、耐高压的特性被越来越多的车企认可，市场发展前景逐渐明朗。 在此岁末年初之际，让我们共同回顾2021国内外碳化硅产业发生的重大事件。 天岳先进跻身碳化硅衬底第一梯队，首发过会并成功上市 天岳先进是国内碳化硅衬底领域
2022-01-24 09:31:57
3816 中国北京，2022 年 5 月 6日 ——设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业Soitec 近日发布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC™ 晶圆。这标志着 Soitec 公司
2022-05-06 13:48:422328 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）新能源汽车市场规模急剧上涨，对于碳化硅产业而言，上游产能扩充是现今各大厂商所一直努力的方向。可以看到过去一年里，海内外都持续投入到包括碳化硅上游衬底和外延片、中游
2023-02-20 09:13:0116076 摘要 本发明提供一种能够提供低位错缺陷的高质量衬底的单晶碳化硅锭，和由此获得的衬底和外延晶片。 它是一种包含单晶碳化硅的单晶碳化硅锭，该单晶碳化硅含有浓度为2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:381637 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）衬底产能在近年成为了碳化硅行业痛点，随着电力电子行业，包括电动汽车、光伏、储能、风电等新能源应用市场的发展，碳化硅功率器件因为高效率、高耐压等优势受到了追捧，导致产能
2022-09-07 07:56:002422 空间大 国内碳化硅产业近年来发展神速，首先是碳化硅衬底上6英寸衬底的量产以及8英寸衬底的研发进度大幅拉近了与海外领先玩家的差距，另一方面是产能扩张上的投入越来越大。这使得国内在全球碳化硅产业中，无论是从市场需求，还是
2023-12-12 01:35:001178 PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
材料施加热应力，评估器件内部各种不同材质在热胀冷缩作用下的界面完整性；此项目标准对碳化硅功率模块而言很苛刻，尤其是应用于汽车的模块。HTRB（高温反偏测试）HTRB是分立器件可靠性最重要的一个试验项目
2023-02-20 15:27:19
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
应用，处理此类应用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或简称SiC已被证明是一种材料，可以用来构建类似MOSFET的组件，使电路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多关注，不仅因为它
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
更新换代，SiC并不例外 新一代半导体开关技术出现得越来越快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段，有望进一步改善许多应用领域的效率、尺寸和成本。虽然，随着碳化硅技术的进步，未来还将面临挑战，例如，晶圆
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
作用下的界面完整性；此项目标准对碳化硅功率模块而言很苛刻，尤其是应用于汽车的模块。AC/PCT（高温蒸煮测试） 高温蒸煮测试是把被测对象放进高温高湿高气压的环境中，考验晶片钝化层的优良程度及树脂材料
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅压敏电阻由约90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合剂和添加剂制成。将原材料制成各种几何尺寸的压敏电阻，然后在特定的大气和环境条件下在高温下烧结。然后将一层黄铜作为电触点喷上火焰。其他标准
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
上，对介电常数要求严格，虽然有低温共烧陶瓷，仍然无法满足他们的要求，需要一种性能更好的升级产品，建议可以使用富力天晟的碳化硅基板；因应汽车需求而特别开发的产品（如IC 载板、软板、银胶贯孔等），也在向
2020-12-16 11:31:13
电磁性。因碳化硅是一种共价键化合物，原子间结合的键很强，它具有以下一些独特的性能，因而得以广泛应用。1)高熔点。关于碳化硅熔点的数据.不同资料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特点及优势 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更高，运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
已经成为全球最大的半导体消费国，半导体消费量占全球消费量的比重超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
项目名称：基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划：申请理由：碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料，近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
多半仍以机械结构为主，造价高昂，且产品相当笨重，更需要经常维修。为了改良这些缺点，以电力电子为基础的新一代大功率电力设备应运而生。碳化硅等新世代组件，则是在背后促成这股电力设备电子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
复杂的设计，功率模块的集成能力使其成为首选。但是哪些封装适用于快速开关碳化硅器件？ 当传统硅器件在功率损耗和开关频率方面达到极限时，碳化硅可能是合适的半导体选择。高达 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的完美方案。 该器件将传统
2023-02-28 16:48:24
，碳化硅MOSFET比硅MOSFET具有更多的优势，但代价是在某些方面参数碳化硅MOSFET性能比较差。这就要求设计人员需要花时间充分了解碳化硅MOSFET的特性和功能，并考虑如何向新拓扑架构过渡。有一
2023-03-14 14:05:02
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力，基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管，这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
，特别是降低杂散电感。除开关速度更快外，碳化硅器件的工作温度可达到 300℃以上。而现有适用于硅器件的传统封装材料及结构一般工作在 150℃以下，在更高温度时可靠性急剧下降，甚至无法正常运行。解决这一
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
碳化硅 MOSFET 量身打造的解决方案，搭配基本半导体TO-247-3 封装碳化硅 MOSFET。 2、通用型驱动核 1CD0214T17-XXYY 是青铜剑科技自主研发的一系列针对于单管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
碳化硅做衬底的成本远高于蓝宝石衬底，但碳化硅衬底的光效和外延成长品质要好一些。碳化硅材料分不透光和透光的两类，如用透光的碳化硅材料做衬底成本就更高，而不透光的碳化硅跟硅材料一样，外延后也必须做基板的转换
2012-03-15 10:20:43
是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管。功率二极管包括结势垒肖特基（JBS）二极管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
IBM和3M公司于当地时间7日宣布将共同开发一种新的粘接材料。该材料可以帮助芯片塔密集叠放，进而实现半导体的3D封装。
2011-09-10 22:55:11548 Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布作为公司强力进军工业和汽车用功率半导体元件市场战略的一项举措，Littelfuse对碳化硅技术研发领域的初创公司Monolith
2015-12-22 11:04:2210718 碳化硅市场，X—Fab、日本罗姆等企业早些时候也相继宣布将扩大碳化硅产能，碳化硅产业海外重要玩家已开始备战。从产业链角度看，碳化硅包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节，但目前全球碳化硅市场基本被在国外企业所垄断。
2018-12-06 16:08:00138137 国投创业官方消息显示，第三代半导体碳化硅单晶衬底企业河北同光晶体有限公司（简称“同光晶体”）完成A轮融资，投资方包括：国投创业等。本轮融资助力同光晶体实现涞源基地6英寸碳化硅衬底项目快速扩产和现有产品优化提升。
2020-12-03 11:05:153054 随着下游新能源汽车、充电桩、光伏、5G基站等领域的爆发，引爆了对第三代半导体——碳化硅材料衬底、外延与器件方面的巨大市场需求，国内众多企业纷纷通过加强技术研发与资本投入布局碳化硅产业，今天我们首先
2021-07-29 11:01:184374 前言 碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节，衬底成本占到
2021-08-16 10:46:405267 设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业 Soitec 宣布，与全球电力和先进材料领域专家美尔森达成战略合作，携手为电动汽车市场开发多晶碳化硅（poly-SiC）系列衬底。
2021-12-08 11:18:17638 Soitec 半导体公司宣布，将在其位于法国贝宁的总部增设新产线，用于生产创新型碳化硅衬底，助力电动汽车和工业市场应对关键挑战。新产线落成后还将同时用于 Soitec 300-mm SOI 晶圆的生产。
2022-03-16 11:31:41752 
北京，2022 年 7 月 22 日——作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，法国 Soitec 半导体公司正式宣布选用 KLA 公司（纳斯达克股票代码：KLAC）的检测技术，实现碳化硅
2022-07-22 11:50:36730 
作为半导体产业中的衬底材料，碳化硅单晶具有优异的热、电性能，在高温、高频、大功率、抗辐射集成电子器件领域有着广泛的应用前景。碳化硅衬底加工精度直接影响器件性能，因此外延应用对碳化硅晶片表面质量的要求
2022-10-11 16:01:043658 领军企业法国 Soitec 半导体公司正式宣布，双方在碳化硅衬底领域的合作迈入新阶段，意法半导体将在未来 18 个月内对
2022-12-05 14:09:42603 
公司Soitec 宣布了下一阶段的碳化硅 (SiC)衬底合作计划，由意法半导体在今后18个月内完成对Soitec碳化硅衬底技术的产前认证测试。此次合作的目标是意法半导体采用 Soitec 的 SmartSiC 技术制造未来的8寸碳化硅衬底，促进公司的碳化硅器件和模块制造业务，
2022-12-08 12:22:48616 前言：碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片和碳化硅器件封装环节。其中衬底、外延片、晶圆、器件封测是碳化硅价值链中最为关键的四个环节，衬底成本占到
2023-01-05 11:23:191191 碳化硅技术龙头企业 碳化硅市场格局 碳化硅产业链分为SiC衬底、EPI外延片、器件、模组等环节，目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，根据Yole数据显示，Cree、英飞凌、罗姆约占据了90％的SiC
2023-02-02 15:02:543931 碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么？碳化硅技术壁垒
2023-02-03 15:25:163637 
碳化硅产业链分为衬底材料制备、外延层生长、器件制造以及下游应用。通常采用物理气相传输法（PVT法）制备碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。在SiC器件的产业链中，由于衬底制造工艺难度大，产业链价值量主要集中于上游衬底环节。
2023-02-03 16:30:133952 碳化硅在半导体芯片中的主要形式为衬底。半导体芯片分为集成电路和分立器件，但不论是集成电路还是分立器件，其基本结构都可划分为“衬底-外延-器件”结构。碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。
2023-02-19 10:18:481086 投建，我国初步形成了从衬底、外延片到器件、模块较为完整的产品供应链。 但记者在采访中了解到，国内碳化硅功率器件行业还呈现“小”“散”特征，未来五年将是整合期，车规级碳化硅功率器件与国外公司还有较大差距。此外，碳
2023-02-21 09:26:45
2 晶锭进过晶圆切磨抛就变成碳化硅二极管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅衬底；再经过外延生长就变成碳化硅外延片，也就是雏形的芯片。碳化硅外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、CVD、PVD背面减薄、退火变成碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
全球碳化硅产业呈现明显的行业上下游收购兼并、大厂积极布局的特征。衬底作为碳化硅产业链中的核心环节，已成为兵家必争之地。
2023-03-23 10:30:041284 按照电学性能的不同，碳化硅材料制成的器件分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅射频器件，两种类型碳化硅器件的终端应用领域不同。导电型碳化硅功率器件是通过在低电阻率的导电型衬底上生长碳化硅外延层后进一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437 碳化硅衬底 产业链核心材料，制备难度大碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节。
2023-05-09 09:36:483430 
碳化硅产业链主要分为衬底、外延、器件和应用四大环节，衬底与外延占据 70%的碳 化硅器件成本。根据中商产业研究院数据，碳化硅器件的成本构成中，衬底、外延、前段、 研发费用和其他分别占比为 47%，23%，19%，6%，5%，衬底+外延合计约 70%
2023-06-26 11:30:56733 
来源：天科合达 据天科合达官微消息，8月8日，北京天科合达全资子公司江苏天科合达半导体有限公司碳化硅晶片二期扩产项目开工活动在徐州市经济开发区成功举办。 （图源：金龙湖发布） 据悉，江苏天科合达二期
2023-08-10 16:45:49797 
当前，全球碳化硅产业格局呈现美、欧、日三足鼎立态势，碳化硅材料七成以上来自美国公司，欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件以及应用产业链，日本则在碳化硅芯片、模块和应用开发方面占据领先优势。
2023-08-15 10:07:41260 
目前，碳化硅（SiC）这种半导体材料因其在电力电子应用中的出色表现引起了广泛的关注。对晶圆和器件的研究在近年来已经取得很大进展。碳化硅是一种宽禁带（WBG）半导体材料。禁带通常是指价带和导带之间
2023-08-30 08:11:47695 
碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，碳化硅衬底主要用于微波电子、电力电子等领域，处于宽禁带半导体产业链的前端，是前沿、基础的核心关键材料。
2023-10-09 16:38:06529 
科友半导体8英寸碳化硅（SiC）中试线在2023年4月正式贯通后，同步推进晶体生长厚度、良率提升和衬底加工产线建设，加快衬底加工设备调试与工艺参数优化。
2023-10-18 17:43:40724 三安光电10月23日宣布，旗下湖南三安在碳化硅产品上取得阶段性进展，实现8英寸衬底准量产，部分产品已进入主流新能源汽车企业供应链。
2023-10-25 14:55:04411 在碳化硅产业链中，碳化硅衬底制造是碳化硅产业链技术壁垒最高、价值量最大的环节，是未来碳化硅大规模产业化推进的核心环节。
碳化硅衬底的生产流程包括长晶、切片、研磨和抛光四个环节。
2023-10-27 09:35:57931 碳化硅衬底，新能源与5G的基石
2023-01-13 09:07:403 11月13日， 三菱电机株式会社（TOKYO：6503）宣布，将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体。三菱电机将利用其宽禁带半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片，Nexperia将用于开发SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456 三菱电机今天宣布，将与安世半导体建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅 (SiC) 功率半导体。
2023-11-15 15:25:52473 
晶盛机电指出，最近在公司举行的每年25万6、5为8英寸碳化硅衬底片项目合同及启动仪式为半导体材料方向，加快关键核心技术攻关，国产化替代这一措施标志着晶盛机电半导体材料的技术实力和市场竞争力得到了进一步提高。
2023-11-23 11:00:16268 前段时间，奥迪宣布年底生产碳化硅车型Q6 e-tron（，最近，奥迪又有1款碳化硅车型公布，同时Lucid也发布了最新的900V碳化硅车型。
2023-11-25 16:13:051423 2023年11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。
2023-11-25 16:50:53451 单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等工序加工形成单晶薄片，也即半导体衬底材料；
2023-12-05 15:26:53560 
晶盛机电公司决定从2017年开始，碳化硅生长设备及技术研发（r&d）开始，通过研究开发组的技术攻坚，2018年，公司成功开发了6英寸生长碳化硅决定，2020年长征及加工研发试验生产线建立。”
2023-12-06 14:08:17379 第三代半导体碳化硅材料生产及研究开发企业作为中国电科集团的“12大创新平台之一，山西烁科晶体有限公司聚焦碳化硅单晶衬底领域，已成为国内实现碳化硅衬底材料供应链自主创新的供应商之一。
2023-12-11 10:46:37464 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33456 
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工，需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆，这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现，高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础，外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。
2023-12-15 09:45:53607 
当前，大尺寸衬底成为碳化硅衬底制备技术的重要发展方向。
2023-12-24 14:18:08616 
在这次考察中，考察团主要针对博蓝特公司计划将其第三代半导体碳化硅衬底项目引入到延陵镇，这笔交易总预算高达十亿元人民币，其中包括两年内生产 25 万片六至八英寸碳化硅衬底的能力。如果按照企业预期估算，该项目完成后每年潜在销售额将达到 15 亿元。
2024-01-19 13:57:20787 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近期国内碳化硅衬底供应商陆续获得海外大厂的订单，4月底，天岳先进在2022年年报中披露去年公司与博世集团签署了长期协议，公司将为博世供应碳化硅衬底产品
2023-05-06 01:20:002328 
碳化硅衬底长期供货协议。ST还与三安合资建设碳化硅器件工厂，并由三安配套供应碳化硅衬底。 另一方面产能扩张速度也较快，今年以来国内碳化硅衬底产能逐步落地，多家厂商的扩产项目都在2023年实现量产或是在产能爬坡过程中。与之
2024-01-08 08:25:342171 
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