5.1 选择题
(1)、存储器是计算机系统中的记忆设备，它主要用来________。
A、存放数据；B、存放程序；C、存放程序和数据；D、存放微程序。
(2)、存储周期是指________。
A、存储器的读出时间；B、存储器的写入时间；C、存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔；D、存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔。
(3)、和外存储器相比，内存储器的特点是______。
A、容量大、速度快、成本低；B、容量大、速度慢、成本高；C、容量小、速度快、成本高；D、容量小、速度快、成本低。
(4)、某微型计算机系统，操作系统保存在软磁盘上，内存应该采用_______。
A、RAM；B、ROM；C、RAM和ROM。：
5.2 填空题
(1)、请在下列表所列典型技术特性栏目种填入适当的术语；
(2)、存储单元是指 A ；存储容量是指 B ；字节地址是指 C 。
(3)、半导体存储器是靠 A 存储信息，半导体动态存储器是靠 B 存储信息。
(4)、半导体动态存储器必须刷新的原因是 A ，刷新的方式一般有 B 、 C 、 D 三种。
(5)、存储器的读出时间通称为 A ，它定义为 B 。为便于读写控制，存储器的 C 设计迎合读出时间相等，但事实上 C 小于读出时间。：
5.3 计算机的内存有什么特点？内存由哪两部分组成？外存一般是指那些设备？外存有什么特点？：
5.4 用存储器组成内存时，为什么总是采用矩阵形式？请用一个例子进行说明。：
5.5 为了节省存储器的地址译码电路，通常采用那些方法？：
5.6 在选择存储器时，首先考虑的因素是那些？此外还要考虑那些因素？：
5.7 何谓静态RAM？它的使用特点是什么？：
5.8 在对静态存储器进行读/写时，地址信号要分为几个部分？分别产生什么信号？：
5.9 试述动态RAM的工作特点；与静态RAM相比，动态RAM有什么长处和不足之处。说明它的使用场合。：
5.10 试述动态RAM刷新过程和正常读/写过程的区别。：
5.11 是比较存储器读周期和写周期的差别。：
5.12 ROM,PROM和EPROM,EEPROM分别用在什么场合？：
5.13 现有1024X1静态RAM芯片，欲组成64KX8存储容量的存储器。试求需要多少RAM芯片？多少芯片组？多少根片内地址选择线？多少根芯片选择线？：
5.14 设有一个具有14位地址和8位字长的存储器，问：
(1) 该存储器能存储多少字节的信息？
(2) 如果存储器由1KX1位静态RAM芯片组成，需多少芯片？
(3) 需要多少位地址作为芯片选择？：
5.15 有一个16KX16的存储器，由1KX4位的动态RAM芯片构成(芯片内是64X64结构)。问：
(1) 所需RAM芯片总数是多少？
(2) 采用异步刷新方式，若单元刷新间隔不超过2ms,问刷新信号周期是多少？
(3) 若采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读/写周期，死时间率是多少？：
答案如下
5.1 (1) C (2) C (3) C (4) C→
5.2 (1) ①A.随机存取；B.非破坏性读出，断电后信息丢失；C.电子
②A.随机存取；B.非破坏性读出或破坏性读出； C.电子
③A.随机半顺序读出；B.非破坏性读出，永久保存；C.磁
(2) A.若干存储单元组成的机器字的基本存储单位；B.存储器所能容纳的最大二进制信息字节数(或所有存储单元的总数)；C.存储单元中对应一个字节数据的地址编号。
(3) A.触发器；B.电荷存储器件。
(4) A.有电荷泄漏，需定期补充；B.集中式；C.分散式；D.异步式。
(5) A.存储时间；B.从存储器接收读出请求到所需要的信息出现在它的输出端上的时间；C.写入时间。→
5.3 计算机的内存一般存储容量小，存储速度快，目前多采用半导体器件组成。通常有动态RAM和静态RAM两部分组成。常把软磁盘和硬磁盘、磁带等作为外存设备。最近光存储器的应用也越来越广泛。外存容量大、速度低，必须配备专门的读/写控制设备。→
5.4 采用矩阵形式存储信息主要是为了节省地址译码电路，提高半导体存储器件的集成度。例如要组成1KB的内存，若不采用矩阵形式来组织这些单元，就需要1024条译码线才能实现对1KB的寻址。但若用32X32的矩阵来排列，则只要有32条行选择线和32条列选择线就可以了。存储容量越大，矩阵形式的优越性就越明显。→
5.5 常采用存储器的模块结构及在一个存储模块内再将存储器分组，这样可用地址的高位对模块选择，其余位对存储器组进行选择。→
5.6 选择存储器件首要的选择指标是存储速度及芯片的存储容量。同时还应考虑芯片的集成度、功耗、价格、易失性等。→
5.7 静态RAM是用触发器存储信息的半导体存储器。静态RAM是非破坏性读出，与动态RAM相比容量小、功耗大(总有管子处于导通状态)。→
5.8 当对静态RAM读/写时，地址信号被分为片内地址和片选地址两部分，分别用于片内存储单元的选择和芯片组的选择。→
5.9 无论采用何种工艺，动态RAM都是利用电容存储电荷的原理来保存信息。与静态RAM相比，动态RAM电路结构简单，存取速度快、集成度高、存储容量大。但使用它必须配以复杂的刷新控制电路，以不断地对其补充电荷，因此连较静态RAM复杂，故常用在要求速度快、存储容量大的场合。→
5.10 由于动态RAM维持信息的时间仅为2ms，因此必须在2ms内对动态RAM进行刷新。由于刷新工作是任一动态RAM存储器都需要的，因此刷新是按行进行的。而正常读/写操作则是根据程序运行的要求，对某一部分单元进行读/写操作。→
5.11 存储器读周期和写周期的主要差别在于在数据总线上出现数据的时间，对存储读周期，是在地址线和选通控制线稳定后，被读出的数据才出现在数据总线上，而对于存储器写周期，则是往存储器内写入新的信息，故在所有选通控制信号出现之前，数据线上应有待写的稳定数据。→
5.12 ROM常由厂家将系统程序固化好，配备到计算机上。PROM，如监控程序，IBM PC中的BIOS，它是一次性可编程的ROM.目前只有双极型工艺，典型应用是高速计算机中的微程序存储器，或作专用函数库。EPROM是紫外线可擦除的ROM。是目前在微机应用与开发中应用最广泛的芯片，常用于固化(存储)用户已开发成功的程序。EEPROM试电可擦除的可编程ROM，它摒弃了EPROM需脱机写入和擦除的缺点，可在线进行改写，因此，在用户开发过程中，程序尚未定型时采用较多。→
5.13 用1024X1为芯片组成64KX8位存储器所需RAM芯片为16KX8/1024X1=512片。每个芯片组应为1024X8,故需8片。共需芯片组数为512/8=64.片内地址线为P1=log21024=10。存储器地址线为P=log265536=16,故芯片选择线应为P'=P-P1=16-10=6。→
5.14 (1) 该存储器的寻址范围为214=16384,能存储16384个字节的信息。
(2) 存储容量为16KB,每个芯片组需8片，所需芯片总数为64KX8/1KX1=16X8=128片。
(3) 根据(5.13)，芯片选择线为P'=log216K-log21K=14-10=4。→
5.15 (1) 所需RAM芯片总数16KX16/1KX4=64片。
(2) 采用异步刷新方式，在2ms内分散的把所有存储单元的64行刷新一遍，故刷新信号的时间间隔为2ms/64=31.25µs,可取刷新信号周期为30µs。
(3) 若采用集中刷新方式，假定T为读/写周期，所有存储单元刷新一遍(64行)需64T。设T单位时间为µs，则死时间率为：
死时间率=64T/2ms=(64T/2000)X100%→