、Everspin联合宣布,双方已经达成新的合作,将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存),包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26
497 GlobalFoundries、Everspin联合宣布,双方已经达成新的合作,将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存),包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:57:14
2310 GlobalFoundries、Everspin联合宣布,双方已经达成新的合作,将利用GF 12LP(12nm FinFET)工艺来制造新一代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存),包括独立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:56
2516 Objective Analysis总裁Jim Handy表示:“当闪存置于主处理器之外时,保证嵌入式系统的安全性就变得尤为重要。针对闪存无法嵌入MCU的情况,英飞凌推出的安全闪存解决方案是一种极具竞争力的架构。
2020-07-20 15:37:59
1852 ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)今日宣布与英飞凌合作推出SONOS嵌入式闪存(eFlash)平台
2022-12-15 09:06:59
707 IP_数据表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:19:39
1 IP_数据表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:20:31
0 IP 数据表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-03-14 19:22:15
2 IP_数据表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:26:53
0 IP_数据表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-03-16 19:33:10
0 IP_数据表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-03-16 19:34:04
0 IP_数据表(I-27):MIPI D-PHY Tx/Rx for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:11
1 IP_数据表(I-18):MIPI D-PHY Receiver for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:45:56
1 IP 数据表: 3.0V Standard Cell for TSMC 40nm LP
2023-07-05 19:47:26
0 IP_数据表(I-9):USB2.0 Transceiver for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:12:51
0 IP_数据表(Z-5):3.0V StndardCell for TSMC 40nm LP
2023-07-06 20:19:24
1 IP_数据表(Z-2):GPIO for TSMC 40nm N40EF2
2023-07-06 20:20:12
2 ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技(Faraday Technology Corporation,TWSE:3035)今日宣布其Ariel™ SoC成功通过完整质量可靠度验证,该IoT芯片基于联电40纳米超低功耗(40ULP)工艺并采用英飞凌SONOS eFlash嵌入式闪存技术。
2023-08-17 15:58:20
1104 Z20K11xN采用国产领先半导体生产制造工艺SMIC 车规 40nm工艺,提供LQFP48,LQFP64以及LQFP100封装,CPU主频最大支持64MHz,支持2路带64个邮箱的CAN-FD通讯接口,工作电压3.3V和5V。
2023-09-13 17:24:08
1075 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A4/41/wKgaomUBgByAUFz-AAAjnPFNAKo513.png)
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