的堆叠NAND闪存 V-NAND实现了具有最新第六代产品的128层单堆叠，并通过TLC实现了512 Gb（千兆位）容量。它计划于2020年投放市场，并且正在针对在5年内达到500层或更多层的堆栈
2019-11-25 09:52:31
6442 AMD发布了第六代Carrizo APU，Carrizo共有15W和35W两个功耗版本，本月底搭载新一代处理器的笔记本将完成出货。
2015-06-03 14:53:411745 三星目前已完成32层堆叠第二代V-NAND的研发作业，计划第3季推出48层堆叠第三代V-NAND产品后，于2016年生产64层堆叠的V-NAND产品。
2015-08-11 08:32:001030 时间过的很快，对于老玩家来说，今年已经迎接第六代 Intel 处理器，当然这还不算古早时期的 Intel 产品。第六代处理器架构命名为 Skylake，根据 Intel 的 Tick-Tock 策略
2015-10-06 10:55:0023159 A9基本上是一个以FinFET制程打造之苹果（Apple）第六代A系列应用处理器的故事，但它更进一步透露的是Apple在半导体设计上的雄心壮志 ──Apple第一代的A4处理器是在2010年问世
2015-11-16 09:17:479103 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:437470 NAND 存储器制造商三星和 SK 海力士已寻求将 NAND 闪存价格提高 3%-5% 以试探市场反应，并表示 NAND 闪存的价格已降至可变成本以下。 2. 日媒：苹果Vision Pro 给电子
2023-06-09 12:01:041328 
的存储卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存储卡产品线Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，还真不便宜！该款存储卡起售价$199.99，对于一张存储卡而言，这个定价可以算得
2015-12-16 11:31:26
三星大中华区首席技术官裵容徹先生表示，三星不断进行技术创新，新一代的QLC产品成本可以降低60%，同时还推出了容量高达1Tb的V-NAND技术，速度将会达到1200Mbps。在市场应用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
NAND只需要提高堆栈层数，目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24层SLC/MLC 3D V-NAND，到现在层数已经迈进200+层，并即将进入300+层阶段。目前，三星/西部数据
2024-12-17 17:34:06
的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
提供领先的创新视频和显示处理解决方案提供商——Pixelworks, Inc.（纳斯达克股票代码：PXLW）今日发布了其第六代移动视觉处理器---i6，这是首款基于Pixelworks大量移动显示
2020-11-23 14:02:58
TCL AT25286深圳三星纯(25英寸)存储器数据
2009-06-12 11:21:22
13 TCL AT29128三星存储器数据
2009-06-12 11:24:3643 TCL AT29211A三星纯存储器数据
2009-06-12 11:28:5634 据国外媒体报道，华尔街邮报综合之前诸多的相关报道，于周二报道称苹果的第六代iPhone将采用更轻更薄的内置触摸屏技术。
2012-07-19 10:50:432401 
中国，北京-2014年10月29日-硅电视调谐器领导厂商Silicon Labs（芯科实验室有限公司，NASDAQ:SLAB）今天宣布推出高性能且经过现场验证的第六代电视调谐器IC。
2014-10-29 16:29:081387 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）扩大采用第六代STripFET技术的高效功率晶体管的产品系列，为设计人员在提高各种应用的节能省电性能带来更多选择。 最新的STripFET
2017-12-01 11:47:03433 三星表示，这款512GB的闪存芯片专门面向移动设备开发，其中整合了八个多层存储数据的V-NAND芯片。和过去三星256GB的芯片相比，虽然容量翻一倍，但是使用的空间却相同。这给手机设计带来了福音。
2017-12-06 11:03:441513 三星手机存储器最新资料下载
2018-01-19 09:44:541 因2017年存储器领域遭遇大幅度的内存不足，飚价过高，三星等存储器巨头借此赚的钵满盆盈。今年中国厂商将进行大规模的扩产存储器，存储器价格将会有所松动，也就是说三星半导体龙头将不保。
2018-02-01 09:37:211089 西安3D V-NAND芯片厂是三星最大的海外投资项目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片厂。今日报道，工业气体供应商空气产品公司将助力三星生产的3D V-NAND闪存芯片，宣布将为3D V-NAND芯片厂供气。
2018-02-03 11:07:271538 位于西安高新技术开发区的芯片厂是三星电子最大的海外投资项目之一，也是中国最先进的半导体工厂之一。其生产的3D V-NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式NAND存储、固态硬盘、移动设备和其它消费电子产品。
2018-02-09 10:18:468073 据新华社消息，5月17日，在河北省廊坊市固安产业新城，维信诺（固安）第六代全柔AMOLED屏幕面板生产线正式启动。
2018-05-18 10:55:003527 三星电子 30 日宣布，已开始正式量产全球首款 32GB 容量、适用于小型双列直插式存储器模组（SoDIMM）规格的电竞笔电 DDR4 存储器。而新的 SoDIMM 存储器模组是以 10 纳米制程技术打造，可以用户享受丰富的电竞游戏之外，并具有更大的容量与更快的速度，而且佣有更低的耗能表现。
2018-06-11 11:49:001095 根据韩国媒体的报导，韩国存储器大厂三星已经确认，将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂，用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。 之前，韩国媒体《FN News》曾经引用业界人士和平
2018-03-06 18:59:115298 在旧金山的闪存峰会上，三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒，容量高达1Tb，用于消费级产品。
2018-05-16 23:41:001196 三星 17 日宣布，量产首批 8GB LPDDR5 存储器颗粒，速率可达 6，400Mbps，比现有 LPDDR4-4266 存储器快了 50%，同时功耗降低 30%，三星现在已经完成了 8GB
2018-07-18 17:56:004088 近年来中国大陆地区一直深耕OLED技术，京东方、华星光电、天马微电子等都相继建设OLED屏幕产线，为下一轮技术争夺做好了充足的准备。其中，天马的第六代AMOLED生产线早在去年4月就已经成功点亮，这是全球第一条同时点亮刚性和柔性显示屏的第六代AMOLED生产线，本月也将实现量产。
2018-06-13 15:55:002365 三星电子今天宣布，已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存（eUFS），以用于下一代移动设备。据介绍，三星512GB eUFS采用了三个三星最新的64层512千兆（Gb）V-NAND芯片和一个控制器芯片。
2018-07-10 09:39:001189 三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片，声称其堆叠层数超过90层，可能指的是其96层，制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口，可拥有更高的传输速度。
2018-07-12 14:46:002032 据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 三星第五代V-NAND 3D堆叠闪存业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 三星17日宣布，量产首批8GB LPDDR5存储器颗粒，速率可达6,400Mbps，比现有LPDDR4-4266存储器快了50%，同时功耗降低30%，三星现在已经完成了8GB LPDDR5存储器的测试。
2018-07-20 10:39:445216 面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况，三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒，堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:328259 三星电子有限公司今天宣布推出三星移动固态硬盘T5-全新的移动固态硬盘（PSSD），提升了外部存储产品的性能标准。T5采用三星最新的64层V-NAND（垂直NAND）技术和紧凑耐用的设计，具有业界领先的传输速度和加密的数据安全性，使消费者更轻松随时随地访问其最有价值的数据。
2018-07-26 17:43:092951 此外，新的V-NAND数据写入速度仅延迟了500微妙，与前一代相比改进了30%，读取信号时间已降低到50微妙。值得一提的是新的96层V-NAND闪存芯片也更加节能，电压从1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:001476 第六代微软小冰正式发布，相比与以往的低调，此次微软小冰六代的发布会现场格外盛大。
2018-07-31 15:08:507198 三星电子也不甘示弱，早先已经宣布量产96层堆叠第五代V-NAND闪存，并宣布会在年内推出全球第一款32TB超大容量SSD。
2018-08-07 14:32:115169 大家都知道现在飞行器，尤其是军事飞行器都在朝向更快的飞行速度发展，尤其是对于第六代战机来说，虽然还无法确定是有人还是无人，但是高速度绝对是主要的技术指标，而这次曝光的信息或许就是意味着这款无人机和我们的第六代战机有着很大关联。
2018-08-23 11:35:505106 8月30日下午，合肥第六代柔性AMOLED生产线项目签约落户合肥新站高新科技产业开发区，总投资400亿！
2018-09-07 11:42:175548 据日媒指出，三星2019年针对存储器的投资总体会减少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星将大减20%资本支出；而在NAND Flash部分，三星的投资仍将持续增加。
2018-10-10 16:13:443814 三星新一代860 QVO系列固态硬盘于今日上架美国官网，作为三星首款面向消费者的QLC固态硬盘，它采用传统的2.5寸盘规格，内部为三星自主MJX主控、三星自产V-NAND QLC闪存颗粒，容量规格有1TB、2TB、4TB。1TB版本官方建议零售价149.99美元。
2018-11-30 14:08:012848 2月19日消息，有网友在小米公司产品总监王腾微博下评论：“人家隔壁都官员要出第六代屏幕指纹了，滕总不科普下小米9不用的原因吗？”（iQOO新机将搭载第六代屏幕指纹，这可能是全球首款使用第六代屏幕指纹识别的智能手机）。
2019-02-20 09:14:366672 视频简介：全新的Simple Switcher竟然能和纳米小子和电源模块并驾齐驱？快来了解第六代Simple Switcher稳压器如何逆袭成为高稳定性高EMI性能高速度的吧。
2019-03-27 06:26:003957 本周，Intel发布产品调整通知，宣布第六代酷睿处理器进入EOL阶段（end of life），也就是开始退役。
2019-03-07 10:47:493315 
3 月 27 日的发布会上，苹果发布了第六代 iPad 产品，官方售价从 2588 元起，教育售价 2388 元。这款产品相对于去年的第五代而言有两大升级亮点，首先是升级了全新的 A10
2019-06-13 10:25:3111026
据彭博社报道，三星电子公司副主席李在镕表示该公司将继续投资未来的业务，包括第六代移动网络和系统芯片。这家韩国科技巨头面临着一个快速变化的全球商业环境，而这已经给利润带来压力。
三星在
2019-06-17 17:00:243088 在2016年的旧金山闪存峰会上，三星公布了Z-NAND与Z-SSD的相关信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM内存和NAND闪存之间）、包含独特的电路设计与优化后的主控，三星于是用Z-NAND来命名这款闪存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 8月6日，三星电子宣布已开始批量生产250千兆字节（SATA）固态硬盘（SSD），该硬盘集成了该公司的第六代（1xx层）256Gb，适用于全球PC OEM的三位V-NAND。通过在短短13个月内推出新一代V-NAND，三星已将批量生产周期缩短了四个月，同时确保了业界最高的性能，功效和制造生产率。
2019-08-07 17:10:553350 
三星推出了第六代V-NAND内存，为了进一步提高容量和密度，它拥有100多个活动层。从性能的角度来看，要使V-NAND具有超过100层的可行性，三星公司不得不使用新的电路设计技术。
2019-09-03 10:38:04981 全球第一的非存储器半导体企业英特尔在韩国推出新一代存储器半导体，外界解读，英特尔选在存储器半导体强国发表新产品，是在向全球前两大存储器半导体企业三星电子、SK海力士宣战。
2019-09-27 17:20:141177 根据韩国媒体报导，在当前存储器价格已经触底反弹，整体市场库水水位也进一步降低的情况之下，三星决定开始恢复针对存储器产业的投资。而根据知情人士的消息指出，三星最近为韩国P2晶圆厂订购了DRAM设备，也
2019-10-30 15:15:303224 三星电子宣布已开始批量生产250千兆字节（GB）SATA固态硬盘（SSD），该硬盘集成了该公司的第6代（1xx层）256千兆位（Gb）三位V- NAND。该公司已将SSD交付给全球PC制造商。
2019-11-22 17:07:39896 固态硬盘市场的霸主三星，是四大NAND闪存厂商中最早量产3D NAND闪存的，也是目前技术最强的，已经发展了三代V-NAND闪存，堆栈层数达到了48层。
2019-12-22 11:19:011517 据韩国网站Elec显示，LG目前正在升级其生产设施，以为2020年推出的iPhone提供第六代OLED面板。
2020-01-05 10:43:433192 3月18日，据韩国媒体报道，三星电子已经开始批量生产一种512GB的eUSF 3.1高速智能手机存储器，该存储器能够在4秒内存储5GB内容，相当于一部蓝光电影。
2020-03-20 10:51:281830 据了解，136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。
2020-04-20 09:06:01776 继三星去年实现量产128层第六代NAND闪存芯片后，又在两个月前宣布将完成160层第七代NAND闪存芯片的开发，目前看来三星已经将对手远远甩在身后。
2020-06-18 16:06:512328 新一代3D NAND技术已迎来新的战局，继美光和SK海力士在2020年底陆续推出新一代176层3D NAND之后，铠侠和西部数据也正式宣布推出162层3D NAND技术，三星也称将在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特尔大力推广144层3D NAND，硝烟已四起。
2021-02-24 11:22:072770 VOANDOS维安达斯——第六代语音导航版激光对射探测器，震撼上市，这是维安达斯继2019年第五代旗舰版激光对射后的又一匠心之作。 第六代语音导航版激光对射探测器是本公司在第五代旗舰版激光对射探测器
2021-04-01 14:45:02776 VOANDOS维安达斯——第六代语音导航版激光对射探测器，震撼上市。 第六代语音导航版激光对射探测器是本公司在第五代旗舰版激光对射探测器基础上再次升级而成的又一代匠心产品，他在保持第五代激光对射
2021-06-30 15:23:35710 官方发布 今日，三星宣布已开发出用于企业服务器的PM1743固态硬盘。PM1743固态硬盘拥有最新的PCIe 5.0接口和三星先进的第6代V-NAND闪存技术。
2021-12-30 11:57:363953 6月11日动静，蔚蓝科技推出的第六代c系列阿尔法机器狗打开预售，价钱为16900元起，此刻不妨在蔚蓝科技官方店铺微信小步调付出2000元定金介入预购。 蔚蓝科技第六代c系列阿尔法机器狗的目的是代替
2022-02-14 09:53:005475 三星电子计划在今年6月前完成11纳米制程第六代1cDRAM的开发。
2022-04-19 11:31:193502 而主要的 NAND 制造商正在竞相增加垂直 3D NAND 门的数量，并推出了 1yyL 3D NAND 设备。例如，三星 V7 V-NAND、铠侠和西部数据公司 (WDC) BiCS6、美光第 2 代 CTF CuA 和 SK 海力士第 2 和第 3 代 4D PUC NAND 。
2022-07-13 15:30:114733 2022百度世界大会-百度正式发布第六代无人车Apollo RT6 审核编辑：彭静
2022-07-21 15:23:45664 
市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，更好地提供差异化产品和解决方案，有望成为未来存储创新的基础。
2022-11-07 10:33:551379 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度，可更高效地为企业扩展存储空间 深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会
2022-11-08 13:37:361624 三星采用 3D 缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。通过这项技术，三星显著的提升每片晶圆的存储密度，使三星的存储密度达到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847 1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度，可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。
2022-12-06 10:39:311027 基于先进的5纳米工艺控制器和第七代 V-NAND 技术，PM9C1a将个人计算机日常工作效率提升至新高度，同时，可处理高要求的计算和游戏任务 深圳2023年1月12日 /美通社/ -- 今日，三星
2023-01-12 21:32:101153 最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015 三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈，三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存，三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53888 电子发烧友网站提供《Emulex和博科产品的第六代光纤通道评估.pdf》资料免费下载
2023-08-23 15:19:000 2023年9月6日三星电子宣布推出固态硬盘990 PRO系列4TB（万亿字节）产品，预计将于10月正式进入中国市场。990 PRO系列属于高性能PCIe【1】4.0固态硬盘系列，采用三星第8代V-NAND技术和三星自研控制器。
2023-09-07 09:44:151750 
近日，三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器，这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性，有望引领未来内存技术的发展。
2024-01-12 14:42:031225 据韩媒Hankyung透露，第九代V-NAND闪存的堆叠层数将高达290层，但IT之家此前曾报道过，三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存，其IO接口速度可达3.2GB/s。
2024-04-12 16:05:391410 据韩国业界消息，三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND（3D NAND）闪存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND （3D NAND） 闪存芯片，这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著提升，也代表着当前行业中最高的可量产堆叠层数。
2024-04-18 09:49:201500 近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
2024-04-23 11:48:051287 作为九代V-NAND的核心技术，双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236层增至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解，三星计划于明年推出第十代NAND芯片，采用三重堆叠技术
2024-04-28 10:08:011536 在技术层面，第九代V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术，在原有的旗舰V8闪存236层的基础上，再次实现了技术上的重大突破，堆叠层数飙升至惊人的290层。
2024-04-28 16:02:241874 第九代V-NAND采用双堆叠设计，将旗舰版V8闪存原先的236层进一步增加至290层，主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算设备领域。
2024-04-28 17:36:181369 据悉，Switch 2游戏机可能搭载由三星代工厂生产的SoC（英伟达Tegra T239芯片，采用三星7LPH工艺节点）。此外，任天堂还计划采用三星第五代V-NAND存储技术以及三星作为显示面板供应商。
2024-04-29 10:23:182172 在今日举行的I/O 2024开发者大会上，谷歌公司震撼发布了其第六代数据中心AI芯片——Trillium Tensor处理器单元（TPU）。据谷歌首席执行官皮查伊透露，这款新型TPU预计在年内交付，届时将带来前所未有的计算性能飞跃。
2024-05-15 11:18:081201 分析人士认为，谷歌积极推进自主研发芯片，按照其规划，第七代和第八代产品将分别与联发科、世芯合作生产。此次第六代TPU的推出，有望引领CSP（云端服务提供商）厂商投入自研芯片领域。
2024-05-16 18:05:322374 百度近日宣布，其自动驾驶出租车业务“萝卜快跑”正式推出第六代车型——颐驰06，这是百度Apollo与江铃新能源的联合力作。新车出厂价定为20.46万元，首批交付量高达1000辆。
2024-05-20 14:36:115424 据韩国媒体最新报道，三星电子在其第9代V-NAND闪存技术中实现了重大突破，首次在“金属布线”工艺中引入了钼（Mo）技术。这一创新标志着三星在半导体制造领域的又一次技术飞跃。
2024-07-04 09:23:501262 microSD 存储卡 PRO Plus 和 EVO Plus 采用三星先进的 V-NAND 技术，可安全可靠地捕捉和存储日常瞬间 性能提升后，顺序读取速度高达 180MB/s，传输速度达
2024-08-01 09:24:59699 
三星电子今日宣布了一项重大里程碑——其自主研发的1太比特（Tb）容量四层单元（QLC）第九代V-NAND闪存已正式迈入量产阶段。这一成就不仅标志着三星在存储技术领域的持续领先，也预示着数据存储市场即将迎来一场革命性的变革。
2024-09-12 16:27:311108 三星电子在NAND闪存技术领域再次迈出重要一步，其最新推出的QLC V-NAND第九代产品，集成了多项前沿技术突破，标志着数据存储性能与容量的全新飞跃。这款基于双堆栈架构的QLC V-NAND，通过创新的通道孔蚀刻技术，实现了业界领先的单元层数，为各类AI应用提供了前所未有的内存解决方案。
2024-09-23 14:53:521479 三星电子在车载存储技术领域迈出了重要一步，正式宣布成功研发出业界首款基于其先进第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD——AM9C1。这一创新成果不仅标志着三星在车载数据存储领域的深厚积累与前瞻布局，更为未来智能汽车的高性能、高效率数据存储需求提供了强有力的支持。
2024-09-24 15:24:031104 在今日举办的联想2024年度全球创新盛会Tech World上，联想集团震撼发布了其第六代Neptune垂直液冷产品——ThinkSystem N1380 Neptune，这款产品专为生成式AI计算量身打造，再次彰显了联想在高性能计算和液冷技术领域的卓越实力与创新能力。
2024-10-16 17:15:221936 nm DRAM。 这一新版DRAM工艺项目被命名为D1B-P，其重点将放在提升能效和散热性能上。这一命名逻辑与三星此前推出的第六代V-NAND改进版制程V6P相似，显示出三星在半导体工艺研发上的持续创新与投入。 据了解，在决定启动D1B-P项目时，三星现有的12nm级DRAM工艺良率
2025-01-22 14:04:071411 据韩国媒体报道，三星电子正面临其第六代1cnm DRAM的良品率挑战，为确保HBM4内存的顺利量产，公司决定对设计进行重大调整。
2025-02-13 16:42:511343 近日，据韩媒报道，三星位于中国西安的NAND闪存工厂正在加速推进技术升级与产能扩张计划。该工厂在成功将制程从第六代V-NAND(即136层技术)转换至第八代V-NAND(238层技术)的基础上，年内
2025-02-14 13:43:271089 电子发烧友网综合报道 日前，瑞萨电子宣布推出业界首款面向DDR5寄存双列直插式内存模块（RDIMM）的第六代（Gen6）寄存时钟驱动器（RCD），这款全新RCD率先实现了9600兆传输/秒（MT/s
2025-11-19 15:59:055454 
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