16日，三星电子宣布在基于EUV的高级节点方面取得了重大进展，包括7nm批量生产和6nm客户流片，以及成功完成5nm FinFET工艺的开发。 三星电子宣布其5纳米（nm）FinFET工艺技术的开发
2019-04-18 15:48:47
6010 作为业界少数几家加入FinFET俱乐部的公司，中芯国际已经开始使用其14 nm FinFET制造技术批量生产芯片。该公司设法开发了依赖于此类晶体管的制造工艺。有点遗憾的是，中芯国际的FinFET
2019-11-19 10:40:266858 新思科技公司（Synopsys）在过去五年多与行业领导者合作共同开发了对FinFET技术的支持，通过提供经生产验证的设计工具与IP来推进对FinFET技术的采用。
2013-02-19 10:42:54823 那么20纳米的平面型晶体管还有市场价值么？这是一个很好的问题，就在此时，在2013年初，20nm的平面型晶体管技术将会全面投入生产而16纳米/14纳米 FinFET器件的量产还需要一到两年，并且还有
2013-03-15 09:02:541989 
16nm/14nm FinFET技术将是一个Niche技术，或者成为IC设计的主流？历史证明，每当创新出现，人们就会勾勒如何加以利用以实现新的、而且往往是意想不到的价值。FinFET技术将开启电脑、通信和所有类型消费电子产品的大跃进时代。
2013-03-28 09:26:472161 ARM （LSE:ARM; Nasdaq： ARMH） 和Cadence （NASDAQ： CDNS） 今天宣布合作细节，揭示其共同开发首款基于台积电16纳米FinFET制程的ARM®Cortex™-A57处理器，实现对16纳米性能和功耗缩小的承诺。
2013-04-07 13:46:441509 Cadence设计系统公司（Cadence Design Systems， Inc.）（纳斯达克代码：CDNS）今日宣布与TSMC签订了一项长期合作协议，共同开发16纳米FinFET技术，以其适用于
2013-04-09 11:00:05798 面对Altera采用英特尔（Intel）14纳米三门极电晶体（Tri-gate Transistor）制程，并将于2016年量产14纳米FPGA的攻势，赛灵思于日前发动反击，将携手台积电采用16纳米FinFET制程，抢先于2014年推出新一代FPGA。
2013-05-31 09:29:541063 Cadence系统芯片开发工具已经通过台积电（TSMC） 16纳米 FinFET制程的设计参考手册第0.1版与 SPICE 模型工具认证,客户现在可以享用Cadence益华电脑流程为先进制程所提供的速度、功耗与面积优势。
2013-06-06 09:26:451236 EDA 业者正大举在FinFET市场攻城掠地。随着台积电、联电和英特尔（Intel）等半导体制造大厂积极投入16/14奈米FinFET制程研发，EDA工具开发商也亦步亦趋，并争相发布相应解决方案，以协助IC设计商克服电晶体结构改变所带来的新挑战，卡位先进制程市场。
2013-08-26 09:34:041899 
昨日台积电官方宣布，16nm FinFET Plus（简称16FF+）工艺已经开始风险性试产。16FF+是标准的16nm FinFET的增强版本，同样有立体晶体管技术在内，号称可比20nm SoC平面工艺性能提升最多40％，或者同频功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582127 在国际电子电路研讨会大会（ISSCC）上，三星展示了采用10纳米FinFET工艺技术制造的300mm晶圆，这表明三星10纳米FinFET工艺技术最终基本定型。
2015-05-28 10:25:271715 随着台积电揭晓7月份营收表现，其中同时透露旗下16nm FinFET+制程技术将如期于今年第三季内投入量产，预期将用于代工量产华为旗下海思半导体新款Kirin 950处理器，同时也将协助量产苹果A9处理器。
2015-08-12 10:45:111438 台积电第三代16纳米FinFET制程从第4季起，大量对客户投石问路，这也是台积电口中的低价版本，随着攻耗和效能的改善，以及价格的修正，台积电可望在2016年全面提升FinFET制程市占率。
2015-10-16 07:47:03807 我们的FinFET制程分为两个世代，包括14纳米和7纳米。过去我们的14纳米是和三星电子（Samsung Electronics）合作，在7纳米上我们选择不同技术，加上收购IBM资产后，我们的研发资源变广，因此决定自己开发7纳米制程技术。
2016-11-03 09:17:281478 据外媒报道，三星电子被指侵犯了与鳍式场效应晶体管（FinFET）制程工艺相关的专利，面临诉讼。韩媒称，韩国科学技术院（KAIST）计划对三星提起诉讼，指控后者侵犯其FinFET专利。KAIST称，他们开发了10纳米FinFET工艺，但是三星窃取了这项技术，并将其用于生产高通骁龙835芯片。
2016-12-05 15:35:27725 联发科为持续强化新一代智能手机芯片的性能与功耗，计划在第2季度投入台积电最新7纳米制程技术。值得注意的是，新一代手机芯片解决方案可能从目前10核心CPU增至12核心。
2017-03-10 09:12:28646 3月9日消息，展讯今天宣布与德国半导体公司Dialog建立战略合作伙伴关系，共同开发LTE芯片平台。在合作第一阶段，Dialog最新定制的SoC芯片将被应用于展讯14纳米中高端LTE芯片平台中。对于这个芯片平台，李力游表示要比联发科所有芯片都好。
2017-03-10 11:13:481974 12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米 FinFET产品的密度和性能，同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。 这项全新的12LP技术与当前市场上的16 /14纳米 FinFET解决方案相比，电路密度提高
2017-09-25 16:12:368666 制程进度，共同执行长赵海军表示，先进制程14纳米FinFET将于2019年量产，第二代28纳米HKMG制程也会于2018年底问世，外界都睁大眼睛等着检视成绩单。 中芯国际15日的线上法说中，仍是由赵海军主持会议，梁孟松仅简短发言，代表加入新团队后的首次现“声”，也满
2017-11-27 16:29:531345 据台湾经济日报最新消息，联电（2303）与下一代ST-MRAM（自旋转移力矩磁阻RAM）领导者美商Avalanche共同宣布，合作技术开发MRAM及相关28纳米产品；联电即日起透过授权，提供客户具有成本效益的28纳米嵌入式非挥发性MRAM技术。
2018-08-09 10:38:123129 8月30日，中芯国际发布2018年中期业绩，收入同比增长11.5%至17.22亿美元；毛利同比增长5.6%至4.38亿美元。中芯国际在14纳米FinFET技术开发上获得重大进展。中芯国际的第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。
2018-08-31 14:44:335140 电子发烧友网报道（文/李弯弯）日前，第23届中国国际光电博览会（CIOE2021）在深圳国际会展中心举办，全球领先的光通信芯片和解决方案提供商Credo在展会现场展示了用于数据中心和无线基础设施连接
2021-10-01 07:42:006947 将致力于在快速充电领域深入合作，全力开拓快速充电市场。 苏州易能微电子科技有限公司，成立于2011年，总部位于江苏昆山国家高新技术创新创业服务中心；专注于数字电源芯片设计开发，并在全球首次提出了可重构
2018-08-02 10:02:03
本帖最后由 开发快 于 2016-7-12 15:41 编辑
“开发快520表白你创意秀”目前已经将第一轮投票选手的文章公布出来，大家快去投出宝贵的一票吧，将你喜欢的作品送上榜首，送进决赛
2016-06-21 11:33:31
、参与校企合作项目开发。您如果在这些方面需要开发拥有自己产权的产品，又不愿花费太多的人工成本在这方面的，可以找我一次性开发以及开发后的维护工作，以下是我曾经做过的部分项目的简介，如有意向合作者请打
2012-03-01 13:36:14
、参与校企合作项目开发。您如果在这些方面需要开发拥有自己产权的产品，又不愿花费太多的人工成本在这方面的，可以找我一次性开发以及开发后的维护工作，以下是我曾经做过的部分项目的简介，如有意向合作者请打
2012-03-01 13:36:59
本人新手，参加电子大赛，急需各位大神们提供一些好的创意，只要敢想，什么创意都行，留言时请留下您的方式，如果被采纳本人必定重谢，号码18305113595
2014-07-04 17:01:36
的小珠子，使其最后形成一个10X5比例的长方形。从这个实验不难看出，要达成这个目标非常不容易，由此可以了解到，各大厂面临的困境有多么艰难。三星和台积电都在完成14 纳米、16 纳米 FinFET 的量产
2016-06-29 14:49:15
的长方形。从这个实验不难看出，要达成这个目标非常不容易，由此可以了解到，各大厂面临的困境有多么艰难。三星和台积电都在完成14 纳米、16 纳米 FinFET 的量产，并以此为资本争夺下一代iPhone
2016-12-16 18:20:11
研发实力得到进一步夯实，正伺机而动等待崛起之机。GF退出后，高端芯片将出现一定的市场缺口，这将成为中国芯争抢市场份额的好时机。日前，7纳米的中国芯制造捷报频频。***才宣布 14 纳米FinFET
2018-09-05 14:38:53
高性能32位N32G4FRM系列芯片的样片开发，开发板主MCU芯片型号N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
表现良好，休眠模式下功耗在1uA左右，与客户端实际需求匹配度较高。该款FM33LE0 MCU + SX126x参考设计是Semtech与复旦微电子所共同开发的第一套参考设计，方案已经完成测试，于2023
2023-02-13 17:44:32
16纳米FinFET制程，但因许多客户认为16纳米FinFET与目前量产中的20纳米SoC制程相较，效能及功耗上并无太明显的差距，也因此，台积电加快脚步开发出16纳米FinFET Plus制程，除了可较
2014-05-07 15:30:16
Nano-Proprietary旗下的Applied Nanotech公司与Funai Electric先进应用技术研究所日前宣布，双方将针对一个研究项目进行合作，共同开发基于酶涂层碳纳米
2018-11-19 15:20:44
我想寻找一批做高端电子行业的工程师，大家一起合作，开发顶尖的电子消费产品。我公司负责推广，生产，你们负责研发。大家怎么看合作。可以加QQ群 397732577，寻找有想创业的，有共同想法的人一起合作。各发挥各自的优势，让我们的研发成果能转换成产品。给我们的付出带回一定的回报。
2016-01-08 00:47:09
我想寻找一批做高端电子行业的工程师，大家一起合作，开发顶尖的电子消费产品。我公司负责推广，生产，你们负责研发。大家怎么看合作。可以加QQ群 397732577，寻找有想创业的，有共同想法的人一起合作。各发挥各自的优势，让我们的研发成果能转换成产品。给我们的付出带回一定的回报。
2016-01-03 13:38:20
芯片而在未来产品规划方面，李力游强调，展讯将在智能手机领域有更多投入。此外，展讯将从2012年开始研发28纳米芯片产品，以满足未来LTE产品的使用需求。李力游表示，TD-LTE的运算量会很大，40纳米
2011-10-27 11:50:07
如题，只要是和开源软件、电子创意沾边并且适用于教学的视频都可以，有大佬共享一下么？
2017-08-14 17:29:24
灵动微电子怎样？可以寻求合作吗？
2020-07-22 00:16:27
考察团来访做技术合作交流，据说，在这之前已有荷兰、日本、俄罗斯等多家国外公司到访参观考察。这一切正透露出这样一个讯息：它——宣城晶瑞新材料有限公司，已初露锋芒。宣城晶瑞新材料有限公司于2006投入运营
2011-11-12 09:57:00
穿戴电子开发项目，可技术合作共同开发！各位网友大家好，明年是穿戴式电子元年，google glass 年底上市注定会刮起一阵电子穿戴风，穿戴电子市场有很大的发展空间，必定会为合作伙伴带来机会，我们
2013-06-29 17:35:47
FZ3 深度学习计算卡是米尔电子推出的一款以 Xilinx XCZU3EG 作为核心的嵌入式智能 AI 开发平台。采用了 Xilinx 最新的基于 16nm 工艺的 Xilinx Zynq
2020-10-09 10:21:45
恒忆与三星电子共同合作开发PCM
恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory，PCM) 产品的市场规格，此新一代存储
2009-06-29 07:39:08658 高通携手TSMC，继续28纳米工艺上合作
高通公司（Qualcomm Incorporated）与其专业集成电路制造服务伙伴－TSMC前不久日共同宣布，双方正在28纳米工艺技术进行密切合作。此
2010-01-13 08:59:23910 台积电与富士通合作开发28纳米芯片
据台湾媒体报道，富士通旗下富士通微电子近期将派遣10到15名工程师与台积电合作开发28纳米芯片，台积电预计今年底将出货富士
2010-01-14 09:10:17812 东芝欲以投资1.59亿美元开发25纳米闪存芯片 据国外媒体报道称，东芝公布了一项新计划，开发25纳米工艺的闪存芯片。
闪存
2010-04-07 09:28:18710 瑞芯微电子与中芯国际合作推动65纳米工艺多媒体高端芯片进入量产 2010-11-29 16:30 上海2010年11月29日电 /美通社亚洲/ -- 作为国内领先的半导体公司
2010-11-30 10:29:071044 据外国媒体报道，IBM和ARM计划加强移动电子市场合作的同时，还会共同合作提高14纳米半导体技术。
2011-01-19 08:09:55330 NI携手RIGOL和北京信息科技大学共同开发全新电子电路实验教程,之后三方共同为此课程揭牌，标志着此课程正式投入使用。
2012-06-12 16:22:18846 昨日，半导体代工厂台积电和ARM达成一项多年期的合作协议，双方合作的范围将延续至20纳米制程以下。ARM官方表示，双方技术合作的目的，是让ARM芯片可运用于FinFET （鳍式场效晶体管
2012-07-24 10:41:12468 该14纳米产品体系与芯片是ARM、Cadence与IBM之间在14纳米及以上高级工艺节点上开发系统级芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技术以14纳米标准设计的SoC能够大幅降低功耗。 这
2012-11-16 14:35:551270 新思科技公司日前宣布：该公司与三星在FinFET技术上的多年合作已经实现了一个关键性的里程碑，即采用三星的14LPE工艺成功实现了首款测试芯片的流片
2013-01-09 12:11:311062 ，采用台积公司先进的16纳米FinFET （16FinFET）工艺打造拥有最快上市、最高性能优势的FPGA器件。
2013-05-29 18:21:14869 光刻物理分析器成功完成20纳米系统级芯片（SoC）测试芯片流片。双方工程师通过紧密合作，运用Cadence解决方案克服实施和可制造性设计（DFM）验证挑战，并最终完成设计。
2013-07-09 15:53:24769 全球电子创新设计Cadence公司与上海华力微电子，15日共同宣布了华力微电子基于Cadence Encounter数字技术交付55纳米平台的参考设计流程。华力微电子首次在其已建立55纳米工艺上实现了从RTL到GDSII的完整流程。
2013-08-16 11:08:111383 全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于台积电16纳米FinFET制程的DDR4 PHY IP（知识产权）。
2014-05-21 09:44:541769 全球知名电子设计创新领先公司Cadence设计系统公司 （NASDAQ： CDNS），今日宣布台积电采用了Cadence®16纳米FinFET单元库特性分析解决方案。
2014-10-08 19:03:221594 设计参考手册（Design Rule Manual，DRM） 与SPICE认证，相比于原16纳米FinFET制程，可以使系统和芯片公司通过此新工艺在同等功耗下获得15%的速度提升、或者在同等速度下省电30%。
2014-10-08 19:10:45663 美国加州圣何塞（2014年9月26日）-全球知名的电子设计创新领导者Cadence设计系统公司（NASDAQ： CDNS）今日宣布为台积电16纳米FinFET+ 制程推出一系列IP组合。
2014-10-08 19:19:22919 ™）创意电子（Global Unichip Corp. GUC）宣布，创意电子在台积电16纳米FinFET Plus （16FF +）制程上采用Cadence® Encounter®数字设计实现系统完成首个高速运算ASIC的设计方案（tape-out）。
2014-10-21 09:27:541129 三星于2015年第一季度发布了半导体芯片行业首款采用14nmLPE （Low-Power Early） 工艺量产的Exynos 7 Octa处理器，成为FinFET逻辑制程上的行业引领者。
2016-01-15 17:12:47927 FastSPICE™ （AFS） 平台。除此之外，Calibre 和 Analog FastSPICE 平台已可应用在基于TSMC 7 纳米 FinFET 工艺最新设计规则手册 （DRM） 和 SPICE 模型的初期设计开发和 IP 设计。
2016-03-24 11:13:19816 2016年5月19日，北京讯——ARM今日发布了首款采用台积电公司（TSMC）10纳米FinFET工艺技术的多核 64位 ARM®v8-A 处理器测试芯片。仿真基准检验结果显示，相较于目前常用于多款顶尖智能手机计算芯片的16纳米FinFET+工艺技术，此测试芯片展现更佳运算能力与功耗表现。
2016-05-19 16:41:50662 瑞萨电子（TSE：6723瑞萨）与台积电（TWSE：2330、NYSE：TSM）今日共同宣布，双方合作开发28纳米嵌入式闪存（eFlash）制程技术，以生产支持新一代环保汽车与自动驾驶汽车的微控制器（MCU）。
2016-09-01 15:09:35512 赛灵思、Arm、Cadence和台积公司今日宣布一项合作，将共同构建首款基于台积7纳米FinFET工艺的支持芯片间缓存一致性（CCIX）的加速器测试芯片，并计划在2018年交付
2017-09-23 10:32:124003 在2011年初，英特尔公司推出了商业化的FinFET，使用在其22纳米节点的工艺上［3］。从IntelCorei7-3770之后的22纳米的处理器均使用了FinFET技术。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524 
据悉，三星电子日前宣布与丹麦顶级音响公司Steinway Lyngdorf合作，共同开发下一代显示器“The Wall Professional”。
2018-06-08 14:33:00867 麒麟970是华为自研的一款芯片，这款芯片采用的是台积电的10纳米制造工艺，目前麒麟970已经被装备在华为刚发布不久的P20和P20 Pro上。此前有传闻指出，三星将负责代工华为下一代麒麟980芯片，不过今天有报告指出，麒麟980的大部分订单将继续由台积电生产。
2018-05-11 17:43:002744 大陆消费者追求高、大、上终端产品规格的需求，反映在半导体产品开发的企图心上，台积电大陆区业务发展副总罗镇球强烈感受，不但第二波28纳米制程客户蓄势待发，大陆IC设计公司的蓬勃朝气，更反映在16纳米
2018-05-15 11:52:00869 中芯国际最新的14纳米FinFET制程已接近研发完成阶段，其试产的良率已经可以达到95%的水准，距离2019年正式量产的目标似乎已经不远
2018-07-06 15:23:523383 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem获联华电子（UMC）的先进14纳米FinFET制程技术认证。ANSYS和联电透过认证和完整套装半导体设计解决方案，支援共同客户满足下一代行动和高效能运算（HPC）应用不断成长的需求。
2018-07-17 16:46:003391 据国外媒体报道，芯片代工商 台积电 的CEO魏哲家日前透露，他们的7纳米工艺已投入生产，更先进的5纳米工艺最快会在明年底投产。
2018-08-01 16:48:343225 格芯方面表示，他们正在重新部署具备领先优势的FinFET发展路线图，以服务未来几年采用该技术的下一波客户。公司将相应优化开发资源，让14/12纳米 FinFET平台更为这些客户所用，提供包括射频、嵌入式存储器和低功耗等一系列创新IP及功能。
2018-08-31 15:12:043042 Credo 在2016年展示了其独特的28纳米工艺节点下的混合讯号112G PAM4 SerDes技术来实现低功耗100G光模块，并且快速地跃进至16纳米工艺结点来提供创新且互补的112G连接
2018-10-30 11:11:125204 4月16日，三星官网发布新闻稿，宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发，现已准备好向客户提供样品。
2019-04-16 17:27:233008 IC设计服务厂创意电子持续积极冲刺先进制程技术，今年3月完成5纳米测试芯片设计定案，预计投入新台币10亿元开发5纳米制程设计流程，将于第4季完成验证。
2019-04-16 17:44:422833 UltraScale+ 器件系列以低功耗半导体工艺（TSMC 16 纳米FinFET+）为基础，与 7 系列 FPGA 及 SoC 相比，能将整体器件级电源节省达 60%。架构改进。
2019-08-01 15:46:331252 瑞萨电子与台积电共同宣布，双方合作开发28纳米嵌入式闪存(eFlash)制程技术，以生产支持新一代环保汽车与自动驾驶汽车的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162164 据中国台湾消息报道，中国大陆芯片代工厂商中芯国际已经从竞争对手台积电手中，夺得华为旗下芯片企业海思半导体公司的14纳米FinFET工艺的芯片代工订单。
2020-01-14 15:31:432677 关注半导体产业的台湾《电子时报》（DigiTimes）1 月 13 日报道称，中国大陆芯片代工厂商中芯国际击败台积电，夺得华为旗下芯片企业海思半导体公司的 14 纳米 FinFET 工艺芯片代工订单。
2020-01-16 09:00:015094 台积电3纳米将继续采取目前的FinFET晶体管技术，这意味着台积电确认了3纳米工艺并非FinFET技术的瓶颈，甚至还非常有自信能够在相同的FinFET技术下，在3纳米制程里取得水准以上的良率。这也代表着台积电的微缩技术远超过其他的芯片制造商。
2020-06-12 17:31:232929 Credo 的数字信号处理（DSP）技术和均衡技术可在保持芯片低功耗的同时很好地补偿光损耗。 所有Credo Dove系列产品全部具有Credo 数字信号处理技术的关键特性，包括：
2020-09-08 14:31:362052 ，在 2022 年量产 3 纳米芯片。该高管透露，三星电子已在与主要合作方开发初步设计工具。 三星电子向其下一代芯片业务投入 1160 亿美元，其中包括为外部客户制造芯片。 三星电子领导人李在镕此前曾透露，该公司计划采用正在开发的最新 3 纳米全栅极 （gate-all-around，简称 GAA）工艺技术来
2020-11-19 11:39:071446 三星电子高管Park Jae-hong最近在一次活动中表示，公司已定下目标，在2022年量产3纳米芯片。该高管透露，三星电子已在与主要合作方开发初步设计工具。
2020-11-27 10:15:191728 2020年12月10日，歌尔股份有限公司（以下简称“歌尔”）与上海泰矽微电子有限公司（以下简称“泰矽微”）在歌尔总部签署长期合作框架协议、芯片合作开发协议及采购框架协议。根据协议
2020-12-11 11:10:562554 北京时间1月26日早间消息，据报道，特斯拉正在开发下一代HW4硬件，该硬件可以用于目前正在研发中的新型4D FSD（四维完全自动驾驶）全自动驾驶套装。据业内人士透露，提升将与三星合作，共同开发这种全新的5纳米芯片。
2021-01-26 09:36:281506 据韩国媒体报道，特斯拉已经与三星达成合作，双方将联手开发一款全新的用于完全自动驾驶的5纳米芯片。
2021-01-26 14:39:051552 昨（28）日晚间，富满电子发公告宣布拟非公开发行股票募集资金不超过10.5亿元，投入建设LED芯片、Mini/Micro LED显示芯片、5G射频芯片等项目。
2021-01-29 11:07:235881 虹科伙伴Lytid与法国波尔多大学IMS实验室的纳米电子团队共同合作，针对监视，无损检测和传感应用中的高端太赫兹技术和系统，创立了大型研究与生产计划。.. 一、照明图案可调的THz光束整形单元 此次与IMS纳米电子团队的合作旨在克服传
2021-06-17 15:48:041548 HiWire AEC（有源电缆）等高速互联解决方案。 Credo成立于2008年，由3名海归华人创始人在中国创立，公司专注于串行高速 I/O（SerDes） 技术，是业内屈指可数能在28nm/16nm/12nm/7nm全部工艺基础上实现400G/800G连接解决方案的公司，服务的客户及合作伙伴涵盖数据中心
2021-10-08 11:15:472081 西门子数字化工业软件与联华电子 （UMC） 近日达成合作，共同开发适用于联华电子 110 纳米和 180 纳米 BCD 技术平台的工艺设计套件 （PDK）。
2022-02-17 10:43:201132 
今日，安谋科技宣布与Rokid达成战略合作关系，将一同开发应用于元宇宙的终端芯片，并完成生态的建设。 安谋科技董事长吴雄昂认为互动性作为元宇宙显著的特点，这一点是站在极高的算力、算法和安全要求之上
2022-04-17 11:27:421303 在芯片设计和制造中，纳米表示的是芯片中晶体管与晶体管之间的距离，在体积相同大小的情况下，7纳米工艺的芯片容纳的晶体管的数量，几乎是14纳米工艺芯片的2倍。
2022-07-06 16:35:55123297 ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE： 3035）今日推出支援多家晶圆厂FinFET工艺的芯片后端设计服务（design implementation service），由客户指定制程（8纳米、7纳米、5纳米及更先进工艺）及生产的晶圆厂。
2022-10-25 11:52:17724 工厂和投入更多研发资金。 英特尔目前正在大力促进芯片生产；现在已经在大规模生产7纳米芯片，而且已经在积极准备开始制造4纳米芯片，并将于2023年下半年转向3纳米制程。 从公开消息可以看出尽管英特尔下调了2022财年的业绩预期值，但是英特尔依
2022-12-07 14:21:402861 恩智浦和台积电联合开发采用台积电16纳米FinFET技术的嵌入式MRAM IP 借助MRAM，汽车厂商可以更高效地推出新功能，加速OTA升级，消除量产瓶颈 恩智浦计划于2025年初推出采用该技术
2023-05-26 20:15:02396 流程现已通过 Intel 16 FinFET 工艺技术认证，其 Design IP 现可支持 Intel Foundry Services（IFS）的此工艺节点。 与此同时，Cadence 和 Intel 共同发布
2023-07-14 12:50:02381 
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