绝缘栅场效应管
1. 增强型绝缘栅场效应管的结构及工作原理
1） 结构及符号
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什麽沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
图 （4）增强型MOS管结构及符号图
(a) N沟道结构图; (b) N沟道符号; (c) P沟道符号
2) 工作原理
它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
3) 特性曲性
（1）N沟道增强型绝缘栅场效应管的转移特性曲线。如图（5）(a)所示。 在uGS≥UGS（th）时, iD与uGS的关系可用下式表示:
4-11
其中ID0是uGS=2UGS（th）时的iD值。
（2） N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。如图（5）（b）所示。
图（5）N沟道增强型场效应管特性曲线
（a） 转移特性; （b） 输出特性
2. 耗尽型绝缘栅场效应管的结构及工作原理
图（6）为N沟道耗尽型场效应管的结构图。 其结构与增强型场效应管的结构相似, 不同的是这种管子在制造时, 就在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子。
图（6）耗尽型MOS管结构及符号图
(a) N沟道结构图; （b） N沟道符号; （c） P沟道符号
在uGS≥ UGS（off）时, iD与uGS的关系可用下式表示:
