16日，三星电子宣布在基于EUV的高级节点方面取得了重大进展，包括7nm批量生产和6nm客户流片，以及成功完成5nm FinFET工艺的开发。 三星电子宣布其5纳米（nm）FinFET工艺技术的开发
2019-04-18 15:48:47
6010 电子发烧友网讯： 在28纳米产品和新平开发软件平台Vivado发布后，赛灵思并没有停止新工艺开发的脚步。日前赛灵思宣布了其20纳米的产品规划。 赛灵思全球高级副总裁、亚太区执行总
2012-11-14 10:43:401136 SuVolta公司展示其「深度耗尽通道」（ Deeply Depleted Channel；DDC ）技术在效能及功耗方面的优势。
2013-01-10 11:36:181040 Cadence设计系统公司（Cadence Design Systems， Inc.）（纳斯达克代码：CDNS）今日宣布与TSMC签订了一项长期合作协议，共同开发16纳米FinFET技术，以其适用于
2013-04-09 11:00:05798 Altera公司与台积公司今日共同宣布在55纳米嵌入式闪存 （EmbFlash） 工艺技术上展开合作，Altera公司将采用台积公司的55纳米前沿嵌入式闪存工艺技术生产可程序器件，广泛支持汽车及工业等各类市场的多种低功耗、大批量应用。
2013-04-16 09:05:09925 在国际电子电路研讨会大会（ISSCC）上，三星展示了采用10纳米FinFET工艺技术制造的300mm晶圆，这表明三星10纳米FinFET工艺技术最终基本定型。
2015-05-28 10:25:271715 三星电子公司今天宣布批量生产基于其高级20纳米工艺技术的业界首款12Gb LPDDR4（低功耗双数据速率4）移动DRAM。
2015-09-11 10:21:011421 据台湾经济日报最新消息，联电（2303）与下一代ST-MRAM（自旋转移力矩磁阻RAM）领导者美商Avalanche共同宣布，合作技术开发MRAM及相关28纳米产品；联电即日起透过授权，提供客户具有成本效益的28纳米嵌入式非挥发性MRAM技术。
2018-08-09 10:38:123129 瑞萨电子今日宣布，将开发全新微控制器（MCU），以支持最近发布的低功耗（LE）蓝牙® 5.3规范。
2021-10-21 15:34:201291 
（Microcontroller Unit, MCU）市场，最新推出95纳米单绝缘栅非易失性嵌入式存储器（95纳米5V SG eNVM）工艺平台。在保证产品稳定性能的同时，95纳米5V SG eNVM工艺平台以其低功耗、低成本
2017-08-31 10:25:23
要解决一系列的技术难题。为此，我们邀请FPGA企业、EDA企业、IP企业、芯片制造企业共同探讨新工艺技术的研发关键点。 Altera技术经理相奇博士：40纳米技术应对高静态功耗和高速I/O挑战
2019-05-20 05:00:10
上受益于和TSMC的合作。这种紧密的合作关系使Altera能够在CycloneIII中充分发挥TSMC低功耗65nm工艺技术的优势，和竞争器件相比，大大降低了功耗。我们在45nm产品开发中也取得了很大进步，将在2008年推出我们的首款45nm产品。
2019-07-16 08:28:35
可穿戴设备可分为哪几类？低功耗蓝牙技术在可穿戴电子中有什么应用？
2021-05-24 07:16:07
EMC设计、工艺技术基本要点和问题处理流程推荐给大家参考。。
2015-08-25 12:05:04
结合采用低功耗元件和低功耗设计技术在目前比以往任何时候都更有价值。随着元件集成更多功能，并越来越小型化，对低功耗的要求持续增长。当把可编程逻辑器件用于低功耗应用时，限制设计的低功耗非常重要。如何减小动态和静态功耗？如何使功耗最小化？
2019-08-27 07:28:24
MATLAB&STM32CubeMX联合开发系列——不用手写一行代码就能实现CAN通讯从第一次搭建好MATLAB和STM32CubeMX的联合开发环境有一段时间了，之前已经发布了两个实例
2021-08-17 08:00:20
最近在学习MATLAB/RTW与STM32f407，遇到一些问题，请问谁有过类似联合开发的经验或者资料？不胜感谢!!!!
2016-02-01 20:45:21
Sic mesfet工艺技术研究与器件研究针对ＳｉＣ 衬底缺陷密度相对较高的问题，研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为２?０７ ｎｍ的刻蚀表面；牺牲氧化
2009-10-06 09:48:48
完全解决的。这些挑战包括：多于10万个器件的设计复杂度、大于几GHz的时钟主频、纳米级的CMOS工艺技术、低功耗、工艺变化、非常明显的非线性效应、极度复杂的噪声环境以及无线/有线通讯协议的支持问题。
2019-10-11 06:39:24
通 骁龙 8 Gen 1：2021年12月1日公布，4纳米工艺技术制造3、苹果A14 Bionic：2020年9月15日公布，5纳米工艺技术制造4、高通 骁龙 888 Plus：2021年6月28日公布
2021-12-25 08:00:00
PCB部件使用PI膜作为柔性芯板，并覆盖聚酰亚胺或丙烯酸膜。粘合剂使用低流动性预浸料，最后将这些基材层压在一起以制成刚挠性PCB。刚柔性PCB制造工艺技术的发展趋势：未来，刚柔结合PCB将朝着超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-07-05 08:13:58
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-20 08:01:20
芯片设计解决方案供应公司微捷码（Magma）设计自动化有限公司近日宣布，已和专为消费性应用提供超低功耗65纳米FPGA（现场可编程门阵列）技术的先驱者SiliconBlue科技公司正式签定技术
2019-07-26 07:29:40
如何利用Freeze技术的FPGA实现低功耗设计？
2021-04-29 06:27:52
一半，而性能提高两倍。通过选择一个高性能低功耗的工艺技术，一个覆盖所有产品系列的、统一的、可扩展的架构，以及创新的工具，赛灵思将最大限度地发挥 28 纳米技术的价值， 为客户提供具备 ASIC 级功能
2019-08-09 07:27:00
和传统蓝牙技术相比，低功耗蓝牙技术的低功耗是如何实现的？
2021-05-18 06:23:30
如何提高多层板层压品质在工艺技术
2021-04-25 09:08:11
的工艺技术可用于晶圆凸起，每种技术有各自的优缺点。其中金线柱焊接凸点和电解或化学镀金焊接凸点主要用于引脚数较少的封装应用领域包括玻璃覆晶封装、软膜覆晶封装和RF模块。由于这类技术材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
的方法来控制静态功耗以及UPF的实现方法，然后描述UPF在设计流程中的应用。 数字IC设计面临的挑战 制造工艺技术节点的发展比预期增加了更多的功耗。每一个新工艺都具有固有的更高的动态和漏电电流密度
2020-07-07 11:40:06
低功耗蓝牙有哪些特性？低功耗蓝牙有哪些技术？
2021-05-14 07:08:40
请详细叙述腐蚀工艺工段的工艺流程以及整个前道的工艺技术
2011-04-13 18:34:13
如何利用FPGA设计技术降低功耗？
2021-04-13 06:16:21
立足自主研发和技术创新，企业才有生命力。2005 年，中芯国际在成功开发0.25 微米、0.18 微米、0.13微米集成电路生产工艺的基础上，向90 纳米国际主流技术发起挑战。2006 年中芯国
2009-12-14 11:39:00
34 摘要：介绍了几种高开关速度、低电源电压等极、低功耗的BiCMOS逻辑门电路，并分析了它们的工作原理及其工艺技术情况。结果表明，这些电路的电源电压可达到20V以下，而且信号
2010-05-13 09:59:2919 常用PCB工艺技术参数.
2010-07-15 16:03:1766 低功耗的FPGA芯片领导者Actel公司与全球领先的半导体晶圆代工厂联华电子 (UMC) 宣布，双方已合作进行Actel次世代以Flash为基础的FPGA (现场可编程门阵列) 芯片之生产。此FPGA芯片将采用
2008-11-22 18:35:42704 中芯国际将45纳米工艺技术延伸至40纳米以及55纳米
上海2009年10月14日电 -- 中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约
2009-10-15 08:22:44793 英飞凌与诺基亚将联合开发4G技术
芯片厂商英飞凌宣布与诺基亚合作制造用于下一代移动网络的芯片，使它向诺基亚高端手机供应芯片又迈进了一步。
英飞凌星
2009-11-27 09:02:47269 英飞凌与诺基亚将联合开发4G技术
据国外媒体报道，芯片厂商英飞凌宣布与诺基亚合作制造用于下一代移动网络的芯片，使它向诺基亚高端手机供应芯片又迈
2009-11-27 15:03:33493 松下与Tesla联合开发新一优锂离子电池技术 Tesla马达公司与松下公司于2010年1月8日宣布，联合开发新一优电动汽车用锂离子电池技术，Te
2010-01-09 08:34:46753 Telsa宣布和松下联合开发新款车用电池
盖世汽车讯 综合外电报道，全球电动车制造商Tesla近日宣布，Tesla将和日本松下公司联合开
2010-01-11 08:47:34608 高通携手TSMC，继续28纳米工艺上合作
高通公司（Qualcomm Incorporated）与其专业集成电路制造服务伙伴－TSMC前不久日共同宣布，双方正在28纳米工艺技术进行密切合作。此
2010-01-13 08:59:23910 赛灵思宣布采用 28 纳米工艺加速平台开发
全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司 (Xilinx Inc. ) 今天宣布，为推进可编程势在必行之必然趋势，正对系统工
2010-02-23 11:16:21383 统一工艺和架构，赛灵思28纳米FPGA成就高性能和低功耗的完美融合
赛灵思公司(Xilinx)近日宣布，为推进可编程势在必行之必然趋势，正对系统工程师在全球发布赛灵思
2010-03-02 08:48:51576 新思科技与中芯国际合作推出用于中芯65纳米低漏电工艺技术的、获得USB标志认证的DesignWareUSB 2.0 nanoPHY
通过芯片验证的DesignWare PHY IP
2010-05-20 17:39:09588 Achronix半导体公司宣布：该公司已经战略性地获得了英特尔公司22纳米工艺技术的使用权，并计划开发最先进的现场可编程门阵列(FPGA)
2010-11-15 09:06:29553 近期，高通公司宣布将推出首款基于28纳米工艺的Snapdragon芯片组MSM8960并宣布此芯片组将于2011财年开始出样。基于28纳米工艺的该芯片组采用新的CPU内核为特征，主要针对高端
2010-11-24 09:19:571471 微捷码(Magma®)设计自动化有限公司日前宣布，一款经过验证的支持Common Platform™联盟32/28纳米低功耗工艺技术的层次化RTL-to-GDSII参考流程正式面市。
2011-01-26 09:44:09894 中国顶尖IC设计公司已经采用了28纳米尖端技术开发芯片，而9.2% 本地无晶圆厂半导体公司亦采用先进的45纳米或以下的工艺技术进行设计及大规模量产。
2011-09-07 11:23:501556 中国顶尖设计公司已经采用28纳米尖端技术开发芯片，而本地9.2%无晶圆厂半导体公司亦采用先进的45纳米或以下的工艺技术进行设计及大规模量产
2011-09-13 09:00:403212 ARM公司与全球领先的半导体晶圆代工商联电近日共同宣布达成长期合作协议，将为联电的客户提供已经通过联电28HPM工艺技术验证的ARM Artisan物理IP解决方案。这项最新的28纳米工艺技术的
2011-10-13 09:32:44631 瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子) 于2011年6月14日宣布开发新型超低功耗近场 距离(低于1米的范围内)无线技术，通过此技术实现极小终端设备(传感器节点)即可将各种传感器信息发送
2011-10-18 09:38:14480 瑞萨电子公司和工业通信系统设备供应商Hilscher公司今天宣布联合开发新型片上系统(SoC)
2011-11-24 08:43:34545 新思科技有限公司（Synopsys, Inc.， 纳斯达克股票市场代码：SNPS）日前宣布：即日起推出其用于台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）28纳米高性能（HP）和移动高性能（HPM）工艺技术的
2012-02-22 14:04:27754 本白皮书介绍了有关赛灵思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的几个方面，其中包括台积电 28nm高介电层金属闸 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28 HPL）工艺的选择。 本白皮书还介绍了 28 HPL 工艺提供
2012-03-07 14:43:4441 随着芯片微缩，开发先进工艺技术的成本也越来越高。TSMC对外发言人孙又文表示，台积电会继续先进工艺技术节点的投入和开发，今年年底台积电将推出20nm工艺
2012-08-30 14:34:301782 联华电子与闪存解决方案领导厂商Spansion 4日共同宣布，将展开40纳米工艺研发合作,此份非专属授权协议包含了授权联华电子采用此技术为Spansion制造产品。
2013-03-06 10:17:34922 全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司（NASDAQ:CDNS）今天宣布，历经广泛的基准测试后，半导体制造商联华电子（NYSE：UMC；TWSE：2303）（UMC）已采用Cadence® “设计内”和“签收”可制造性设计（DFM）流程对28纳米设计进行物理签收和电学变量优化。
2013-07-18 12:02:09905 联华电子和宽带存取与家庭网络技术的领先供货商Lantiq今日（28日）共同宣布，Lantiq应用于有线电话的SPT170高压电源管理芯片产品，已于联华电子进入量产。
2014-10-30 09:40:49848 2015年4月27日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo， Inc.（纳斯达克代码：QRVO）日前宣布推出一项全新的砷化镓（GaAs）赝晶型高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺技术，与竞争对手的半导体工艺相比，该技术能够提供更高的增益/带宽和更低的功耗。
2015-04-28 11:37:09973 2016年2月5日，北京讯——ARM 宣布，从即日起全球晶圆专工领导者联华电子（UMC）的28纳米28HPCU工艺可采用ARM® Artisan® 物理IP平台和ARM POP™ IP。
2016-02-15 11:17:49896 ， LDE） Analyzer 分析方案通过联华电子认证，支援其28纳米HPCU（High Performance Compact，高效能精简型）制程技术。
2016-04-15 10:09:071939 半导体的制造流程以及各工位的详细工艺技术。
2016-05-26 11:46:340 “我们与 Cadence 密切合作开发参考流程，帮助我们的客户加快其差异化的低功耗、高性能芯片的设计，”中芯国际设计服务中心资深副总裁汤天申博士表示，“Cadence创新的数字实现工具与中芯国际28纳米工艺的紧密结合，能够帮助设计团队将28纳米设计达到更低的功耗以及更快的量产化。”
2016-06-08 16:09:562242 PCB测试工艺技术，很详细的
2016-12-16 21:54:480 三星10纳米工艺技术公告：全球领先的三星电子先进的半导体元器件技术正式宣布，其第二代10纳米(nm)FinFET工艺技术，10LPP(Low Power Plus)已经合格并准备就绪用于批量生产。
2017-05-03 01:00:11580 2017年6月2日，上海——楷登电子（美国 Cadence 公司，NASDAQ： CDNS） 今日宣布其数字、签核与定制／模拟工具成功在三星电子公司7LPP和8LPP工艺技术上实现。较前代高阶工艺
2017-06-02 16:04:341237 晟矽微电子股份有限公司（“晟矽微电”，股份代号：430276）今日联合宣布，基于95纳米单绝缘栅一次性编程MCU（95纳米CE 5V OTP MCU）工艺平台开发的首颗微控制器（Microcontroller Unit, MCU）（产品型号MC30P6230）已成功验证，即将导入量产。
2017-11-03 10:37:249818 台积电业务开发副总经理金平中指出，台积电的超低功耗平台包括55纳米超低功耗技术、40纳米超低功耗技术、22纳米超低功耗／超低漏电技术等，都已经被各种穿戴式产品和物联网应用采用，同时，台积电也把超低功耗
2017-12-11 15:03:291409 大会(ITS World Congress 2016)上展示联合开发的新型V2X参考设计方案 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）和车联网(V2X)及联网自动驾驶汽车
2018-04-25 22:20:002144 于联电55纳米超低功耗工艺（55ULP）的 PowerSlash 基础IP方案。智原 PowerSlash 与联电工艺技术相互结合设计，为超低功耗的无线应用需求技术进行优化，满足无线物联网产品的电池长期寿命需求。 智原科技营销暨投资副总于德洵表示：物联网应用建构过程中，效能往往受制于低功耗技术。
2018-03-05 15:08:005142 中芯国际仍在努力提升自己的28纳米工艺技术，曾在三星电子公司和台积电担任高管的梁孟松，去年担任中芯国际联合首席执行官，他的加入将有助于中芯国际开发自己的14纳米工艺技术。三星电子公司和台积电目前正竞相生产7纳米工艺技术芯片。
2018-05-18 08:58:134552 南京飞腾电子近日宣布，正式发布业界最低功耗的安全 NB-IoT 模组 FT780，该模组是由飞腾电子和中兴微电子基于 RoseFinch7100 超低功耗 NB-IoT 芯片上联合开发，尺寸仅为 18mm x16mmx2.3mm，是目前业界最小的模块，适用于超低功耗和超小型化的应用场景。
2018-10-07 19:16:574276 近日，华虹集团旗下中国领先的12英寸晶圆代工企业上海华力与全球IC设计领导厂商---联发科技股份有限公司（以下简称“联发科技”）共同宣布，在两家公司的互相信任及持续努力下，近日双方合作成果之一---基于上海华力28纳米低功耗工艺平台的一颗无线通讯数据处理芯片成功进入量产阶段。
2018-12-12 15:15:012029 12月11日，华虹集团旗下中国领先的12英寸晶圆代工企业上海华力与全球IC设计领导厂商---联发科技股份有限公司（以下简称“联发科技”）共同宣布，在两家公司的互相信任及持续努力下，近日双方合作成果之一---基于上海华力28纳米低功耗工艺平台的一颗无线通讯数据处理芯片成功进入量产阶段。
2018-12-14 15:47:303159 华虹集团旗下中国领先的12英寸晶圆代工企业上海华力与全球IC设计领导厂商---联发科技股份有限公司（以下简称“联发科技”）共同宣布，在两家公司的互相信任及持续努力下，近日双方合作成果之一---基于上海华力28纳米低功耗工艺平台的一颗无线通讯数据处理芯片成功进入量产阶段。
2019-01-01 15:13:003780 华虹集团旗下上海华力与联发科技股份有限公司共同宣布，在两家公司的互相信任及持续努力下，近日双方合作成果之一——基于上海华力28纳米低功耗工艺平台的一颗无线通讯数据处理芯片成功进入量产阶段。
2019-01-07 14:15:453224 继宝马与戴姆勒（奔驰母公司）宣布成立合资出行集团之后，宝马戴姆勒商谈联合开发电动车平台。
2019-03-21 16:47:403702 4月16日，三星官网发布新闻稿，宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发，现已准备好向客户提供样品。
2019-04-16 17:27:233008 低功耗，简称“LPE”)工艺。人工智能(AI)增强型云就绪Fusion Design Platform提供前所未有的全流程设计实现质量和设计收敛速度，实现三星5LPE工艺技术提供的超高性能和低功耗，加速新一波半导体设计的开发，包括高性能计算(HPC)、汽车、5G和人工智能细分市场。
2019-06-12 13:48:353552 东京日前宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块(e·MMC)，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660 瑞萨电子与台积电共同宣布，双方合作开发28纳米嵌入式闪存(eFlash)制程技术，以生产支持新一代环保汽车与自动驾驶汽车的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162164 联华电子2日表示，在使用USB 2.0测试载具并成功通过硅验证之后，正式宣布更先进的22纳米制程技术就绪。
2019-12-03 15:40:342106 12月16日消息，据国外媒体报道，周二，由贾跃亭创办的美国电动汽车初创企业法拉第未来（Faraday Future，简称FF）宣布与飞利浦知识产权与标准公司达成一项联合开发协议。
2020-12-16 10:15:581536 ，以提高产能。 而从英文媒体最新的报道来看，联华电子也在提高 12 英寸晶圆代工厂的产能，以满足相关制程工艺的需求。 英文媒体是援引产业链人士透露的消息，报道联华电子正提高 12 英寸晶圆代工厂的产能的，主要是满足 28nm 工艺的产能需求。
2021-01-18 17:11:282288 目前从全球范围来说，也就只有台积电和三星这两家能做到5纳米工艺以下了。6月29日晚间，据外媒报道，三星宣布其基于栅极环绕型 （Gate-all-around，GAA） 晶体管架构的3nm工艺技术已经
2021-07-02 11:21:542254 西门子数字化工业软件与联华电子 （UMC） 近日达成合作，共同开发适用于联华电子 110 纳米和 180 纳米 BCD 技术平台的工艺设计套件 （PDK）。
2022-02-17 10:43:201132 
西门子数字化工业软件与联华电子 (UMC) 近日达成合作，共同开发适用于联华电子 110 纳米和 180 纳米 BCD 技术平台的工艺设计套件 (PDK)。联华电子为全球半导体晶圆专工业业者，专注
2022-04-02 09:54:041687 全面解读电子封装工艺技术
2022-10-10 11:00:51876 国内知名电源品牌欧陆通与意法半导体（ST）宣布，双方将在欧陆通子公司上海安世博及杭州云电科技两地分别设立针对数字电源应用的联合开发实验室，拟在服务器电源及新能源技术及产品开发领域探索更多可能性。两个
2023-04-29 14:35:241751 
2006电子元器件搪锡工艺技术要求
2023-08-23 16:48:033 电子产品装联工艺技术详解
2023-10-27 15:28:22373 
2023年11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。
2023-11-25 16:50:53451
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