打破国外核心专利控制 市场巨大 - 我国集成电路获重大突破 半浮栅晶体管横空出世

　　潜在市场巨大

　　作为一种新型的基础器件，半浮栅晶体管可应用于不同的集成电路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即静态随机存储器。其次，半浮栅晶体管还可以应用于 DRAM，即动态随机存储器领域。半浮栅晶体管不但应用于存储器，它还可以应用于主动式图像传感器芯片（APS）。由单个半浮栅晶体管构成的新型图像传感器单元在面积上能缩小20%以上，感光单元密度提高，使图像传感器芯片的分辨率和灵敏度得到提升。

　　目前，SRAM、DRAM和图像传感器技术的核心专利基本上由美光、三星、Intel、索尼等国外公司控制。

　　“在这些领域，中国大陆具有自主知识产权且可应用的产品几乎没有。”张卫说。

　　据了解，半浮栅晶体管在存储和图像传感等领域的潜在应用市场规模可达到300亿美元以上。而且，半浮栅晶体管兼容现有主流硅集成电路制造工艺，并不需要对现有集成电路制造工艺进行很大的改动，具有很好的产业化基础。

　　据张卫透露，目前针对半浮栅晶体管的优化和电路设计工作已经开始。对于产业化进程，他表示，希望能够有设计和制造伙伴与科研团队进行对接，向产业化推进。

　　不过，拥有核心专利并不等于拥有未来的广阔市场。尽管半浮栅晶体管应用市场广阔，但前提是必须进行核心专利的优化布局。

　　张卫表示，希望能布局得更快一点，避免被国外的大公司赶超。实际上，国外大公司拥有资金和人才优势，可以大规模申请专利，与之对比，张卫课题组明显“势单力薄”。他表示，目前的半浮栅晶体管是在较大工艺技术节点上实现的，主要是为了验证器件性能。未来研究工作主要集中于器件性能的优化和进一步提升，相关应用的电路设计和关键IP技术，以及技术节点缩小带来的一系列工艺问题等。