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电子发烧友网>存储技术>X-FAB在180nm BCD-on-SOI平台上新增非易失性存储器功能

X-FAB在180nm BCD-on-SOI平台上新增非易失性存储器功能

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X-FAB Silicon Foundries SE正在以进一步实质性的方式推进其电流隔离技术。X-FAB在2018年推出的突破性工艺的基础上,该工艺专为弹性分立电容或电感耦合器而设计,现在可用
2023-11-07 16:02:34305

X-FAB推出一款新近红外(NIR)增强型SPAD

。与2021年推出的上一代SPAD一样,这款近红外SPAD也基于X-FAB180 nm XH018工艺。通过在制造工艺中增加额外的步骤显著增强了信号,同时仍然保持相同的低本底噪声,且不会对暗计数率、寄生脉冲
2023-11-20 09:11:53398

X-FAB推出新的XIPD工艺,实现全集成紧凑射频系统设计

模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries公司宣布,新增集成无源器件(IPD)制造能力,最新推出XIPD工艺,进一步增强其在射频领域的广泛实力。
2023-11-21 17:03:00385

基于非易失性存储器的数字电位器的多功能可编程放大器

电子发烧友网站提供《基于非易失性存储器的数字电位器的多功能可编程放大器.pdf》资料免费下载
2023-11-24 16:04:350

如何充分利用单片机(MCU)的非易失性存储器呢?

如何充分利用单片机(MCU)的非易失性存储器 单片机(MCU)的非易失性存储器(NVM)是存储数据和程序的重要组成部分。它可以保留数据,即使在断电或复位后也不会丢失。为了充分利用MCU的NVM,我们
2023-12-15 10:10:49507

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