9月2日，长江存储正式对外宣布，其基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存（每颗裸芯片的存储容量为256千兆字位，每个存储单元为三个字位的三维闪存）正式量产，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 台湾专用存储器解决方案制造商旺宏(Macronix)将于明年下半年开始批量生产3D NAND存储器。该公司将成为台湾第一家生产内部设计的3D NAND闪存制造商。 该公司董事长吴铭表示，旺宏将在
2019-12-14 09:51:295044 受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升，以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘（SSD），NAND Flash需求正快速成长，各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进
2017-02-07 17:34:128497 
2月16日据中科院网站消息，近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
2017-02-16 11:35:24863 近日，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。
2017-02-17 07:48:231529 通过3D堆叠技术将存储层层堆叠起来，促成了NAND 技术进一步成熟。
2018-04-16 08:59:5212117 
集微网消息，9月19日，2018年中国闪存市场峰会（CFMS2018）在深圳举行，长江存储总经理杨士宁博士以“创新Xtacking™架构：释放3D NAND潜能”为主题，介绍长江存储Xtacking™架构的技术优势和长江存储3D NAND新进展。
2018-09-20 10:22:075376 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速
2020-09-11 10:03:292569 NAND Flash是一种非易失存储器，也就是掉电不丢失类型，现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash，比如U盘、固态硬盘，手机存储等等，电脑传统硬盘除外。
2022-11-10 17:08:321684 
美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-03 09:24:154035 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否带动SSD市场爆炸性成长？如何提升SSD寿命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晋升巿场主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技术资料：器件结构及功能介绍
2019-09-12 23:02:56
3D显示技术的原理是什么？3D显示技术有哪些应用？3D拍好了到底怎么样传输？
2021-05-31 06:53:03
NAND FLASH就是通过die堆叠技术，加大单位面积内晶体管数量的增长。3D NAND比2D NAND具有更高的存储容量，若采用48层TLC 堆叠技术，存储密度可提升至256GB，轻松突破了平面
2020-11-19 09:09:58
1. TC58V64 的引脚配置TC58V64的引脚配置如图所示。在图中未看到地址引脚，这是因为利用数据输人输出引脚（I／O 1 ～I／O 8 ），能够以时分方式赋予数据。NAND闪速存储器只能
2018-04-11 10:10:52
TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大，则块数也将增加，但内部的基本结构没有改变。NAND 闪速存储器的特点①按顺序存取数据；②存储器内部以块为单元进行分割，而各块又以页为单位进行
2018-04-11 10:11:54
/SRAM 或通过 FSMC 的外部存储器）。D总线：此总线用于将 Cortex™-M4F 数据总线和 64 KB CCM 数据 RAM 连接到总线矩阵。内核通过此总线进行立即数加载和调试访问。此总线访问的对象...
2021-08-05 07:41:43
感谢Dryiceboy的投递据市场分析数据,DRAM和NAND存储器价格近期正在不断上扬.许多人认为当前存储器市场的涨价只不过是暂时的供需不稳所导致的;有些人则认为随着存储器价格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
给PCB添加了3D模型之后，让封装旋转45度，自己填加的3D模型旋转45度后，代表3D模型的机械层不会和PCB重合；而用封装向导画的模型会和PCB重合。请问这个改怎么解决？虽然旋转45度之后，在3D 模式下，3D图也是旋转了45度，但是在2D模式下的机械层看着很不舒服。
2017-07-20 22:46:11
请教大家一个问题： Altium designer 的3D封装在机械层是有线的，我的板子在机械层也画了线来切掉一部分。那么在PCB的生产加工中，3D封装位于机械层的线是否会影响加工效果。请实际操作过的回答下，非常感谢。如下图：
2016-07-22 14:05:18
NAND FIash存储器的特点FIash文件系统的应用特点 FAT文件系统的结构FAT文件系统的改进设计
2021-04-25 09:18:53
数据 (L1D) 存储器。另外，每个 CorePac 还拥有局域的二级统一存储器。每个局域存储器均能独立配置成存储器映射的SRAM、高速缓存，或是两者的组合。 KeyStone 架构包含共享的存储器子系统，其由
2011-08-13 15:45:42
，西部数据的存储器类型还没完全从2D NAND转换成3D NAND，现在3D NAND只占总产量的65%，换言之西部数据生产的所有存储器还有三分之一是2D NAND。另外，在本月12号，西部数据宣布
2022-02-03 11:41:35
一个64M Nand flash存储器与S3C2410处理器的Nand flash相应接口连接，请问这个64M存储空间是否属于8个bank中的一个bank？因为有些书上说bank 0到bank 7
2012-11-20 21:41:20
文章目录前言一、存储器类型二、探究S3C2440启动地址1.为什么nand启动地址是4096？2.为什么nor启动地址是0x4000,0000 + 4096？前言本文记录的是S3C2440启动
2022-02-15 07:30:08
系统架构
多层AHB总线矩阵
存储空间
存储器映射
片上SRAM
位带操作
片上闪存
自适应闪存加速器（STM32F2新增）
启动模式
代码空间的动态重映射（STM32F2新增）
内嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
STM32 F7 概述• STM32总线架构和存储器映射• 总线架构• 存储器映射• Cache• STM32F7性能• Boot模式• 片上闪存(Flash)• 系统配置控制器(SYSCFG)• 复位和时钟控制(RCC)• 电源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
pcb 3D导step用creo打开为什么丝印层显示不出来 PCB3D.doc (219 KB )
2019-05-10 00:18:51
，大数据存储需求持续增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增长率达40%-45%，而美光NAND技术从40nm到16nm，再到64层3D技术，一直为市场提供更好的产品和解决方案。就在几个月前美
2018-09-20 17:57:05
利用低温制造存储电路完成。在同一个3D芯片的不同层放上逻辑和存储电路，BeSang的工艺中每个晶圆包含了更多的裸片，这使得单位裸片的成本也降低了。 BeSang CEO Sang-YunLee说
2008-08-18 16:37:37
使用DLP技术的3D打印光固化成形法 (SLA)，一个常见的3D打印工艺，与传统打印很相似。与硒鼓将碳粉沉积在纸张上很类似，3D打印机在连续的2D横截面上沉淀数层材料，这些材料一层层的叠加
2022-11-18 07:32:23
flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
1.2 存储器RAM介绍
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
你好在我们的设计中，我们只有32MB外部存储器控制器和ECC启用，因此只有16MB可用于操作系统。使用设计（Vivado文件）创建项目（SW）时。在“主存储器”选择选项卡下
2020-05-05 12:22:19
、美光等国际NAND厂商形成竞争关系。长江存储的32层3DNAND已顺利问世，并进入小量生产，但32层堆叠工艺缺乏竞争力，日前长江存储采取Xtacking架构的64层NAND样品，已送交给相关供应链
2021-07-13 06:38:27
1. 嵌入式的外部存储器嵌入式系统中，外部的存储器一般是Nand flash和Nor flash，都称为非易失存储器。存储器的物理构成包含页内地址，页（Page），块（Block）。可以得出存储器
2021-12-10 08:26:49
`如何把3D文件(STEP)添加到3D库?复制到3D库不能用.`
2013-08-21 12:42:02
2018年上半进入96层的技术规格，2018年中将3D的比重提高到85%以上。为了让每单位的记忆容量提高，美日韩存储器大厂都卯尽全力，在96层的堆栈技术上寻求突破。三星指出，第五代的96层V NAND量产
2018-12-24 14:28:00
未来DDR4、NAND Flash存储器芯片该如何发展
2021-03-12 06:04:41
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别？特点？小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分，片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
3D打印技术是综合了三维数字技术、控制技术、信息技术众多技术的创新研发技术，具有设计样式多元化、试制成本低、制作材料丰富等特点。通过数字化设计工具+3D打印技术相结的模式，可以帮助企业高效实现创新
2021-05-27 19:05:15
在3D打印机上使用SLC颗粒的SD NAND代替传统使用TLC或QLC颗粒的TF卡。内置SLC晶圆，自带坏块管理，10W次擦写寿命，1万次随机掉电测试。解决TF卡在3D打印机上常读写错误、坏死
2022-07-12 10:48:46
系统设计存在设计基于闪存的可靠的嵌入式和存储系统时仍然面对重大挑战。随着每代新产品的出现，目前存储器技术要求尺寸越来越小，但耑要较大系统级变化来维持系统级讨靠性和性能。NOR和NAND闪存的存储器架构
2018-05-17 09:45:35
128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片Xtacking技术将外围电路连接到存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。据悉，长江存储的64层3D NAND闪存产品将在2020年进入
2020-03-19 14:04:57
英特尔SSD 800P，900P，905P系列的存储介质都是相变存储器，我看到英特尔SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相变存储器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
如图 2 所示，DINOR闪速存储器如图 3 所示，AND闪速存储器单元的结构如图 4 所示。市场上销售的闪速存储器基本上就是NOR及NAND两种，其中只有NAND闪速存储器的单元是串联的，其他所有类型
2018-04-09 09:29:07
高性能20纳米级NAND闪存存储器
SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 提出一种适用于未来高密度应用的与非(NAND) 型共享选通管的三维多层1TXR 阻变存储器概念。在0.13 m工艺下, 以一个使用8 层金属堆叠的1T64R 结构为例, 其存储密度比传统的单层1T1R 结构高
2011-12-07 11:02:41
16 K9F1208是Samsung公司生产的512 Mb(64M×8位)NAND Flash存储器
2016-07-12 18:32:530 NAND Flash(储存型快闪存储器)随着2D转3D制程良率改善，量产能力大为提升，尽管价格已经松动，但包括存储器、控制IC、封测等供应体系业者纷纷看好有助于量能提升。存储器控制IC大厂群联电子
2018-07-09 09:52:00513 ，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。
2018-04-09 15:45:33109972 4月11日，长江存储以芯存长江，智储未来为主题，庆贺存储器基地正式移入生产设备。 2017年9月长江存储新建的国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房实现提前封顶，2018年2月份进行厂内洁净室装修和空调、消防等系统安装，正是为4月搬入机台设备而准备，预计很快就可以实现 3D NAND 量产。
2018-04-15 10:08:009280 作为3D NAND闪存产业的新晋者，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（长江存储）今年将首次参加闪存峰会（Flash Memory Summit），并发表备受期待的主题演讲，阐述其即将发布的突破性技术XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014486 紫光集团旗下长江存储发展储存型快闪存储器（NAND Flash）报捷，已自主开发完成最先进的64层3D NAND芯片专利，预计明年完成生产线建置、2020年量产，震撼业界。
2018-08-13 09:45:002185 作为NAND行业的新晋者，长江存储科技有限责任公司（以下简称：长江存储）昨日公开发布其突破性技术——Xtacking™。该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。
2018-08-13 09:54:001665 存储器是半导体三大支柱产业之一。据IC Insights数据，2015年半导体存储器市场总额达835亿美元。各类存储器中，NAND Flash是一个亮点。其广泛应用于PC、手机、服务器等各类电子产品，2015年营收达到267亿美元，占半导体存储器市场总额的32%。
2018-08-13 09:01:001349 日本PC Watch网站日前刊发了长江存储CEO杨士宁博士在FMS会议上的演讲，我们之前也做过简单的报道，这次他们的介绍更加详细，我们可以一窥长江存储的3D NAND闪存现在到底进行到那一步了。
2018-08-15 10:50:164885 上周，美光系与英特尔推出了64层3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架构相较于TLC（3bits/cell）容量更大，使得单颗Die容量可高达1Tb，备受市场高度关注
2018-08-22 16:25:462115 “芯”、“云”系列成果，全面展示了其创新的产品和领先的解决方案。紫光旗下长江存储的全新3D NAND架构Xtacking™技术，赋能行业的云及AI解决方案等，都给大会嘉宾留下了深刻印象。
2018-08-24 14:42:001826 Cell )NAND将迈入百家争鸣时代，带动消费性固态硬盘(SSD)容量快速升级至TB等级，加上长江存储发布新一代3D NAND架构Xtacking，试图超车追赶国际大厂，全球NAND Flash产量持续增加，战火愈益激烈，2019年NAND Flash市场恐将大幅震荡。
2018-08-29 17:46:266586 根据紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存储器制造基地项目开工动员活动在成都双流自贸试验区举行。官方称紫光成都存储器制造基地占地面积约1200亩，将建设12英寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展存储器芯片及模块、解决方案等关联产品的研发、制造和销售。
2018-10-16 15:58:402365 推出64层/72层3D NAND，预计从下半年开始将陆续进入量产阶段，届时3D NAND产能将大幅增加。
2018-12-10 10:00:571115 技术确实降低了每千兆字节的成本。本报告展示了目前市场上四家存储器制造商的最新一代3D NAND闪存的技术和成本分析。
2018-12-11 09:28:466140 现在，长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:002263 2019年9月2日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在IC China 2019前夕宣布，公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb TLC 3D
2019-09-02 16:27:503468 长江存储64层3D NAND闪存是全球首款基于Xtacking®架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品②中最高的存储密度。Xtacking®可实现在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储
2019-09-03 10:07:021051 国产存储芯片一直受到业界的关注，长江存储正式宣布，公司实现量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-05 10:54:001298 Xtacking是长江存储在去年FMS（闪存技术峰会）首次公开的3D NAND架构，荣获当年“Best of Show”奖项。其独特之处在于，采用Xtacking，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。
2019-09-06 16:30:372625 过去存储器与晶圆代工可以说是“楚河汉界，井水不犯河水”。但在即将来临的时代，存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场，而存储器技术从过去的DRAM、3D NAND，正逐渐走向磁阻式存储器(MRAM)等完全不同模式的新技术。
2019-09-10 15:24:41742 据悉，长江存储是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。
2019-10-01 17:23:002612 近日，紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。产品将应用于固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用。这是中国首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产，将大幅拉近中国与全球一线存储厂商间的技术差距。
2019-09-17 11:45:193516 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布，开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241028 紫光集团旗下长江存储正式宣布，公司已开始量产基于Xtacking？架构的中国首款64层256Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-10-08 11:29:181357 长江存储打破全球3D NAND技术垄断，作为国家重点打造的存储器大项目，经历多年的研发，终于走向市场正式向存储巨头们挑战。
2019-11-29 15:39:052849 美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-02 11:26:521542 闪存控制芯片及储存解决方案整合服务领导厂商 群联电子 （PHISON; TPEx:8299） 与长江存储自2016年开始接洽合作，从最早期的32层 3D NAND导入验证群联eMMC控制芯片PS8226，至近期的64层3D NAND，群联全系列的NAND控制芯片均有支持且已进入量产阶段。
2020-05-07 14:48:091032 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:161889 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:191922 Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。 随着长江存储在3D NAND技术迅速提升
2020-09-11 11:12:341883 长江存储此次全新发布的致钛SC001Active和致钛PC005Active均搭载创新Xtacking架构3D NAND高品质原厂颗粒。
2020-09-27 16:17:442563 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:552599 NAND 非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着 2D NAND 容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND 的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:132330 上，TechInsights 高级技术研究员 Joengdong Choe 发表了相关演讲，详细介绍了 3D NAND 和其他新兴存储器的未来。TechInsights 是一家对包括闪存在内的半导体产品分析公司
2020-11-20 17:15:443030 长江存储基于Xtacking架构的3D NAND颗粒打造的首款消费级固态品牌致钛存储于日前正式与我们见面，并获得众多用户的支持。而在网上呼声较高的问题就是关于致钛存储的技术，而就在近日，长江存储通过
2020-11-24 09:56:483572 作为国产存储行业的佼佼者，长江存储近两年凭借在3D NAND闪存领域的突飞猛进，引发普遍关注，尤其是独创了全新的Xtacking闪存架构，最近还打造了首个消费级SSD品牌“致钛”。
2020-11-24 10:12:314014 NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史，随着2D NAND容量达到极限，以及晶体管越来越小，NAND的编程时间变长，擦写次数变少，能够将内存颗粒堆叠起来的3D
2020-12-09 10:35:492766 NAND Flash。2007年，东芝推出3D NAND，三星也在2012年发布其第一代3D NAND。NAND Flash 技术几十年发展保留了相同的概念、堆叠（stack）和架构，存储密度随时间呈指数
2022-11-25 14:57:351637 随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 2D NAND和3D NAND都是非易失性存储技术（NVM Non-VolatileMemory），属于Memory（存储器）的一种。
2024-03-17 15:31:39279 
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